【正文】 鍵 鉻離子解析：3d54s1 6 F＞N＞H 4 N和F sp3雜化 Cr(NH3)3F3為分子晶體，NaCl為離子晶體，分子間作用力遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于離子鍵 鉻離子 【解析】【分析】【詳解】(1)Cr為24號元素，其核外電子排布為1s22s22p63s23p64s13d5，則其價電子排布為3d54s1，其中3d和4s軌道上的電子均為單電子，因此單電子數(shù)為6；(2)同周期自左而右，電負(fù)性增大，電負(fù)性F＞N；H元素與F、N元素化合時，H元素表現(xiàn)正化合價，H元素的電負(fù)性比F、N元素小，故電負(fù)性F＞N＞H；(3)NH3中N的價層電子對數(shù)=；由Cr的配位數(shù)為6知，該物質(zhì)為配鹽(無外界)，所以N和F均為配位原子；NH3中孤電子對在與Cr成鍵時，N的價層電子對數(shù)不變，所以雜化類型不變，N的雜化類型為sp3；(4)由Cr(NH3)3F3易升華可知，其熔沸點較低，應(yīng)為分子晶體，而NaCl為離子晶體，離子鍵強于分子間作用力，所以NaCl熔沸點高很多；(5)由圖示可知，該六棱柱中白色小球有4個，均為六棱柱所有；在六棱柱的頂點有12個黑色小球，為6個六棱柱所有；上下的面心有2個黑色小球，為2個六棱柱所有，在六棱柱內(nèi)部還有3個黑色小球，則六棱柱中黑色小球共有個，白色小球和黑色小球的比例為4:6=2:3，根據(jù)化學(xué)式Cr2O3，可知白色小球為鉻離子；根據(jù)計算六棱柱中有4個Cr和6個O，則其質(zhì)量，則晶體密度，則。7．正四面體 OSP 分子中含有多個羥基，可與水分子間形成氫鍵 spsp3 2NA B LiCoO2 3d6 (SinO3n+1)(2n+解析：正四面體 OSP 分子中含有多個羥基，可與水分子間形成氫鍵 spsp3 2NA B LiCoO2 3d6 (SinO3n+1)(2n+2) 【解析】【分析】(1)PO43中P原子價層電子對個數(shù)=4，且不含孤電子對，根據(jù)價層電子對互斥理論判斷空間構(gòu)型；元素的非金屬性越強，其電負(fù)性越大；(2)根據(jù)抗壞血酸分子內(nèi)含基，可與水分子間形成氫鍵判斷；根據(jù)分子內(nèi)有碳原子連接方式判斷雜化方式；與四個不同的原子或原子團相連的碳原子稱為手性碳原子；(3)結(jié)合信息：O2因具有單電子而成為順磁性分子，從示意圖知B結(jié)構(gòu)中化學(xué)鍵有3電子，B有單電子；(4)①根據(jù)結(jié)構(gòu)示意圖判斷Li、Co和O個數(shù)比，進而得到化學(xué)式；鈷的原子序數(shù)為27，Co3+有24個電子，電子排布式為[Ar]3d6；②計算石墨晶胞中碳原子數(shù)目，進而求出晶胞的質(zhì)量，根據(jù)圖中信息求出晶胞的體積，應(yīng)用晶胞的密度進行求算；(5)根據(jù)圖示找出規(guī)律，然后推斷硅原子數(shù)目為n時含有的氧原子數(shù)目及所帶電荷數(shù)，從而確定其化學(xué)式?！驹斀狻?1)PO43中P原子價層電子對個數(shù)=4，且不含孤電子對，根據(jù)價層電子對互斥理論判斷空間構(gòu)型為正四面體結(jié)構(gòu)；元素的非金屬性越強，其電負(fù)性越大，則電負(fù)性O(shè)＞S＞P；故答案為：正四面體；O＞S＞P；(2)抗壞血酸碳原子數(shù)目相對較少，但分子內(nèi)含4個羥基，可與水分子間形成氫鍵，因此它易溶于水；分子內(nèi)有碳碳單鍵、對應(yīng)碳原子sp3雜化方式，也有碳碳雙鍵，對應(yīng)碳原子sp2雜化方式；與四個不同的原子或原子團相連的碳原子稱為手性碳原子，由圖知，1個抗壞血酸分子中含2個手性碳原子，則1mol抗壞血酸中手性碳原子的數(shù)目為2NA；故答案為：分子中含有多個羥基，可與水分子間形成氫鍵；spsp2；2NA；(3)結(jié)合信息：O2因具有單電子而成為順磁性分子，從示意圖知B結(jié)構(gòu)中化學(xué)鍵有3電子，B有單電子，B滿足；故答案為：B；(4)①鋰鈷復(fù)合氧化物中Li、Co、O分別形成了六邊層狀結(jié)構(gòu)(圖a)，整個六棱柱結(jié)構(gòu)中：Li個數(shù)為：12+2+6＝9個，Co個數(shù)為：7+6＝9，O個數(shù)為14+12＝18，則，Li、Co和O個數(shù)比為1：1：2，化學(xué)式為 LiCoO2；鈷的原子序數(shù)為27，Co3+有24個電子，電子排布式為[Ar]3d6，其價層電子排布式為3d6；故答案為：LiCoO2；3d6；②石墨晶胞中碳原子數(shù)目＝8+4+1+2＝4，故晶胞的質(zhì)量=4g，層內(nèi)(平行四邊形)CC鍵長為apm＝a1010cm，底面的邊長為2a1010cm＝a1010cm，底面上的高為底面的邊長＝a1010cm，層間距為dpm，則晶胞的體積＝a1010cma1010cm2d1010cm=da21030cm3，則該晶胞的密度=g/cm3，則NA=，故答案為：；(5)該長鏈硅酸根離子每個單元為四面體結(jié)構(gòu)，根據(jù)圖示可知：若一個單環(huán)狀離子中Si原子數(shù)為n，則含有n個四面體結(jié)構(gòu)，含有的氧原子數(shù)為(3n+1)個，即：含有n個Si，則含有(3n+1)個O，帶有的負(fù)電荷為：n(+4)+(3n+1) (2)＝?