【正文】 11 項(xiàng)目提出的背景 ......................................... 11 項(xiàng)目建設(shè)的必要性 ....................................... 13 第三章 建設(shè)地點(diǎn)及建設(shè)條件 ...................................... 16 建設(shè)地點(diǎn) .............................................. 16 建設(shè)條件 ................................. 錯(cuò)誤 !未定義書(shū)簽。 本項(xiàng)目的主要污染源及污染物 ................. 錯(cuò)誤 !未定義書(shū)簽。 光伏電源、太陽(yáng)能電池作為一種新的能源，具有無(wú)限性、可與常規(guī)電力構(gòu)架匹配以及無(wú)地域應(yīng)用限制等特點(diǎn)，成為各國(guó)政府開(kāi)發(fā)無(wú)污染、可持續(xù)發(fā)展新型能源的首選。 目前，美國(guó)和日本在世界光伏市場(chǎng)上占有最大的市場(chǎng)份額。 展望 21 世紀(jì)，世界太陽(yáng)能光伏電池市場(chǎng)將會(huì)迅猛發(fā)展，世界太陽(yáng)能光伏電池園地將在新的世紀(jì)，把能源世界點(diǎn)綴得更加春意盎然，美不勝收。 （ 2）平流層定點(diǎn)氣球平臺(tái)光伏電站，太陽(yáng)能電池光纖通訊訊號(hào)中繼加強(qiáng)站、太陽(yáng)能電池微波中繼站，高山氣象站獨(dú)立電源。 建設(shè)地點(diǎn)應(yīng)能形成一定規(guī)模，并為將來(lái)發(fā)展留有空間。太陽(yáng)能不僅是古老的能源，也是一種理想的未來(lái)能源。其它類型太陽(yáng)能電池又可分為薄膜太陽(yáng)能電池和非薄膜太陽(yáng)能電池。 非晶硅太陽(yáng)能電池 效率較高，價(jià)格最便宜，無(wú)需封裝，生產(chǎn)也最快，較易于再切割及加工。國(guó)際上，原油價(jià)格在長(zhǎng)期的高幅上揚(yáng)；在國(guó)內(nèi)，油荒、電荒在多處爆發(fā)，能源危機(jī)已被人們列為木世紀(jì)最需迫切解決的問(wèn)題，根據(jù)資料顯示，我國(guó)是僅次于美國(guó)的第二發(fā)電大國(guó)，其中照明用電總量約占總發(fā)電量的 12％，并且正以每年 5％以上的速度增長(zhǎng)。在中國(guó)國(guó)內(nèi)政府高度重視開(kāi)發(fā)和利用可再生能源，把其作為解決中國(guó)能源問(wèn)題的重要途徑。中共中央在20xx年 10 月 19 日發(fā)布的《十一五規(guī)劃建議》中明確提出：“加快發(fā)展風(fēng)能、太陽(yáng)能、生物質(zhì)能等可再生能源。中國(guó)市場(chǎng)已經(jīng)廣泛應(yīng)用到通信、廣電、交通、石油、照明等。德國(guó)從 1999年調(diào)動(dòng)“屋頂光伏計(jì)劃”，當(dāng)年安裝 70MWp， 20xx年 770MWp，平均每年增加 35MWp。銷售額達(dá)到 億歐元，比上一年的 了 1 億歐元，利潤(rùn)增加了 23％，稅后收入，比上年提高了三倍。世界能源委員會(huì)（ wEc）預(yù)測(cè)，按照資源探明儲(chǔ)量和這樣的發(fā)展速度，石油將在幾十年枯竭，天然氣將在百年內(nèi)用盡，資源量最大的煤炭也只夠一百多年開(kāi)采。目前，光伏發(fā)電已遍及我國(guó)西部各省區(qū)、以及中部和東部的部分省、市、自治區(qū)，投入總規(guī)模已經(jīng)超過(guò) 50 億元人民幣。 20xx年 9 月，無(wú)錫尚德生產(chǎn)能力達(dá)到 120兆瓦的晶體硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線正式投入運(yùn)行，當(dāng)年達(dá)到 150兆瓦；南京中電電氣第一條生產(chǎn)線也于20xx年 8 月投入運(yùn)行，年生產(chǎn)能力達(dá) 32 兆瓦，第二、三條生產(chǎn)線 20xx年全部投產(chǎn)。先從生產(chǎn)單晶硅太陽(yáng)能電池開(kāi)始，重點(diǎn)開(kāi)發(fā)生產(chǎn)非晶硅太陽(yáng)能電池為主。因此，項(xiàng)目生產(chǎn)規(guī)模也要考慮到資金條件的限制。