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常用電子元器件識(shí)別與檢測(cè)-閱讀頁

2025-01-10 23:04本頁面
  

【正文】 ( 4)磁性天線(高頻變壓器) 學(xué)一學(xué) 變壓器的基本知識(shí) ( 1)變壓比 它有兩種表示方式,一種只說明比值,如 1: 2;另一種則同時(shí)說明額定電壓,如 220V/36V表示原邊額定電壓為 220V,副邊電壓為 36V。( 2)額定功率 額定功率的容量單位用 V 變壓器的各繞組間、各繞組與鐵心之間并不是理想的絕緣,當(dāng)外加電壓時(shí)總有漏電流存在,絕緣電阻是施加的電壓與漏電流的比值。 晶體管的識(shí)別、檢測(cè) 半導(dǎo)體二極管重點(diǎn): PN結(jié)單向?qū)щ娦?、二極管伏安特性、主要參數(shù)一 .半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)二極管由半導(dǎo)體材料制成半導(dǎo)體:導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一種物質(zhì)。這種接法稱為二極管外加 正偏電壓正偏時(shí), 二極管呈小電阻,電路中有較大電流通過二極管的正極接電源負(fù)端,負(fù)極接電源正端, PN結(jié) 截止。超過死區(qū)電壓后,二極管中電流開始增大二極管在電路中相當(dāng)于開關(guān)接通狀態(tài)反向特性:反向微電流區(qū)( 0C段):二極管兩端加反向電壓小于某一數(shù)值時(shí),二極管并不是理想的截止,它會(huì)有很小的反向電流,且反向電流在一定范圍內(nèi)基本不隨反向電壓變化而變化,稱為反向飽和電流(一般硅管約為幾到幾十 μA ,鍺管約為幾十到幾百 μA )。反向擊穿:當(dāng)反向電壓增大至某一數(shù)值后,反向電流開始急劇增大( D點(diǎn)),二極管將被擊穿,有可能把二極管燒壞。超過這一數(shù)值二極管將因 過熱而燒壞 。選用時(shí)應(yīng)保證反向電壓在任何情況下都不要 超過這一數(shù)值,以避免二極管 被反向擊穿此外,還有正向壓降、反向電流、工作頻率等參數(shù) 五 .特殊二極管的作用利用 PN結(jié)的單向?qū)щ娦蕴攸c(diǎn)工作:整流二極管、檢波二極管、開關(guān)二極管等。穩(wěn)壓原理:利用二極管反向擊穿時(shí)通過管子的電流在很大范圍內(nèi)變化,而管子兩端的電壓卻幾乎不變的特點(diǎn)實(shí)現(xiàn)的 (LED)發(fā)光二極管的 PN結(jié)是工作在 正向偏置 狀態(tài)用特殊的半導(dǎo)體材料,如砷化鎵等制成的正向特性比較特殊, 相 當(dāng)部分 LED工作電流 為10mA30mA左右時(shí), 正向電壓 降約為 實(shí)際應(yīng)用中需要在外電路 串聯(lián)一個(gè)限流電阻 ,對(duì)反向電流加以限制,使穩(wěn)壓管能安全工作 。發(fā)射部分的主要元件為紅外發(fā)光 二極管 。v 接收部分的紅外接收管是一種光敏二極管。紅外發(fā)光二極管一般有圓形和方形兩種。它是以光為媒介來傳輸電信號(hào)的器件,通常把發(fā)光器(紅外線發(fā)光二極管 LED)與受光器(光敏半導(dǎo)體管)封裝在同一管殼內(nèi)。以光為媒介把輸入端信號(hào)耦合到輸出端的光電耦合器,由于它具有體積小、壽命長(zhǎng)、無觸點(diǎn),抗干擾能力強(qiáng),輸出和輸入之間絕緣,單向傳輸信號(hào)等優(yōu)點(diǎn),在數(shù)字電路上獲得廣泛的應(yīng)用。共陽數(shù)碼管是指將所有發(fā)光二極管的陽極接到一起形成公共陽極 (COM)的數(shù)碼管。當(dāng)某一字段的陰極為高電平時(shí),相應(yīng)字段就不亮。共陰數(shù)碼管在應(yīng)用時(shí)應(yīng)將公共極 COM接到地線 GND上,當(dāng)某一字段發(fā)光二極管的陽極為高電平時(shí),相應(yīng)字段就點(diǎn)亮。 晶振v 晶振一般叫做 晶體諧振器 ,是一種機(jī)電器件,是用電損耗很小的石英晶體經(jīng)精密切割磨削并鍍上電極焊上引線做成。他們有一個(gè)很重要的特點(diǎn),其振蕩頻率與他們的形狀,材料,切割方向等密切相關(guān)。 