(2n+2)，則其化學(xué)式為：(SinO3n+1)(2n+2)?，故答案為：(SinO3n+1)(2n+2)?。8．1s22s22p63s23p63d9或[Ar]3d9 正四面體形 O spsp2 易溶于水 4 Mg 相反 分子晶體 苯胺中存在電負(fù)性較強的解析：1s22s22p63s23p63d9或[Ar]3d9 正四面體形 O spsp2 易溶于水 4 Mg 相反 分子晶體 苯胺中存在電負(fù)性較強的N所以可以形成氫鍵，因此比甲苯的熔沸點高。 【解析】【分析】(1)Cu原子失去4s能級上1個電子、3d能級上1個電子生成銅離子，據(jù)此書寫該基態(tài)離子核外電子排布式；(2)SO42中S原子價層電子對個數(shù)且不含孤電子對，根據(jù)價層電子對互斥理論判斷該微?？臻g構(gòu)型；該配離子中Cu2+提供空軌道、O原子提供孤電子對形成配位鍵；(3)中3號C原子價層電子對個數(shù)是4，6號碳原子價層電子對個數(shù)是3，根據(jù)價層電子對互斥理論判斷該分子中C原子軌道雜化類型；抗壞血酸中羥基屬于親水基，增大其水解性；(4)該晶胞中白色球個數(shù)、黑色球個數(shù)為4，則白色球和黑色球個數(shù)之比=2：4=1：2，根據(jù)其化學(xué)式知，白色球表示O原子、黑色球表示Cu原子；(5)根據(jù)元素周期表和對角線原則可知與鋰化學(xué)性質(zhì)相似的是鎂，鎂的M層電子數(shù)是2，占據(jù)s軌道，s軌道最多容納2個電子，所以自旋方向相反；(6)大多數(shù)有機物都是分子晶體，除了一部分有機酸鹽和有機堿鹽是離子晶體。苯胺比甲苯的熔沸點都高，同一種晶體類型熔沸點不同首先要考慮的就是是否有氫鍵，苯胺中存在電負(fù)性較強的N所以可以形成氫鍵，因此比甲苯的熔沸點高?！驹斀狻?1)Cu原子失去4s能級上1個電子、3d能級上1個電子生成銅離子，該基態(tài)離子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d9或[Ar]3d9；(2)SO42?中S原子價層電子對個數(shù)且不含孤電子對，根據(jù)價層電子對互斥理論判斷該微粒空間構(gòu)型為正四面體形；該配離子中Cu2+提供空軌道、O原子提供孤電子對形成配位鍵，所以配原子為O；(3)中3號C原子價層電子對個數(shù)是4，6號碳原子價層電子對個數(shù)是3，根據(jù)價層電子對互斥理論判斷該分子中C原子軌道雜化類型，3號C原子采用sp3雜化，6號C原子采用sp2雜化；抗壞血酸中羥基屬于親水基，增大其水解性，所以抗壞血酸易溶于水；(4)該晶胞中白色球個數(shù)、黑色球個數(shù)為4，則白色球和黑色球個數(shù)之比=2:4=1:2，根據(jù)其化學(xué)式知，白色球表示O原子、黑色球表示Cu原子，則該晶胞中Cu原子數(shù)目為4；(5)根據(jù)元素周期表和對角線原則可知與鋰化學(xué)性質(zhì)相似的是鎂，鎂的M層電子數(shù)是2，占據(jù)s軌道，s軌道最多容納2個電子，所以自旋方向相反；(6)大多數(shù)有機物都是分子晶體，除了一部分有機酸鹽和有機堿鹽是離子晶體。苯胺比甲苯的熔沸點都高，同一種晶體類型熔沸點不同首先要考慮的就是是否有氫鍵，苯胺中存在電負(fù)性較強的N所以可以形成氫鍵，因此比甲苯的熔沸點高。9．四面體形 N＞O＞H＞Mo 層與層之間的范德華力較弱，外力作用下易發(fā)生滑動 Π46 離子鍵、氫鍵 1：2 體心立方堆積 【解析】【分析】解析： 四面體形 N＞O＞H＞Mo 層與層之間的范德華力較弱，外力作用下易發(fā)生滑動 Π46 離子鍵、氫鍵 1：2 體心立方堆積 【解析】【分析】【詳解】(1)①Mo與Cr是同族元素，并且位于相鄰周期，則Mo處于周期表中第五周期VIB族，價電子排布式4d55s1，價電子軌道排布圖為：；(2)H2S中心原子S原子價層電子對數(shù)為=4，VSEPR模型為正四面體；一般金屬性越強第一電離能越小，同周期主族元素隨原子序數(shù)增大第一電離能呈增大趨勢，N原子2p軌道為半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能高于氧元素的，故