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于海關(guān)和外經(jīng)貿(mào)部門對(duì)用多晶硅（商品編號(hào)28046190）加工生產(chǎn)單晶硅棒（商品編號(hào) 28046110）、單晶硅片（商品編號(hào) 38180011）的加工貿(mào)易企業(yè) 進(jìn)行加工貿(mào)易單耗備案，審批和核銷管理。 單、損耗標(biāo)準(zhǔn) 單晶硅棒 序號(hào) 成品名稱 成品 單位 商品編號(hào) 成品 規(guī)格 原料 名稱 原料 單位 商品編號(hào) 單耗標(biāo)準(zhǔn) （ kg） 損耗率 （％） 1 單晶硅棒 Kg 28046110 4 英寸 多晶硅 Kg 28046190 2 單晶硅棒 Kg 28046110 5 英寸 多晶硅 Kg 28046190 單晶硅棒 單晶硅拋光片 序號(hào) 成品名稱 成品 單位 商品編號(hào) 成品 規(guī)格 原料 名稱 原料 單位 商品編號(hào) 單耗標(biāo)準(zhǔn) （ kg） 損耗率 （％） 1 IC 級(jí)單晶 硅拋光片 千片 38180011 4 英寸 525um 單晶 硅棒 Kg 28046110 2 IC 級(jí)單晶 硅拋光片 千片 38180011 5 英寸 625um 單晶 硅棒 Kg 28046110 注 ： 可利用制成低檔次硅產(chǎn)品的摻堝底料、頭尾料，應(yīng)按邊角科征稅。無(wú)定形硅為灰黑色或栗色粉末，更常見(jiàn)的是無(wú)定形塊狀，它們是熱和電的不良導(dǎo)體、質(zhì)硬，主要用于冶金工業(yè)（例如鐵合金及鋁合金的生產(chǎn)）及制造硅化物。目前商業(yè)化的多晶硅依外觀可分為塊狀多晶與粒狀多晶。 單晶硅拋光片品質(zhì)規(guī)格： 單晶硅拋光片的物理性能參數(shù)同硅單晶技術(shù)參數(shù) 厚度（ T） 200－ 1200um 光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 總厚度變化（ TTV） ＜ 10um 彎曲度（ BOW） ＜ 35um 翹曲度（ WARP） ＜ 35um 單晶硅拋光片的表面 質(zhì)量：正面要求無(wú)劃道、無(wú)蝕坑、無(wú)霧、無(wú)區(qū)域沾污、無(wú)崩邊、無(wú)裂縫、無(wú)凹坑、無(wú)溝、無(wú)小丘、無(wú)刀痕等。 目前國(guó)內(nèi)主要采用 CZ 法 CZ 法主要設(shè)備： CZ生長(zhǎng)爐 CZ 法生長(zhǎng)爐的組成元件可分成四部分 ①爐體：包括石英坩堝，石墨坩堝，加熱及絕熱元件，爐壁 ②晶棒及坩堝拉升旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)：包括籽晶夾頭，吊線及拉升旋轉(zhuǎn)元件 ③氣氛壓力控制：包括氣體流量控制，真空系統(tǒng)及壓力控制閥 ④控制系統(tǒng)：包括偵測(cè)感應(yīng)器及電腦控制系統(tǒng) A．多晶硅 —— 單晶硅棒 多晶硅加工成單晶硅棒過(guò)程中：如產(chǎn)生損耗是重?fù)綀?底料、頭尾光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 料則無(wú)法再利用，只能當(dāng)成冶金行業(yè)如煉鐵、煉鋁等用作添加劑；如產(chǎn)生損耗是非重?fù)綀宓琢?、頭尾料可利用制成低檔次的硅產(chǎn)品，此部分應(yīng)按邊角料征稅。 例： 此外，由于單晶硅的電阻率范圍、電阻率均勻性、雜質(zhì)種類、缺陷狀態(tài)等參數(shù)在不同客戶的要求下，都會(huì)對(duì)成品的實(shí)收率有影響，即使是同一規(guī)格的產(chǎn)品，不同廠家生產(chǎn)該產(chǎn)品的合格率也會(huì)不同。工作無(wú)噪音、無(wú)污染、不需要使用燃料，長(zhǎng)期使用可靠性高。 光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 表 6－ 1 單（多）晶硅太陽(yáng)電池組件表 測(cè)試條件（ STC） :,100mw/cm2， 25℃ 型號(hào) 電池材料 Pm（ W） Vmpp(V) 尺寸 (mm) 15P()343 358 多晶硅 15W 343 358 20P()343 473 多晶硅 20W 343 473 28P()343 683 多晶硅 28W 343 683 58P()433 973 多晶硅 58W 433 973 120 P ()633 1393 多晶硅 120W 633 1393 85D()533 1173 單晶硅 85W 533 1173 晶體硅太陽(yáng)能 電池：太陽(yáng)能電池實(shí)用化的最重要的問(wèn)題，就是要開(kāi)發(fā)出性能與價(jià)格比“能更高的晶片”，實(shí)際上太陽(yáng)能電池成份中參與光電轉(zhuǎn)換的，僅是半導(dǎo)體表面上幾微米的薄薄一層。