【正文】 求。因此，本項(xiàng)目第一期生產(chǎn)規(guī)模確定為 20MW/年，第二期為 40MW/年，第三期為 60MW/年。 產(chǎn)品方案及產(chǎn)量 項(xiàng)目擬生產(chǎn)單晶硅電池、多晶硅電池和非晶硅電池，產(chǎn)品方案及產(chǎn)量見下表 51。 表 51 產(chǎn)品方案及產(chǎn)量表 產(chǎn)品名稱 單位 產(chǎn)量 備注 單晶硅電池 MW/年 2 多晶硅電池 MW/年 1 非晶硅電池 MW/年 2 家用電源系統(tǒng) 臺 /年 5000 光伏電源系統(tǒng)太陽能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 產(chǎn)品質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) 太陽能電池的質(zhì)量技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，國內(nèi)統(tǒng)一 采用國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn)法規(guī)。太陽能電池執(zhí)行國標(biāo) HDB/YD00320xx。本標(biāo)準(zhǔn)中主要質(zhì)量指標(biāo)見下表 5 5 54。 表 52 單晶硅電池的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) 序號 項(xiàng)目名稱 指標(biāo) 備注 1 基本材料 P 型單晶硅 2 厚度（ц m） ≤ 300 3 開路電壓（ mV） ≥ 596 4 短路電流（ A）： ≥ 5 最佳電壓（ mV）： ≥ 496 6 最佳電流（ A）： ≥ 7 轉(zhuǎn)換效率： % 表 53 多晶硅電池的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) 序號 項(xiàng)目名稱 指標(biāo) 備注 1 基本材料 P 型多晶硅 2 厚度（ц m） ≤ 300 3 開路電壓（ mV） ≥ 596 4 短路電流（ A）： ≥ 5 最佳電壓（ mV）： ≥ 496 6 最佳電流（ A）： ≥ 7 轉(zhuǎn)換效率： % 表 54 非晶硅電池的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) 序號 項(xiàng)目名稱 指標(biāo) 備注 1 基本材料 非晶態(tài)合金 2 厚度（ц m） ≤ 5 3 開路電壓（ mV） ≥ 596 4 短路電流（ A）： ≥ 5 最佳電壓（ mV）： ≥ 496 6 最佳電流（ A）： ≥ 7 轉(zhuǎn)換效率： % 光伏電源系統(tǒng)太陽能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 《單晶硅棒、單晶硅片加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn) (H1)B／ YD003— 20xx)》 范圍 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了以多晶硅（商品編號 28046190）為主要原料加工制成 4 英寸、 5 英寸；單晶硅棒（商品編號 28046110）和單晶硅片（商品編號 38180011）的加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于海關(guān)和外經(jīng)貿(mào)部門對用多晶硅（商品編號28046190）加工生產(chǎn)單晶硅棒（商品編號 28046110）、單晶硅片（商品編號 38180011）的加工貿(mào)易企業(yè) 進(jìn)行加工貿(mào)易單耗備案，審批和核銷管理。 定義 本標(biāo)準(zhǔn)采用以下定義： 多晶硅加工單晶硅棒單耗指：在正常生產(chǎn)條件下耗用多晶硅質(zhì)量（ kg）。（包括凈耗和工藝損耗） 單晶硅棒加工單晶硅片凈耗指：在正常生產(chǎn)條件下，物化在每干片單晶硅片中單晶硅棒的質(zhì)量（ kg）。 多晶硅加工單晶硅棒損耗率（％）：單晶硅棒在正常加工過程中，因生產(chǎn)工藝所必需但不能物化在成品中的多晶硅耗用量占多晶硅投入量的百分比。 單晶硅棒加工單晶硅片損耗率（％）：單晶硅片在正常加工過程中，因生產(chǎn)工藝所必需但不能物化在成品中的單晶硅棒耗用量占單晶硅棒投入 量的百分比。 