【正文】 的問(wèn)題十分突出。因此，提高效率，降低成本，擴(kuò)大規(guī)模應(yīng)是現(xiàn)今開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)太陽(yáng)能電池的主題。在 20xx 年約為 85 兆瓦（當(dāng)時(shí)無(wú)錫尚德的生產(chǎn)能力為 50 兆瓦）， 20xx 年有一個(gè)大的飛躍。三條生產(chǎn)線上馬后，形成了 100 兆瓦太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 規(guī)模；天威英利二期產(chǎn)能也直指 100兆瓦僅這三家企業(yè)年生產(chǎn)能力就可達(dá) 300 兆瓦以上。 根據(jù)國(guó)家《可再生能源中長(zhǎng)期發(fā)展規(guī)劃》，到 20xx年，我國(guó)太陽(yáng)能光伏發(fā)電裝機(jī)總?cè)萘繉⑦_(dá)到 400 兆瓦， 2020 年達(dá)到 2200 兆瓦，這意味著每年光伏發(fā)電裝機(jī)量都將超過(guò)過(guò)去多年的總和，國(guó)內(nèi)需求也將變得十分旺盛。 產(chǎn)品的銷(xiāo)售策略 通過(guò)前面的分析可以看出，太陽(yáng)能電池的使用范圍越來(lái)越廣，市場(chǎng)潛力非常大。 山東 中鼎瑞達(dá) 能源 科技 有限公司 初步確定的市場(chǎng)策略如下：做重點(diǎn)領(lǐng)域，做重點(diǎn)市場(chǎng)，由小到大，由點(diǎn) 到面。單晶硅太陽(yáng)能電池和多晶硅太陽(yáng)能電池是目前市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品，但這兩類(lèi)產(chǎn)品易受硅材料價(jià)格的波動(dòng)影響較大，且加工特性難度較大；隨著科技的進(jìn)步，非晶硅太陽(yáng)能電池將是未來(lái)太陽(yáng)能發(fā)展的主要方向，從生產(chǎn)成本、加工難易度、轉(zhuǎn)化效率和應(yīng)用范圍等方面都比單晶硅太陽(yáng)能電池和多晶硅太陽(yáng)能電池具有較大的優(yōu)勢(shì)，是單晶硅太陽(yáng)能電池和多晶硅太陽(yáng)能電池的替代產(chǎn)品。預(yù)計(jì)光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 20xx／ 20xx年度銷(xiāo)售 5MW的系列太陽(yáng)能電池。 該項(xiàng)目擬在棗莊市 市中 區(qū) 孟莊 內(nèi)實(shí)施。 項(xiàng)目資金來(lái)源為一部分自籌，資本金要達(dá)到國(guó)家規(guī)定比例，其余擬申請(qǐng)貸款。 從國(guó)內(nèi)外同類(lèi)生產(chǎn)廠家的規(guī)模情況來(lái)看，國(guó)內(nèi)只有少數(shù)幾家生產(chǎn)太陽(yáng)能電池，以生產(chǎn)成本較高 的單晶硅太陽(yáng)能電池和多晶硅太陽(yáng)能電池為主，且現(xiàn)有產(chǎn)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。 產(chǎn)品方案及產(chǎn)量 項(xiàng)目擬生產(chǎn)單晶硅電池、多晶硅電池和非晶硅電池，產(chǎn)品方案及產(chǎn)量見(jiàn)下表 51。太陽(yáng)能電池執(zhí)行國(guó)標(biāo) HDB/YD00320xx。 表 52 單晶硅電池的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) 序號(hào) 項(xiàng)目名稱(chēng) 指標(biāo) 備注 1 基本材料 P 型單晶硅 2 厚度（ц m） ≤ 300 3 開(kāi)路電壓（ mV） ≥ 596 4 短路電流（ A）： ≥ 5 最佳電壓（ mV）： ≥ 496 6 最佳電流（ A）： ≥ 7 轉(zhuǎn)換效率： % 表 53 多晶硅電池的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) 序號(hào) 項(xiàng)目名稱(chēng) 指標(biāo) 備注 1 基本材料 P 型多晶硅 2 厚度（ц m） ≤ 300 3 開(kāi)路電壓（ mV） ≥ 596 4 短路電流（ A）： ≥ 5 最佳電壓（ mV）： ≥ 496 6 最佳電流（ A）： ≥ 7 轉(zhuǎn)換效率： % 表 54 非晶硅電池的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) 序號(hào) 項(xiàng)目名稱(chēng) 指標(biāo) 備注 1 基本材料 非晶態(tài)合金 2 厚度（ц m） ≤ 5 3 開(kāi)路電壓（ mV） ≥ 596 4 短路電流（ A）： ≥ 5 最佳電壓（ mV）： ≥ 496 6 最佳電流（ A）： ≥ 7 轉(zhuǎn)換效率： % 光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 《單晶硅棒、單晶硅片加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn) (H1)B／ YD003— 20xx)》 范圍 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了以多晶硅（商品編號(hào) 28046190）為主要原料加工制成 4 英寸、 5 英寸；單晶硅棒（商品編號(hào) 28046110）和單晶硅片（商品編號(hào) 38180011）的加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)。 