非晶硅（ a— Si： H）是一種新興的半導(dǎo)體薄膜材料，它作為一種新能源材料和電子信息新材料，自 70年代問(wèn)世以來(lái)，取得了迅猛發(fā)展。一般所用的主要原料是單硅烷（ SiH4）、二硅烷（ Si2H6）、四氟化硅（ SiF4）等，純度要求很高。 1 59 44 643 1253 37 38(45)H/G643 1253 38177。 熔化：加完單晶硅原料于石英堝內(nèi)后，長(zhǎng)晶爐必須關(guān)閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內(nèi)，然后打開(kāi)石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（ 1420℃）以上，將單晶硅原料熔化。于是為了避免。 外徑磨削：由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過(guò)外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。研磨的設(shè)備：研磨機(jī)（雙面研磨），主要原料：研磨漿料（主要成份為氧化鋁，鉻砂，水），滑浮液。主要原料：拋光液由具有 Si02 的微細(xì)懸硅酸膠及 NaOH（或 KOH 或 NH40H）組成，分為粗拋漿和精拋漿。雜質(zhì)種類有硼，磷，銻，砷。 尾部生長(zhǎng)：在長(zhǎng)完等徑部分之后，如果立刻將晶棒與液面分開(kāi)，那么效應(yīng)力將使得晶棒出現(xiàn)位錯(cuò)與滑移線。 外徑磨削：由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過(guò)外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。 1研磨：指通過(guò)研磨能除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達(dá)到一個(gè)拋光過(guò)程可以處理的規(guī)格。 1腐蝕：指經(jīng)切片及研磨等機(jī)械加工后，晶片表面受加工應(yīng)力而形成的損傷層，通常采用化學(xué)腐蝕去除。 平邊或 V 型槽處理：指方位及指定加工，用以單晶硅捧上的特定結(jié)晶方向平邊或 V型。這一過(guò)程稱之為尾部生長(zhǎng)。 縮 頸生長(zhǎng)：當(dāng)硅熔體的溫度穩(wěn)定之后，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。腐蝕的方式：（ A）：酸性腐蝕，是最普遍被采用的。 平邊或 V 型槽處理：指方位及指定加工，用以單晶硅捧上的特定結(jié)晶方向平邊或 V型。這一過(guò)程稱之為尾部生長(zhǎng)。由于籽晶與硅熔體場(chǎng)接觸時(shí)的熱應(yīng)力，會(huì)使籽晶產(chǎn)生位錯(cuò)，這些位錯(cuò)必須利用縮勁生長(zhǎng)使之消失掉。 1 61 46 643 1253 37 表 63 電池組件其他特性 組件系統(tǒng)電壓 600V 組件測(cè)試條件 ,100mw/cm2， 250℃ 組件使用溫度 － 40℃至＋ 55℃ 組件溫度系數(shù) 功 率 － %／℃ 開(kāi)路電壓 － %／℃ 短路電流 ＋ %／℃ 電池出廠時(shí)，產(chǎn)品初始實(shí)際功率比標(biāo)稱功率高出 15%－ 20%。 光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 生產(chǎn)的非晶硅太陽(yáng)電池組件在標(biāo)準(zhǔn)測(cè) 試條件（ STC）下，其系列額定功率穩(wěn)定值為： 32W， 34W， 36W， 38W 和 40W。與晶態(tài)硅太陽(yáng)能電池相比，它具有制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，原材料消耗少，價(jià)格比較便宜等優(yōu)點(diǎn)。用此種 Pn 結(jié)合制作積體電路可大量減少寄生電容與基片和布線間的電容，較利於高速化，又組件之間的間隔減少，也利于高密度化，組件之間沒(méi)有相到影響，更便於設(shè)計(jì)和布置。 單（多）晶硅太陽(yáng)電池系列組件全部采用國(guó)外著名公司生產(chǎn)的單體電池片與 TPT背板。 