單、損耗標(biāo)準(zhǔn) 原料的品質(zhì)規(guī)格 原料品質(zhì)為免洗料，符合相關(guān)國內(nèi)或國際行業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定及合同對產(chǎn)品質(zhì)級的認(rèn)定。 成品的品質(zhì)規(guī)格 單晶硅棒品質(zhì)規(guī)格：該單耗標(biāo)準(zhǔn)對原料適用于相關(guān) GB/T12962－光伏電源系統(tǒng)太陽能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 1996 國家標(biāo)準(zhǔn)及合同對單晶硅棒質(zhì)級的認(rèn)定。 單晶硅拋光片品質(zhì)規(guī)格：該單耗標(biāo)準(zhǔn)適用于相關(guān) GB/T12964－1996 國家標(biāo)準(zhǔn)及合同對單晶硅拋光片質(zhì)級的認(rèn)定。 單、損耗標(biāo)準(zhǔn) 單晶硅棒 序號 成品名稱 成品 單位 商品編號 成品 規(guī)格 原料 名稱 原料 單位 商品編號 單耗標(biāo)準(zhǔn) （ kg） 損耗率 （％） 1 單晶硅棒 Kg 28046110 4 英寸 多晶硅 Kg 28046190 2 單晶硅棒 Kg 28046110 5 英寸 多晶硅 Kg 28046190 單晶硅棒 單晶硅拋光片 序號 成品名稱 成品 單位 商品編號 成品 規(guī)格 原料 名稱 原料 單位 商品編號 單耗標(biāo)準(zhǔn) （ kg） 損耗率 （％） 1 IC 級單晶 硅拋光片 千片 38180011 4 英寸 525um 單晶 硅棒 Kg 28046110 2 IC 級單晶 硅拋光片 千片 38180011 5 英寸 625um 單晶 硅棒 Kg 28046110 注 ： 可利用制成低檔次硅產(chǎn)品的摻堝底料、頭尾料，應(yīng)按邊角科征稅。 用線切割機(jī)，損耗較小。 單晶硅棒、單晶硅片加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)編制說明 任務(wù)來源 為加強(qiáng)加工貿(mào)易單耗管理，規(guī)范和完善海關(guān)和外經(jīng)貿(mào)管理部門對單耗審批、備案、核銷，落實(shí)國務(wù)院關(guān)于加強(qiáng)對加工貿(mào)易管理的政策措施，打擊偽報(bào)單耗的不法行為，促進(jìn)加工貿(mào)易的健康發(fā)展，根據(jù)加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)制定工作聯(lián)絡(luò)小組 工作計(jì)劃，制定單晶硅棒、單晶硅片加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)。 本標(biāo)準(zhǔn)由海關(guān)總署關(guān)稅征管司委托上海海關(guān)負(fù)責(zé)起草制定。由海關(guān)總署關(guān)稅征管司、國家經(jīng)貿(mào)委外經(jīng)司和國家信息產(chǎn)業(yè)部組織相關(guān)工業(yè)協(xié)會及企業(yè)的工藝、技術(shù)專家和有關(guān)海關(guān)加工貿(mào)易保稅專業(yè)技術(shù)人光伏電源系統(tǒng)太陽能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 員進(jìn)行審定。 2 制定單耗標(biāo)準(zhǔn)的原則 單耗標(biāo)準(zhǔn)的制定原則是以國家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)或該類加工企業(yè)平均水平為基礎(chǔ)，貫徹國家有關(guān)產(chǎn)業(yè)和外貿(mào)政策，符合我國加工貿(mào)易生產(chǎn)實(shí)際，有利于加工貿(mào)易企業(yè)技術(shù)進(jìn)步和公平競爭，便于海關(guān)有效監(jiān)管和相關(guān)單耗數(shù)據(jù)信息的使用和維護(hù)。 3 編制過程 根據(jù)現(xiàn)階段生產(chǎn)單晶 硅棒、單晶硅片加工工藝和主要加工企業(yè)的生產(chǎn)技術(shù)水平，結(jié)合國內(nèi)外同行業(yè)加工貿(mào)易生產(chǎn)實(shí)際，制定本單耗標(biāo)準(zhǔn)。 