定義 本標(biāo)準(zhǔn)采用以下定義： 多晶硅加工單晶硅棒單耗指：在正常生產(chǎn)條件下耗用多晶硅質(zhì)量（ kg）。 多晶硅加工單晶硅棒損耗率（％）：?jiǎn)尉Ч璋粼谡＜庸み^(guò)程中，因生產(chǎn)工藝所必需但不能物化在成品中的多晶硅耗用量占多晶硅投入量的百分比。 單、損耗標(biāo)準(zhǔn) 原料的品質(zhì)規(guī)格 原料品質(zhì)為免洗料，符合相關(guān)國(guó)內(nèi)或國(guó)際行業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定及合同對(duì)產(chǎn)品質(zhì)級(jí)的認(rèn)定。 單晶硅拋光片品質(zhì)規(guī)格：該單耗標(biāo)準(zhǔn)適用于相關(guān) GB/T12964－1996 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)及合同對(duì)單晶硅拋光片質(zhì)級(jí)的認(rèn)定。 用線切割機(jī)，損耗較小。 本標(biāo)準(zhǔn)由海關(guān)總署關(guān)稅征管司委托上海海關(guān)負(fù)責(zé)起草制定。 2 制定單耗標(biāo)準(zhǔn)的原則 單耗標(biāo)準(zhǔn)的制定原則是以國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)或該類(lèi)加工企業(yè)平均水平為基礎(chǔ)，貫徹國(guó)家有關(guān)產(chǎn)業(yè)和外貿(mào)政策，符合我國(guó)加工貿(mào)易生產(chǎn)實(shí)際，有利于加工貿(mào)易企業(yè)技術(shù)進(jìn)步和公平競(jìng)爭(zhēng)，便于海關(guān)有效監(jiān)管和相關(guān)單耗數(shù)據(jù)信息的使用和維護(hù)。 技術(shù)論證及適用范圍 （ 1） 成品和主要原料的商品知識(shí) 單質(zhì)硅有無(wú)定形及晶體兩種。晶體硅是銀灰色，有金屬光澤的晶體，能導(dǎo)電（但導(dǎo)電率不及金屬）故又稱(chēng)為金屬硅。摻雜有微量硼、磷等元素的單晶硅 可用于制造二極管、晶體管及其他半導(dǎo)體器件。單晶硅片按使用性質(zhì)可分為兩大類(lèi)：生產(chǎn)用硅片；測(cè)試用硅片。多晶硅所使用的原材料來(lái)自硅砂（二氧化硅）。 多晶硅的品質(zhì)規(guī)格： 多晶硅按外形可分為塊狀多晶硅和棒狀多晶硅；等級(jí)分為一、二、光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 三級(jí)免洗料。對(duì)于特殊要求的，還需要進(jìn)行體內(nèi)金屬雜質(zhì)含量的檢測(cè)。 測(cè)試方法： 電阻率：用四探針?lè)ā? 碳含量：利用紅外分光光度計(jì)進(jìn)行檢測(cè)。背面要求無(wú)區(qū)域沾污、無(wú)崩邊、無(wú)裂縫、無(wú)刀痕。其中用 CZ 法占了約 85%，其他部分則是由浮融法 FZ 生長(zhǎng)法。而 FZ 法生長(zhǎng)出的單晶硅則主要用在高功率的電子元件。另外一個(gè)原因是 CZ法比 FZ 法更容易生產(chǎn)出大尺寸的單晶硅棒。 重?fù)搅鲜侵笇⒍嗑Ч柙霞敖咏柡土康碾s質(zhì)（種類(lèi)有硼，磷，銻，砷。 重?fù)搅现饕糜谏a(chǎn)低電阻率（電阻率 0． 011 歐姆／厘米）的硅片。 單晶硅棒整形過(guò)程中的頭尾料約 20％。損耗約 10％ — 13％。一般來(lái)講，由于晶體質(zhì)量原因造成的損耗率為 %。 例： 項(xiàng)目 4 英寸 5 英寸 切片刀厚 310＋ 25 380＋ 25 硅片厚度 650 750 損耗率 34% 35% 其他工序的凈損耗從切片到最終拋光，此間耗約 %－ %。 從單晶硅棒 —— 單晶硅拋光片的總損耗率： 4英寸約為 % 5 英寸約為 % 光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 第六章 工藝技術(shù)方案 工藝 技術(shù)方案的選擇 工廠擬對(duì)國(guó)外先進(jìn)技術(shù)加以改造成為適合國(guó)情的生產(chǎn)技術(shù)。 