項(xiàng)目 4 英寸 5 英寸 標(biāo)稱直徑 100mm 125mm 拉晶直徑 106mm 131mm 磨削損耗 % % 拉制參考損耗 % % 合計(jì)損耗 % % 光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 從多晶硅 單昌硅棒總損耗率： 4英寸約為 % 5 英寸約為 % B、單晶硅棒 — 單晶硅拋光片 單晶硅棒加工成單晶硅拋光片過(guò)程中損耗主要在切片工序，如采用內(nèi)園切割機(jī)在切割過(guò)程中由于刀片的研磨及切片過(guò)程中刀片的擺動(dòng)造成，此間的損耗約 34%－ 35%，如采用線切割機(jī)則損耗較小。雜質(zhì)的種類依電阻的 N 或 P型）放入石英坩堝內(nèi)溶化而成的料。 （ 2）加工工藝 多晶硅加工成單晶硅棒： 多晶硅長(zhǎng)晶法即長(zhǎng)成單晶硅棒法有二種： CZ（ Czochralski）法 FZ（ FloatZone Technique）法 目前超過(guò) 98%的電子元件材料全部使用單晶硅。 多晶硅的檢測(cè)： 主要檢測(cè)參數(shù)為電阻率、碳濃度、 N 型少數(shù)載流子壽命；外型主要是塊狀的大小程度；結(jié)構(gòu)方面要求無(wú)氧化夾層；表面需要經(jīng)過(guò)酸腐蝕，結(jié)構(gòu)需致密、平整，多晶硅的外觀應(yīng)無(wú)色斑、變色，無(wú)可見(jiàn)的污染物。高純度的金屬硅（≥ ％）是生產(chǎn)半導(dǎo)體的材料，也是電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料。 單晶硅棒、單晶硅片加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)編制說(shuō)明 任務(wù)來(lái)源 為加強(qiáng)加工貿(mào)易單耗管理，規(guī)范和完善海關(guān)和外經(jīng)貿(mào)管理部門對(duì)單耗審批、備案、核銷，落實(shí)國(guó)務(wù)院關(guān)于加強(qiáng)對(duì)加工貿(mào)易管理的政策措施，打擊偽報(bào)單耗的不法行為，促進(jìn)加工貿(mào)易的健康發(fā)展，根據(jù)加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)制定工作聯(lián)絡(luò)小組 工作計(jì)劃，制定單晶硅棒、單晶硅片加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)。（包括凈耗和工藝損耗） 單晶硅棒加工單晶硅片凈耗指：在正常生產(chǎn)條件下，物化在每干片單晶硅片中單晶硅棒的質(zhì)量（ kg）。因此，本項(xiàng)目第一期生產(chǎn)規(guī)模確定為 20MW/年，第二期為 40MW/年，第三期為 60MW/年。公司投產(chǎn)后，在生產(chǎn)單晶硅太陽(yáng)能電池和多晶硅太陽(yáng)能電池的同時(shí)，將把非晶硅太陽(yáng)能電池作為研究開(kāi)發(fā)的重點(diǎn)。加其他企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)數(shù)字， 20xx 年，國(guó)內(nèi)光伏企業(yè)年生產(chǎn)能力已經(jīng)達(dá)到 350 兆瓦。與此相同，我國(guó)產(chǎn)品生產(chǎn)、推廣的根本問(wèn)題也集結(jié)于此。 1973 年開(kāi)始將太陽(yáng)能電池用于地面。 SUNPOWER公司 SunPower 公司制造的太陽(yáng)能電力產(chǎn)品，包括太陽(yáng)能電池、面板和整流器，該公司產(chǎn)品能將太陽(yáng)光轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏?，該公司目前鎖定住宅光伏電源系統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 和商業(yè)應(yīng)用范圍。太陽(yáng)能之所以引起全世界的關(guān)注，一個(gè)重要原因是：由于這些年來(lái)人們對(duì)太陽(yáng)能光電池 所做的努力，已經(jīng)使多晶硅光電池轉(zhuǎn)化率達(dá)到 15％，單晶硅光電池轉(zhuǎn)化率是 20％，非晶硅砷化鎵光電池是 25％，在實(shí)驗(yàn)室中特制的砷化鎵光電池甚至已高達(dá) 35％ 36％ ! 日本太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)政策規(guī)劃目標(biāo)，為 20xx 年日本國(guó)內(nèi)市場(chǎng)達(dá)到發(fā)電能