液晶 液晶是一種幾乎完全透明的物質(zhì),同時(shí)呈現(xiàn)固體與液體的某些特征。光線穿透液晶的路徑由構(gòu)成它的分子排列決定,這是固體的一種特征?! ? 主要參數(shù):顯示性能、工作電壓、存儲(chǔ)和使用溫度液晶散熱片v 散熱器是用來傳導(dǎo)、釋放熱量的一系列裝置的統(tǒng)稱。circuit如果在某樣設(shè)備中有電子零件,那么它們也都是鑲在大小各異的 pcb上。隨著電子設(shè)備越來越復(fù)雜,需要的零件越來越多, pcb上頭的線路萬能板5≤ 5≤ 5≤ 5≤ 5≤ 5≤ 5≤ 5≤ 5≤ 5≤ 20≤ 20≤ 1≤ 200≤ (181。硅: V 導(dǎo)通壓降死區(qū)電壓IU0 硅: V 二極管的伏安特性 曲線(3) 反向擊穿特性反向擊穿電壓 UBR鍺: 鍺: V鍺 半導(dǎo)體三極管重點(diǎn):三極管放大作用、特性曲線 及開關(guān)特性三極管具有電流放大作用 !一 .半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)和符號(hào):一塊半導(dǎo)體基片上,形成 兩個(gè) PN結(jié) 、三個(gè)導(dǎo)電區(qū) ,分別引出 三個(gè)電極 。兩邊分別是 發(fā)射區(qū) 和集電區(qū) ,分別引出的電極為 發(fā)射極 E和 集電極 C。作放大器件使用時(shí)發(fā)射極和集電極是 不能互換 的二 .三極管的 電流放大作用發(fā)射結(jié)加正向電壓,集電結(jié)加反向電壓三個(gè)電極的電位關(guān)系應(yīng)如右圖記?。喊l(fā)射極箭頭方向即 PN結(jié)正偏方向 ,也指示電流的流向:( 測(cè)量 IB、 IC、 IE,并研究它們之間的相互關(guān)系)結(jié)論: IE=IC+IB1)三個(gè)電流符合基爾霍夫電流定律2)對(duì)一個(gè)確定的三極管, IC與 IB的比值基本不變3)基極電流的微小變化 ( △ IB)能引起集電極電流的較大變化( △ IC)4)基極開路時(shí)(即 IB=0), IC不為零。即當(dāng) VCE一定時(shí), IB與 VBE之間的關(guān)系與二極管正向特性相似,也有一段死區(qū)電壓(硅管約 ,鍺管約 )。當(dāng) VCE增大時(shí)輸入特性曲線會(huì)向右平移,但 VCE大于 2V后,該曲線基本不再向右平移而趨于重合 。 IC不隨 IB變化,稱為集電極飽和電流記作 ICS , ICS主要由外電路決定。課堂練習(xí):判斷圖示的各三極管工作在什么狀態(tài)?并說明各三極管的管型?;鶚O: 3腳發(fā)射極: 1腳集電極: 2腳NPN型 鍺管基極: 2腳發(fā)射極: 1腳集電極: 3腳NPN型 硅管基極: 2腳發(fā)射極: 3腳集電極: 1腳PNP型 鍺管四 . 三極管的主要參數(shù) β 三極管工作點(diǎn)附近集電極電流變化量與相應(yīng)的基極電流變化量之比2. 集電極 發(fā)射極穿透電流 ICEOICEO不受 IB控制,且 ICEO對(duì)溫度變化較敏感,所以希望ICEO越小越好,以免影響放大電路的穩(wěn)定性。3. 極限參數(shù) 三極管正常工作時(shí),所允許的最大電流、電壓和功率等(1)集電極最大的允許電流 ICM;工作時(shí) IC若 超過ICM,三極管的 β 值將 明顯下降 。(2)集電極 發(fā)射極反向擊穿電壓 V(BR)CEO;工作時(shí),VCE應(yīng) 小于此值 , 以免擊穿 。(3)集電極最大耗散功率 PCM 使用中 特別注意 ICM和 VCE決不能同時(shí)達(dá)到或超過規(guī)定的 ICM和 V(BR)CEO,否則它們的乘積將超過 PCM很多,使三極管過熱而損壞三極管:IC不能超過 ICM,電壓 UCE不能超過U(BR)CEO,IC和 UCE的乘積不能超過 PCM,三極管的 安全工作區(qū) 如圖所示。A)    (V)   (mA)  (mW)型號(hào)幾種常見三極管的主要參數(shù) 1. 三極管 的參數(shù)⑴ 、判 別 基極及 類 型  ?。?NPN? PNP?) ( 1K?擋) 將某一表 筆 (稱之 為 第一支 筆 )碰某一 電 極,再用另一表 筆 去碰其它兩 電 極,若 測(cè) 出的阻 值 都很小或很大, 對(duì)調(diào) 表 筆 后又都 變?yōu)?