【正文】 晶閘管K P普通型如 KP57表示 額定正向平均電流為 5A,額定電壓為 700V。為幾十到幾百毫安。UG、 IG：： 控制極觸發(fā)電壓和電流控制極觸發(fā)電壓和電流 室溫下，陽極電壓為直流室溫下，陽極電壓為直流 6V時(shí)，使晶閘管完時(shí)，使晶閘管完 全導(dǎo)通所必須的最小控制極直流電壓、電流全導(dǎo)通所必須的最小控制極直流電壓、電流 。 一般一般 IH為幾十為幾十 ~ 一百多毫安。 IH: 維持電流維持電流 在規(guī)定的環(huán)境和控制極斷路時(shí)，晶閘管維持導(dǎo)在規(guī)定的環(huán)境和控制極斷路時(shí)，晶閘管維持導(dǎo) 通狀態(tài)所必須的最小電流。一般取 URRM = 80% UBR 普通 晶閘管 URRM為 100V— 3000VURRM：正向平均電流正向平均電流環(huán)境溫度為 40?C及 標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下， 晶閘管處于 全導(dǎo)通時(shí) 電流的平均值。一般取 UFRM = 80% UB0 。間加反相電壓。晶閘管關(guān)斷的條件：晶閘管關(guān)斷的條件： 1. 必須使可控硅陽極電流減小 ,直到 正反饋 效應(yīng)不能維持。 依靠正反依靠正反饋，饋， 晶閘管仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)。 晶閘管導(dǎo)通后，控制極便失去作用。電壓。仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)。(c) 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)K GA(b) 符號(hào)符號(hào)(a) 外形外形晶閘管的外形、結(jié)構(gòu)及符號(hào)晶閘管的外形、結(jié)構(gòu)及符號(hào)三三 個(gè)個(gè)PN 結(jié)結(jié)P1P2N1N2K GA晶閘管相當(dāng)于晶閘管相當(dāng)于 PNP和和 NPN型兩個(gè)晶體管的組合型兩個(gè)晶體管的組合+KA T2T1_P2 N1N2IGIAP1 N1P2IKGPPNNNPAGK T1T2 工作原理工作原理A 在極短時(shí)間內(nèi)使兩個(gè)三極管均飽和導(dǎo)通，此過程稱觸發(fā)導(dǎo)通。 優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)：G控制極控制極 晶閘管晶閘管 基本結(jié)構(gòu)基本結(jié)構(gòu)K 陰極陰極G陽極陽極 AP1P2N1N2四四 層層 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 晶閘管是具有三個(gè)晶閘管是具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)結(jié)的四層結(jié)構(gòu) , 其外其外形、結(jié)構(gòu)及符號(hào)如圖。 體積小、重量輕、效率高、動(dòng)作迅速、維修簡(jiǎn)體積小、重量輕、效率高、動(dòng)作迅速、維修簡(jiǎn)單、操作方便、壽命長(zhǎng)、單、操作方便、壽命長(zhǎng)、 容量大（正向平均電流容量大（正向平均電流達(dá)千安、正向耐壓達(dá)數(shù)千伏）。 晶閘管晶閘管 也像半導(dǎo)體二極管那樣具有也像半導(dǎo)體二極管那樣具有 單向?qū)щ娦?，單向?qū)щ娦裕膶?dǎo)通時(shí)間是可控的，主要用于整流、逆變、但它的導(dǎo)通時(shí)間是可控的，主要用于整流、逆變、調(diào)壓及開關(guān)等方面。它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域擴(kuò)展到強(qiáng)電領(lǐng)域。第第 6章章 晶閘管及其應(yīng)用晶閘管及其應(yīng)用晶閘管晶閘管（（ Silicon Controlled Rectifier）） 晶閘管是在晶體管基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種晶閘管是在晶體管基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種 大功大功率半導(dǎo)體器件。3. 了解單結(jié)晶體管及其觸發(fā)電路的工作原了解單結(jié)晶體管及其觸發(fā)電路的工作原 理。2. 理解可控整流電路的工作原理、掌握電理解可控整流電路的工作原理、掌握電 壓平均值與控制角的關(guān)系。