晶體（單、多）硅太陽(yáng)能電池（ SINGLECRYSTAL 、POLYCRYSTAL） 晶體硅太陽(yáng)電池組件，能夠高效的將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為電能。單（多）晶硅太陽(yáng)電池系列組件給予輸出功率十年有效保證期。從而保證了組件的質(zhì)量，大大提高了組 件的使用壽命和在各種條件下運(yùn)行的可能性。性能參見(jiàn)下表。 無(wú)污染及陽(yáng)力口危害的能源、優(yōu)良的性能、高可靠的質(zhì)量、簡(jiǎn)易的安裝，使得單（多）晶硅太陽(yáng)電池系列組件成為眾多用戶(hù)的理想選擇。目前已經(jīng)能成功的利用外延生長(zhǎng)技術(shù)制成 P－ n 結(jié)合，與傳統(tǒng)晶片材料中的 P－ n結(jié)合相比，面積減少了很多倍。有了這些特點(diǎn)更加符合大型積體電路的高速度、與高密度的要求。 非結(jié)晶硅太陽(yáng)能電池（ AMORPHOUS） 目前研究得最多，實(shí)用價(jià)值最大的非晶態(tài)半導(dǎo)體主要有兩類(lèi)：即非晶態(tài)硅和硫?qū)侔雽?dǎo)體。 晶態(tài)硅自 50 年代以來(lái)，已研制成功名目繁多、功能各異的各種光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 固態(tài)電子器件和靈巧的集成電路。非晶硅太陽(yáng)能電池是目前非晶硅材料應(yīng)用最廣泛的領(lǐng)域，也是 太陽(yáng)能電池的理想材料，光電轉(zhuǎn)換效率已達(dá)到 20％，這種太陽(yáng)能電池將成為無(wú)污染的特殊能源。 非晶硅的用途很多，可以制成非晶硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管；用于液晶顯示器件、集成式 a— Si 倒相器、集成式圖像傳感器、以及雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器等器件中作為非線性器件；利用非晶硅膜可以制成各種光敏、位敏、力敏、熱敏等傳感器；利用非晶硅膜制作靜電復(fù)印感光膜，不僅復(fù)印速率會(huì)大大提高，而且圖像清晰，使用壽命長(zhǎng)；等等。 非晶硅的制備：由非晶態(tài)合金的制備知道，要獲得非晶態(tài)，需要有高的冷卻速率，而對(duì)冷卻速率的具體要求隨材料而定。近年來(lái)，發(fā)展了許多種氣相淀積非晶態(tài)硅膜的技術(shù)，其中包括真空蒸發(fā)、輝光放電、濺射及化學(xué)氣相淀積等方法。非晶硅膜的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)與制備工藝的關(guān)系非常密切，目前認(rèn)為以輝光放電法制備的非晶硅膜質(zhì)量最好，設(shè)備也并不復(fù)雜。不同規(guī)格的產(chǎn)品有不同的電性能。 表 6－ 2 雙結(jié)非晶硅太陽(yáng)電池組件的參數(shù) 在標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量條件（ STC）下，雙結(jié)晶硅太陽(yáng)電池典型組件參數(shù)如下 型號(hào) Pm (W) Voc (V) Isc (A) Vnpp (V) 尺寸 (mm) 重量 32(42)H/G643 1253 32177。 1 58 43 643 1253 37 36(44)H/G643 1253 36177。 1 60 45 643 1253 37 40(46)H/G643 1253 40177。同時(shí)工作電壓和工作電流都比額定值高。 非晶硅太陽(yáng)電池組件的基本結(jié)構(gòu)： 光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 組件封裝包括絕緣等 8 道工序，確保了電池活性薄膜與外界隔離。 工藝流程 生產(chǎn)工藝及工藝操作說(shuō)明 單晶硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝 生產(chǎn)工藝 切片→倒角→研磨→腐蝕→拋光→清洗→組裝→再線檢測(cè)→合格品包裝→入庫(kù)→銷(xiāo)售 工藝操作要求： l、加料：將單晶硅原料放入石英坩堝內(nèi)。 縮頸生長(zhǎng)：當(dāng)硅熔體的溫度穩(wěn)定之后，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。縮頸生長(zhǎng)是將籽晶快速向上提升，使長(zhǎng)出的籽晶的直徑縮小到一定大小（ 46mm）由于位錯(cuò)線與生長(zhǎng)軸成一個(gè)交角，只要縮頸夠長(zhǎng)，位錯(cuò)便能長(zhǎng)出晶體表面，產(chǎn)生零位光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 錯(cuò)的晶體。 等徑生長(zhǎng)：長(zhǎng)完細(xì)頸和肩部之后，借著拉速與溫度的不斷調(diào)整，可使晶棒直徑維持在正 負(fù) 2mm 之間，這段直徑固定的部分即稱(chēng)為等徑部分。 