精密與特種加工技術(shù)第十一章其他精密與特種加工技術(shù)(已改無(wú)錯(cuò)字)
2023-06-22 14:52:55 本頁(yè)面
【正文】 對(duì)一些小型零件，可以多件同時(shí)加工，效率可大大提高。對(duì)多件裝夾的小零件的生產(chǎn)率每小時(shí)可達(dá) 1 000件。 (4) 加工精度：擠壓珩磨是一種表面加工技術(shù)，因此它不能修正零件的形狀誤差。切削均勻性可以保持在被切削量的10%以?xún)?nèi)，因此，也不至于破壞零件原有的形狀精度。由于去除量很少，可以達(dá)到較高的尺寸精度，一般尺寸精度可控制在微米的數(shù)量級(jí)。 28 黏彈性磨料介質(zhì) 黏彈性磨料介質(zhì)由一種半固體、半流動(dòng)性的高分子聚合物和磨料顆粒均勻混合而成。這種高分子聚合物是磨料的載體，能與磨粒均勻黏結(jié)，而與金屬工件則不發(fā)生黏附。它主要用于傳遞壓力，攜帶磨粒流動(dòng)以及起潤(rùn)滑作用。 29 夾具 夾具是擠壓珩磨的重要組成部分，是使之達(dá)到理想效果的一個(gè)重要措施，它需要根據(jù)具體的工件形狀、尺寸和加工要求而進(jìn)行設(shè)計(jì)，但有時(shí)需通過(guò)試驗(yàn)加以確定。 夾具的主要作用除了用來(lái)安裝、夾緊零件、容納介質(zhì)并引導(dǎo)它通過(guò)零件以外，更重要的是要控制介質(zhì)的流程。因?yàn)轲椥阅チ辖橘|(zhì)和其他流體的流動(dòng)一樣，最容易通過(guò)那些路程最短、截面最大、阻力最小的路徑。為了引導(dǎo)介質(zhì)到所需的零件部位進(jìn)行切削，可以對(duì)夾具進(jìn)行特殊設(shè)計(jì)，在某些部位進(jìn)行阻擋、拐彎、干擾，迫使黏彈性磨料通過(guò)所需要加工的部位。 30 擠壓珩磨的實(shí)際應(yīng)用 擠壓珩磨可用于邊緣光整、倒圓角、去毛刺、拋光和少量的表面材料去除，特別適用于難以加工的內(nèi)部通道拋光和去毛刺。 擠壓珩磨已經(jīng)應(yīng)用于硬質(zhì)合金拉絲模、擠壓模、拉伸模、粉末冶金模、葉輪、齒輪、燃料旋流器等的拋光和去毛刺，還用于去除電火花加工、激光加工等產(chǎn)生的熱影響層。 31 光 刻 技 術(shù) 光刻 (photolithography)也稱(chēng)照相平版印刷，它源于微電子的集成電路制造，是在微機(jī)械制造領(lǐng)域應(yīng)用較早并仍被廣泛采用且不斷發(fā)展的一類(lèi)微細(xì)加工方法。光刻是加工制作半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)或器件和集成電路微圖形結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝技術(shù)，其原理與印刷技術(shù)中的照相制版相似：在硅等基體材料上涂覆光致抗蝕劑 (或稱(chēng)為光刻膠 )，然后利用極限分辨率極高的能量束來(lái)通過(guò)掩模對(duì)光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光 (或稱(chēng)光刻 )。經(jīng)顯影后，在光致抗蝕劑層上獲得了與掩模圖形相同的極微細(xì)的幾何圖形，再利用刻蝕等方法，在工件材料上制造出微型結(jié)構(gòu)。 32 光刻技術(shù)一般由以下基本的工藝過(guò)程構(gòu)成，如下圖所示 33 光刻加工應(yīng)用及關(guān)鍵技術(shù) 光刻加工中的關(guān)鍵技術(shù)主要包括掩模制作、曝光技術(shù)、刻蝕技術(shù)等。 1. 光刻掩模制作 掩模的制造技術(shù)發(fā)源于光刻，而后在其發(fā)展中逐漸獨(dú)立于光刻技術(shù)。制造工藝可分為版圖設(shè)計(jì)、掩模原版制造、主掩模制造和工作掩模制造四個(gè)主要階段。 34 2. 曝光技術(shù) 1) 遠(yuǎn)紫外曝光技術(shù) 2) 電子束曝光技術(shù) 3) 離子束及其曝光技術(shù) 4) X射線曝光技術(shù) 3. 刻蝕技術(shù) 化學(xué)刻蝕是通過(guò)化學(xué)刻蝕液和被刻蝕物質(zhì)之間的化學(xué)反應(yīng)將被刻蝕物質(zhì)剝離下來(lái)的刻蝕方法。大多數(shù)化學(xué)刻蝕是不易控制的各向同性刻蝕。其最大缺點(diǎn)就是在刻蝕圖形時(shí)容易產(chǎn)生塌邊現(xiàn)象，即在縱向刻蝕的同時(shí)，也出現(xiàn)側(cè)向刻蝕，以至使刻蝕圖形的最小線寬受到限制。通常、采用刻蝕系數(shù) Kf來(lái)反映刻蝕向縱向深入和向側(cè)向刻蝕的情況，刻蝕系數(shù)表示為 Et=2D/(W2W1)=D/R。 35 光刻技術(shù)的極限和發(fā)展前景 1. 相移掩模技術(shù) 相移掩模是相對(duì)于傳統(tǒng)的透射掩模 (TM)或振幅掩模而言的。振幅掩模上凡透光部分所透過(guò)的光波相位都是相同的，而振幅不同。而相移掩模則是掩模上透過(guò)的光波相位處處不同，相鄰區(qū)域相位差為 180176。 ，而振幅可能相同，也可能不同，隨相移掩模種類(lèi)而定。相移掩模上，在指定的一些透光區(qū)域中局部地增加一層適當(dāng)厚度的透明介質(zhì)層，即所謂的相移器或相移層，來(lái)改變?cè)撎幫高^(guò)光的相位，使與無(wú)相移器區(qū)域透過(guò)光波之間有 180176。 相位差，從而改善硅片
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