upuv(c) 電壓波形電壓波形uC?t?tugOO第第 6節(jié)節(jié) 晶閘管及其應(yīng)用晶閘管及其應(yīng)用 晶閘管晶閘管 可控整流電路可控整流電路 單結(jié)晶體管觸發(fā)電路單結(jié)晶體管觸發(fā)電路 應(yīng)用舉例應(yīng)用舉例本章要求本章要求、工作原理、特了解晶閘管的基本結(jié)構(gòu)、工作原理、特 性和主要參數(shù)。UpUvUpUDuC?tug?t電容放電至電容放電至 uC ? Uv時(shí)，單結(jié)管重新關(guān)斷，使時(shí)，單結(jié)管重新關(guān)斷，使 ug?0。 當(dāng)當(dāng) uC ? UP時(shí)時(shí) ,單結(jié)管導(dǎo)通單結(jié)管導(dǎo)通 ,電電容容 C放電放電 ,R1上得到一脈沖電壓。 電容電壓電容電壓 uC逐漸升高。 接通電源接通電源 U, 電容電容 C經(jīng)電阻經(jīng)電阻 R充電。率可調(diào)的振蕩電路。常選用 ?稍大一些， UV稍小的單結(jié)晶體管，以增大輸 出脈沖幅度和移相范圍。3. 不同單結(jié)晶體管的谷點(diǎn)電壓 UV和和 谷點(diǎn)電流 IV都 不一樣。單結(jié)晶體管的特點(diǎn)單結(jié)晶體管的特點(diǎn) B2E 管的峰點(diǎn)電壓管的峰點(diǎn)電壓 UP與與 外加固定電壓外加固定電壓 UBB及分壓比及分壓比 ? 有關(guān)，有關(guān)， 外加電壓外加電壓 UBB或或 分壓比分壓比 ?不同，則峰點(diǎn)電不同，則峰點(diǎn)電 壓壓 UP不同。P1. UE UP時(shí)單結(jié)管截止；時(shí)單結(jié)管截止；UE UP時(shí)單結(jié)管導(dǎo)通，時(shí)單結(jié)管導(dǎo)通，UE UV時(shí)恢復(fù)截止。Ip IVo IEUEUP峰點(diǎn)電壓峰點(diǎn)電壓UV谷點(diǎn)電壓谷點(diǎn)電壓 V負(fù)阻區(qū)負(fù)阻區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)飽和區(qū)負(fù)阻區(qū)：負(fù)阻區(qū)： UEUP后后，大量空穴注入基區(qū)大量空穴注入基區(qū)，致使致使 IE增加、增加、 UE反反而下降，出現(xiàn)負(fù)而下降，出現(xiàn)負(fù)阻。UE ? UP時(shí)時(shí)? ? – 分壓比 (~ )UP – 峰點(diǎn)電壓峰點(diǎn)電壓UD – PN結(jié)正向?qū)▔航到Y(jié)正向?qū)▔航礏2B1UBBEUE+_+_RP+_+_等效電路等效電路RB1RB2AUBBEUE+_RP+_+_B2B1測(cè)量單結(jié)晶體管的實(shí)驗(yàn)電路測(cè)量單結(jié)晶體管的實(shí)驗(yàn)電路由圖可求得由圖可求得3 .單結(jié)晶體管的伏安特性單結(jié)晶體管的伏安特性UV、 IV(谷點(diǎn)電壓、電流谷點(diǎn)電壓、電流 ): 維持單結(jié)管導(dǎo)通的最小 電壓、電流。紅筆（第一支筆）接 b,黑筆　　　　 阻值小　　　 PNP管⑵ 、集電極 c和發(fā)射極 e的判別2.　三極管 的極性判別第第 5節(jié)節(jié) 單結(jié)晶體管及其觸發(fā)電單結(jié)晶體管及其觸發(fā)電路路 單結(jié)晶體管結(jié)構(gòu)及工作原理單結(jié)晶體管結(jié)構(gòu)及工作原理 B2第二基極第二基極B1N歐姆接觸歐姆接觸接觸電阻接觸電阻P發(fā)射極發(fā)射極 E第一基極第一基極PN結(jié)N型硅片(a) 示意圖示意圖單結(jié)晶體管結(jié)構(gòu)示意圖及其表示符號(hào)單結(jié)晶體管結(jié)構(gòu)示意圖及其表示符號(hào)(b) 符號(hào)符號(hào)B2EB12. 工作原理工作原理? UE ? UBB+UD = UP 時(shí)時(shí)PN結(jié)反偏，結(jié)反偏， IE很?。缓苄。籔N結(jié)正向?qū)ńY(jié)正向?qū)?, IE迅速迅速增加。且可確定管型。 半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品手冊(cè)查閱一 . 半導(dǎo)體元器件型號(hào)命名方法一般半導(dǎo)體器件的型號(hào)的命名由五部分組成二 .常用半導(dǎo)體二極管、三極管主要參數(shù)查閱硅、 NPN1006A65WBD243C硅、 PNP10020~20230~25150010008550硅、 NPN10020~20230~25150010008050硅、 NPN15064~20240~205006259013硅、 PNP15064~20240~205006259012硅、 NPN20~2023005A50W3DD15B硅、 PNP≥ 10020~202305003003CG21C硅、 NPN≥ 20230~202353007003DG12B硅、 PNP≥ 20230~202355001003CG14F硅、 NPN≥ 25020~200≤ 備 注　 (MHz)　　 (181。