技術(shù)論證及適用范圍 （ 1） 成品和主要原料的商品知識 單質(zhì)硅有無定形及晶體兩種。無定形硅為灰黑色或栗色粉末，更常見的是無定形塊狀，它們是熱和電的不良導(dǎo)體、質(zhì)硬，主要用于冶金工業(yè)（例如鐵合金及鋁合金的生產(chǎn)）及制造硅化物。晶體硅是銀灰色，有金屬光澤的晶體，能導(dǎo)電（但導(dǎo)電率不及金屬）故又稱為金屬硅。高純度的金屬硅（≥ ％）是生產(chǎn)半導(dǎo)體的材料，也是電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料。摻雜有微量硼、磷等元素的單晶硅 可用于制造二極管、晶體管及其他半導(dǎo)體器件。 由于半導(dǎo)體技術(shù)不斷向高集成度，高性能，低成本和系統(tǒng)化方向發(fā)展，半導(dǎo)體在國民經(jīng)濟(jì)各領(lǐng)域中的應(yīng)用更加廣泛。單晶硅片按使用性質(zhì)可分為兩大類：生產(chǎn)用硅片；測試用硅片。 半導(dǎo)體元件所使用的單晶硅片系采用多晶硅原料再經(jīng)由單晶生長技術(shù)所生產(chǎn)出來的。多晶硅所使用的原材料來自硅砂（二氧化硅）。目前商業(yè)化的多晶硅依外觀可分為塊狀多晶與粒狀多晶。 多晶硅的品質(zhì)規(guī)格： 多晶硅按外形可分為塊狀多晶硅和棒狀多晶硅；等級分為一、二、光伏電源系統(tǒng)太陽能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 三級免洗料。 多晶硅的檢測： 主要檢測參數(shù)為電阻率、碳濃度、 N 型少數(shù)載流子壽命；外型主要是塊狀的大小程度；結(jié)構(gòu)方面要求無氧化夾層；表面需要經(jīng)過酸腐蝕，結(jié)構(gòu)需致密、平整，多晶硅的外觀應(yīng)無色斑、變色，無可見的污染物。對于特殊要求的，還需要進(jìn)行體內(nèi)金屬雜質(zhì)含量的檢測。 單晶硅棒品質(zhì)規(guī)格： 單晶硅棒的主要技術(shù)參數(shù) 型號 P 型或 N 型 晶向 111100 電阻率 電阻率均勻性 25% 位錯(cuò)密度 無位錯(cuò) OISF 密度 500cm2 氧含量 根據(jù)客戶要求 碳含量 1ppma 主參考面取向?qū)挾? 根據(jù)客戶要求 其中電阻率、 OISF 密度、以及碳含 量是衡量單晶硅棒等級的關(guān)鍵參數(shù)，這些參數(shù)在單晶成型后即定型，無法在此后的加工中進(jìn)行改變。 測試方法： 電阻率：用四探針法。 OISF 密度：利用氧化誘生法在高溫、高潔凈的爐管中氧化，再經(jīng)過腐蝕后觀察其密度進(jìn)行報(bào)數(shù)。 碳含量：利用紅外分光光度計(jì)進(jìn)行檢測。 單晶硅拋光片品質(zhì)規(guī)格： 單晶硅拋光片的物理性能參數(shù)同硅單晶技術(shù)參數(shù) 厚度（ T） 200－ 1200um 光伏電源系統(tǒng)太陽能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 總厚度變化（ TTV） ＜ 10um 彎曲度（ BOW） ＜ 35um 翹曲度（ WARP） ＜ 35um 單晶硅拋光片的表面 質(zhì)量：正面要求無劃道、無蝕坑、無霧、無區(qū)域沾污、無崩邊、無裂縫、無凹坑、無溝、無小丘、無刀痕等。背面要求無區(qū)域沾污、無崩邊、無裂縫、無刀痕。 （ 2）加工工藝 多晶硅加工成單晶硅棒： 多晶硅長晶法即長成單晶硅棒法有二種： CZ（ Czochralski）法 FZ（ FloatZone Technique）法 目前超過 98%的電子元件材料全部使用單晶硅。其中用 CZ 法占了約 85%，其他部分則是由浮融法 FZ 生長法。 CZ 法生長出的單晶硅，用在生產(chǎn)低功率的集成電路元件。而 FZ 法生長出的單晶硅則主要用在高功率的電子元件。 CZ 法所以比 FZ 法更普遍被半導(dǎo)體工業(yè)采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片強(qiáng)化的優(yōu)點(diǎn)。另外一個(gè)原因是 CZ法比 FZ 法更容易生產(chǎn)出大尺寸的單晶硅棒。 