尾部生長(zhǎng)：在長(zhǎng)完等徑部分之后，如果立刻將晶棒與液面分開(kāi)，那么效應(yīng)力將使得晶棒出現(xiàn)位錯(cuò)與滑移線。此問(wèn)題的發(fā)生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成 — 尖點(diǎn)而與液面分開(kāi)。長(zhǎng)完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時(shí)間后取出，即完成一次生長(zhǎng)周期。 切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶(hù)規(guī)格的部分，將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長(zhǎng)度，切取試片測(cè)量單晶硅棒的電阻率含氧量。切斷用主要進(jìn)口材料：刀片。外徑滾磨的設(shè)備：磨床。處理的設(shè)備：磨床及 X— RAY繞射儀。切片的發(fā)備：內(nèi)園切割機(jī)或線切割機(jī)。倒角 的主要設(shè)備：倒角機(jī) 1研磨：指通過(guò)研磨能除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達(dá)到一個(gè)拋光過(guò)程可以處理的規(guī)格。 1腐蝕：指經(jīng)切片及研磨等機(jī)械加工后，晶片表面受加工應(yīng)力而形成的損傷層，通常采用化學(xué)腐蝕去除。酸性腐蝕液由硝酸（ HN03），氫氟酸（ HF）及一些緩沖酸（ CH3COCH， H3P04）組成。 1拋光：指單晶硅片表面需要改善微缺陷，從而獲得高平坦度晶片的拋光。拋光的方式：粗拋：主要作用去除損傷層， — 般去除量約在 10 一 20um；精拋：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度， — 般去除量 lum 以下。 1清洗：在單晶硅片加工過(guò)程中很多步驟需要用到清洗，這里的清洗主要是拋光后的最終清洗。清洗的 方式：主要是傳統(tǒng)的 RCA濕式化學(xué)洗凈技術(shù)。 1組裝：先擺放 TPT背板，再安裝 EVA 層，在 EVA 層上放入玻光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 璃襯底，再擺放雙層絕緣層，仔細(xì)安放單體電池片，小心連接電流輸出線，然后加蓋多層絕緣層，蓋上玻璃蓋板，最后安裝四周絕緣層，將上述配件組合成一個(gè)完整的太陽(yáng)能組件。 多晶硅太陽(yáng)能電池工藝流程 ： 加料→多晶熔化→縮頸生長(zhǎng)→放肩生長(zhǎng)→等徑生長(zhǎng)→尾部生長(zhǎng)→切斷→外徑滾磨→平邊或 V 型槽處理→切片→倒角→研磨→腐蝕→拋光→清洗→組裝→再線檢測(cè)→合格品包裝→入庫(kù)→銷(xiāo)售 工藝操作要求： l、加料：將多晶硅原料及雜質(zhì)放入石英坩堝內(nèi)，雜質(zhì)的種類(lèi)依電阻的 N 或 P型而定。 熔化：加完多晶硅原料于石英堝內(nèi)后，長(zhǎng)晶爐必須關(guān)閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內(nèi)，然后打開(kāi)石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（ 1420℃）以上，將多晶硅原料熔化。由于籽晶與硅熔體場(chǎng)接觸時(shí)的熱應(yīng)力，會(huì)使籽晶產(chǎn)生位錯(cuò)，這些位錯(cuò)必須利用縮勁生長(zhǎng)使之消失掉。 放肩生長(zhǎng)：長(zhǎng)完細(xì)頸之后，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。單晶硅片取自于等徑部分。于是為了避免此間題的發(fā)生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點(diǎn)而與液面分開(kāi)。長(zhǎng)完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時(shí)間后取出，即完成一次生長(zhǎng)周期。 切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶(hù)規(guī)格的部分，將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長(zhǎng)度，切取試片測(cè)量單晶硅棒的電阻率含氧量。切斷用主 要進(jìn)口材料：刀片。外徑滾磨的設(shè)備：磨床。處理的設(shè)備：磨床及 X— RAY繞射儀。切片的設(shè)備：內(nèi)園切割機(jī)或線切割機(jī)。倒角的主要設(shè)備：倒角機(jī)。研磨的設(shè)備：研磨機(jī)（雙面研磨），主要原料：研磨漿料（主要成份為氧化鋁，鉻砂，水），滑浮液。腐蝕的方式：（ A）酸性腐蝕，是最普遍被采用的。（ B