若溫度升高 V(BR)CEO降低，應(yīng) 留有一定余量 。 β 值低于額定值的三分之二時(shí)，三極管的特性將變差。由于硅管的 ICEO遠(yuǎn)小于鍺管，因此人們?cè)诙鄶?shù)情況下選用硅管 。放大NPN型放大PNP型飽和NPN型截止NPN型練習(xí)：下圖三極管工作在放大狀態(tài)，用電壓表測(cè)出它們各電極的電位如圖所示，試分別說出管腳名稱、管型、組成的半導(dǎo)體材料。三極管相當(dāng)于開關(guān)的接通截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏， IB=0、 IC=ICEO≈0 ；三極管相當(dāng)于開關(guān)的斷開三極管的三種工作狀態(tài)（三個(gè)工作區(qū)域）通常使用三極管兩種方式：，利用 IB對(duì) IC的控制作用，這是三極管在模擬電子技術(shù)中的應(yīng)用；2. 三極管工作在開關(guān)狀態(tài)，利用三極管在飽和與截止兩個(gè)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，使三極管相當(dāng)于一個(gè)受控開關(guān)，這是三極管在數(shù)字電子技術(shù)中的應(yīng)用。 指當(dāng) IB一定時(shí) ,IC與 UCE之間的關(guān)系每一個(gè) IB 值，有一條特性曲線與之對(duì)應(yīng)三極管的輸出特性是一組曲線放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏和集電結(jié)反偏I(xiàn)C=βI B飽和區(qū) :發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)也是正偏。當(dāng)三極管正常工作時(shí)，發(fā)射結(jié)壓降變化不大，該壓降稱為導(dǎo)通電壓（硅管約 ～ ，鍺管約 ～ ）。這時(shí)的 IC值稱為穿透電流，記作 ICEOICEO很小， ICEO不受 IB的控制，受溫度影響因?yàn)?IB=0時(shí)， IC=ICEO ；基極電流由 0增至 IB時(shí)，集電極電流也相應(yīng)地由 ICEO增至 IC可得出 IC=βI B+ICEO 三極管電流放大作用的實(shí)質(zhì)：大電流 IC受小電流 IB控制， 以小控大 ，使 IC隨 IB的 變化而變化 三 .半導(dǎo)體三極管特性曲線（共 發(fā)射極接法時(shí)的）輸入特性 指輸入電壓與輸入電流間數(shù)量關(guān)系。 兩個(gè) PN結(jié)分別稱 發(fā)射結(jié) 和 集電結(jié)：基區(qū)做得很薄，僅為 1～ 10μm發(fā)射區(qū)摻雜濃度（多數(shù)載流子濃度）比基區(qū)和集電區(qū)的摻雜濃度高的多集電結(jié)的面積比發(fā)射結(jié)的面積大如果兩邊是 N區(qū)中間為 P區(qū)，稱為 NPN型 三極管；如果兩邊是 P區(qū)中間是 N區(qū)，稱為 PNP型 三極管。中間的導(dǎo)電區(qū)稱基區(qū) ，引出的電極為 基極 B。A)（ V） (V)（ mA） 參數(shù)型號(hào)二極管元器件基本知識(shí)（識(shí)別、檢測(cè)）利用二極管的 單 向 導(dǎo)電 性 測(cè)試（ a） (b)二極管元器件基本知識(shí)（識(shí)別、檢測(cè)）(1) 正向特性UVcIVmA(2) 反向特性UVcIVuA反向飽和電流擊穿電壓 UBR與零件也越來越密集了。除了固定各種小零件外， pcb的主要功能是提供上頭各項(xiàng)零件的相互電氣連接。board， pcb）幾乎會(huì)出現(xiàn)在每一種電子設(shè)備當(dāng)中。 萬能板、 PCB板v 印刷電路板 （ printed到 20世紀(jì) 60年代，人們發(fā)現(xiàn)給液晶充電會(huì)改變它的分子排列，繼而造成光線的扭曲或折射，這又屬于液體的特征。它從形狀和外觀看都是一種液體，但它的水晶式分子結(jié)構(gòu)又表現(xiàn)出固體的形態(tài)。由于石英晶體化學(xué)性能非常穩(wěn)定，熱膨脹系數(shù)非常小，其振蕩頻率也非常穩(wěn)定 。這種晶體有一個(gè)很重要的特性，如果給它通電，它就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振蕩，反之，如果給它機(jī)械力，它又會(huì)產(chǎn)生電，這種特性叫 機(jī)電效應(yīng) 。當(dāng)某一字段的陽極為低電平時(shí)，相應(yīng)字段就不亮。 共陰數(shù)碼管是指將所有發(fā)光二極管的陰極接到一起形成公