目前國內(nèi)主要采用 CZ 法 CZ 法主要設(shè)備： CZ生長爐 CZ 法生長爐的組成元件可分成四部分 ①爐體：包括石英坩堝，石墨坩堝，加熱及絕熱元件，爐壁 ②晶棒及坩堝拉升旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)：包括籽晶夾頭，吊線及拉升旋轉(zhuǎn)元件 ③氣氛壓力控制：包括氣體流量控制，真空系統(tǒng)及壓力控制閥 ④控制系統(tǒng)：包括偵測感應(yīng)器及電腦控制系統(tǒng) A．多晶硅 —— 單晶硅棒 多晶硅加工成單晶硅棒過程中：如產(chǎn)生損耗是重?fù)綀?底料、頭尾光伏電源系統(tǒng)太陽能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 料則無法再利用，只能當(dāng)成冶金行業(yè)如煉鐵、煉鋁等用作添加劑；如產(chǎn)生損耗是非重?fù)綀宓琢稀㈩^尾料可利用制成低檔次的硅產(chǎn)品，此部分應(yīng)按邊角料征稅。 重?fù)搅鲜侵笇⒍嗑Ч柙霞敖咏柡土康碾s質(zhì)（種類有硼，磷，銻，砷。雜質(zhì)的種類依電阻的 N 或 P型）放入石英坩堝內(nèi)溶化而成的料。 重?fù)搅现饕糜谏a(chǎn)低電阻率（電阻率 0． 011 歐姆／厘米）的硅片。 損耗：單晶拉制完畢后的堝底料約 15％。 單晶硅棒整形過程中的頭尾料約 20％。 單晶整形過程中（外徑磨削工序）由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規(guī)定的直徑 規(guī)格大，通過外徑磨削可以獲得較為精確的直徑。損耗約 10％ — 13％。 例： 此外，由于單晶硅的電阻率范圍、電阻率均勻性、雜質(zhì)種類、缺陷狀態(tài)等參數(shù)在不同客戶的要求下，都會對成品的實(shí)收率有影響，即使是同一規(guī)格的產(chǎn)品，不同廠家生產(chǎn)該產(chǎn)品的合格率也會不同。一般來講，由于晶體質(zhì)量原因造成的損耗率為 %。 項(xiàng)目 4 英寸 5 英寸 標(biāo)稱直徑 100mm 125mm 拉晶直徑 106mm 131mm 磨削損耗 % % 拉制參考損耗 % % 合計(jì)損耗 % % 光伏電源系統(tǒng)太陽能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 從多晶硅 單昌硅棒總損耗率： 4英寸約為 % 5 英寸約為 % B、單晶硅棒 — 單晶硅拋光片 單晶硅棒加工成單晶硅拋光片過程中損耗主要在切片工序，如采用內(nèi)園切割機(jī)在切割過程中由于刀片的研磨及切片過程中刀片的擺動造成，此間的損耗約 34%－ 35%，如采用線切割機(jī)則損耗較小。 例： 項(xiàng)目 4 英寸 5 英寸 切片刀厚 310＋ 25 380＋ 25 硅片厚度 650 750 損耗率 34% 35% 其他工序的凈損耗從切片到最終拋光，此間耗約 %－ %。 例： 項(xiàng)目 4 英寸 5 英寸 切片刀厚 650 750 硅片厚度 525 625 損耗率 % % 從單晶硅棒到拋光片的損耗還包括切片過程中的崩邊、裂縫 ,磨片過程中的碎片和缺口，堿腐蝕過程中的沾污、花斑、拋光等過程中的碎片劃傷造成的損耗，具體如下：切片 5%、倒角 1%、磨片 5%、腐蝕 2%、退火 2%、拋光 5%、清洗 2%，此間損耗率約為 20%。 從單晶硅棒 —— 單晶硅拋光片的總損耗率： 4英寸約為 % 5 英寸約為 % 光伏電源系統(tǒng)太陽能電池生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告 第六章 工藝技術(shù)方案 工藝 技術(shù)方案的選擇 工廠擬對國外先進(jìn)技術(shù)加以改造成為適合國情的生產(chǎn)技術(shù)。具體的操作方法為以選用國產(chǎn)設(shè)備為主，關(guān)鍵的進(jìn)口設(shè)備為輔的方式來建設(shè)生產(chǎn)線。 晶體（單、多）硅太陽能電池（ SINGLECRYSTAL 、POLYCRYSTAL） 晶體硅太陽電池組件，能夠高效的將太陽能轉(zhuǎn)換為電能。工作無噪音、無污染、不需要使用燃料，長期使用可靠性高。單（多）晶硅太陽電池系列組件給予輸出功率十年有效保證期。 單（多）晶硅太陽電池系列組件全部采用國外著名公司生產(chǎn)的單體電池片與 TPT背板。從而保證了組件的質(zhì)量，大大提高了組 件的使用壽命和在各種條件下運(yùn)行的可能性。它特有的加工工藝能夠顯著提高太陽電池吸收光的能力，并高效的轉(zhuǎn)換成電能，提高了