很大或很小, 則 第一支 筆 所碰 電 極 為 基極。例如 黑 筆 (第一支 筆 )接 b,紅 筆     阻 值 小     NPN管    確定基極后,在 b、 c間 加人體 電 阻,看哪一次指 針 偏 轉(zhuǎn)大?  大者黑 筆 為 NPN管 c極, 紅 筆 為 e極; 或大者 紅 筆 為 NPN管 c極,黑 筆 為 e極。增加。 UP(峰點(diǎn)電壓峰點(diǎn)電壓 ):: 單結(jié)管由截止變導(dǎo)通 所需發(fā)射極電壓 。阻。時(shí)恢復(fù)截止。不同。谷點(diǎn)電壓大約在 2 ~ 5V之間。 單結(jié)晶體管觸發(fā)電路單結(jié)晶體管觸發(fā)電路1. 振蕩電路振蕩電路單結(jié)晶體管弛張振蕩電路單結(jié)晶體管弛張振蕩電路 單結(jié)晶體管弛張單結(jié)晶體管弛張振蕩電路利用單結(jié)管振蕩電路利用單結(jié)管的負(fù)阻特性及的負(fù)阻特性及 RC電路電路的充放電特性組成頻的充放電特性組成頻率可調(diào)的振蕩電路。ugR2R1RUucE +C+__+_50?100k?300?0. 47?FugR2R1RUuCE +C+__+_50?100k?300?0. 47?F2. 振蕩過程分析振蕩過程分析設(shè)通電前設(shè)通電前 uC=0。充電。逐漸升高。上得到一脈沖電壓。(a)(b)注意:注意: R值不能選值不能選的太小,否則單結(jié)的太小,否則單結(jié)管不能關(guān)斷,電路管不能關(guān)斷,電路亦不能振蕩亦不能振蕩 。性和主要參數(shù)。壓平均值與控制角的關(guān)系。理。它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域率半導(dǎo)體器件。擴(kuò)展到強(qiáng)電領(lǐng)域。調(diào)壓及開關(guān)等方面。達(dá)千安、正向耐壓達(dá)數(shù)千伏)。形、結(jié)構(gòu)及符號(hào)如圖。形成正反饋過程形成正反饋過程KGEA 0、 EG 0EGEA +_R 晶閘管導(dǎo)通后,去晶閘管導(dǎo)通后,去掉掉 EG , 依靠正反饋,依靠正反饋,仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)。 工作原理工作原理GEA 0、 EG 0KEA+_R T1T2EGA形成正反饋過程形成正反饋過程晶閘管導(dǎo)通的條件:晶閘管導(dǎo)通的條件: 1. 晶閘管陽極電路晶閘管陽極電路 (陽極與陰極之間陽極與陰極之間 )施加正向施加正向電壓。 2. 晶閘管控制電路晶閘管控制電路 (控制極與陰極之間控制極與陰極之間 )加正向加正向電壓或正向脈沖電壓或正向脈沖 (正向觸發(fā)電壓正向觸發(fā)電壓 )。晶閘管導(dǎo)通后,控制極便失去作用。晶閘管仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)。 IFIH(IF:導(dǎo)通電流, IH:維持電流 ) 2. 將陽極電源斷開或者在晶閘管的 陽極和陰極陽極和陰極間加反相電壓。 (陽陰間電壓為零或者反向)(陽陰間電壓為零或者反向) 主要參數(shù)主要參數(shù)UFRM: 正阻斷峰值電壓(正阻斷峰值電壓( 晶閘管晶閘管 耐壓值)耐壓值)晶閘管 控制極開路且正向阻斷情況下 ,允許重復(fù)加在 晶閘管 兩端的正向峰值電壓。普通 晶閘管 UFRM 為 100V — 3000V反向阻斷峰值電壓反向阻斷峰值電壓控制極開路時(shí) ,允許重復(fù)作用在 晶閘管 元 件上的反向峰值電壓。 IF::如果正弦半波電流的最大值為 Im, 則普通晶閘管 IF為 1A — 1000A 。通狀態(tài)所必須的最小電流。一百多毫安。 一般一般 UG為為 1到到 5V, IG為幾十到幾百毫安。晶閘管型號(hào)及其含義晶閘管型號(hào)及其含義 導(dǎo)通時(shí)平均電壓組別導(dǎo)通時(shí)平均電壓組別共九級(jí)共九級(jí) , 用字母用字母 A~I表示表示 ~額定電壓 ,用百位或千位數(shù)表示取 UFRM或 URRM較小者額定正向平均電流 (IF)(晶閘管類型)(晶閘管類型)P普通晶閘管普通晶閘管K快速晶閘管快速晶閘管S 雙向晶閘管雙向晶閘管演講完畢,謝謝觀看
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