【正文】 ，使三極管過熱而損壞三極管：IC不能超過 ICM，電壓 UCE不能超過U(BR)CEO，IC和 UCE的乘積不能超過 PCM，三極管的 安全工作區(qū) 如圖所示。 半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品手冊查閱一 . 半導(dǎo)體元器件型號命名方法一般半導(dǎo)體器件的型號的命名由五部分組成二 .常用半導(dǎo)體二極管、三極管主要參數(shù)查閱硅、 NPN1006A65WBD243C硅、 PNP10020~20230~25150010008550硅、 NPN10020~20230~25150010008050硅、 NPN15064~20240~205006259013硅、 PNP15064~20240~205006259012硅、 NPN20~2023005A50W3DD15B硅、 PNP≥ 10020~202305003003CG21C硅、 NPN≥ 20230~202353007003DG12B硅、 PNP≥ 20230~202355001003CG14F硅、 NPN≥ 25020~200≤ 備 注　 (MHz)　　 (181。A)　　　 (V) 　 (mA)　 (mW)型號幾種常見三極管的主要參數(shù) 1.　三極管 的參數(shù)⑴ 、判 別 基極及 類 型　　?。?NPN？ PNP？） （ 1K?擋） 將某一表 筆 （稱之 為 第一支 筆 ）碰某一 電 極，再用另一表 筆 去碰其它兩 電 極，若 測 出的阻 值 都很小或很大， 對調(diào) 表 筆 后又都 變?yōu)?很大或很小， 則 第一支 筆 所碰 電 極 為 基極。且可確定管型。例如 黑 筆 （第一支 筆 ）接 b,紅 筆 　　　　阻 值 小　　　　 NPN管 　 　確定基極后，在 b、 c間 加人體 電 阻，看哪一次指 針 偏 轉(zhuǎn)大？　 大者黑 筆 為 NPN管 c極， 紅 筆 為 e極； 或大者 紅 筆 為 NPN管 c極，黑 筆 為 e極。紅筆（第一支筆）接 b,黑筆　　　　 阻值小　　　 PNP管⑵ 、集電極 c和發(fā)射極 e的判別2.　三極管 的極性判別第第 5節(jié)節(jié) 單結(jié)晶體管及其觸發(fā)電單結(jié)晶體管及其觸發(fā)電路路 單結(jié)晶體管結(jié)構(gòu)及工作原理單結(jié)晶體管結(jié)構(gòu)及工作原理 B2第二基極第二基極B1N歐姆接觸歐姆接觸接觸電阻接觸電阻P發(fā)射極發(fā)射極 E第一基極第一基極PN結(jié)N型硅片(a) 示意圖示意圖單結(jié)晶體管結(jié)構(gòu)示意圖及其表示符號單結(jié)晶體管結(jié)構(gòu)示意圖及其表示符號(b) 符號符號B2EB12. 工作原理工作原理? UE ? UBB+UD = UP 時時PN結(jié)反偏，結(jié)反偏， IE很??；很?。籔N結(jié)正向?qū)ńY(jié)正向?qū)?, IE迅速迅速增加。增加。UE ? UP時時? ? – 分壓比 (~ )UP – 峰點(diǎn)電壓峰點(diǎn)電壓UD – PN結(jié)正向?qū)▔航到Y(jié)正向?qū)▔航礏2B1UBBEUE+_+_RP+_+_等效電路等效電路RB1RB2AUBBEUE+_RP+_+_B2B1測量單結(jié)晶體管的實(shí)驗(yàn)電路測量單結(jié)晶體管的實(shí)驗(yàn)電路由圖可求得由圖可求得3 .單結(jié)晶體管的伏安特性單結(jié)晶體管的伏安特性UV、 IV(谷點(diǎn)電壓、電流谷點(diǎn)電壓、電流 ): 維持單結(jié)管導(dǎo)通的最小 電壓、電流。 UP(峰點(diǎn)電壓峰點(diǎn)電壓 )：： 單結(jié)管由截止變導(dǎo)通 所需發(fā)射極電壓 。Ip IVo IEUEUP峰點(diǎn)電壓峰點(diǎn)電壓UV谷點(diǎn)電壓谷點(diǎn)電壓 V負(fù)阻區(qū)負(fù)阻區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)飽和區(qū)負(fù)阻區(qū)：負(fù)阻區(qū)： UEUP后后，大量空穴注入基區(qū)大量空穴注入基區(qū)，致使致使 IE增加、增加、 UE反反而下降，出現(xiàn)負(fù)而下降，出現(xiàn)負(fù)阻。阻。P1. UE UP時單結(jié)管截止；時單結(jié)管截止；UE UP時單結(jié)管導(dǎo)通，時單結(jié)管導(dǎo)通，UE UV時恢復(fù)截止。時恢復(fù)截止。單結(jié)晶體管的特點(diǎn)單結(jié)晶體管的特點(diǎn) B2E 管的峰點(diǎn)電壓管的峰點(diǎn)電壓 UP與與 外加固定電壓外加固定電壓 UBB及分壓比及分壓比 ? 有關(guān)，有關(guān)， 外加電壓外加電壓 UBB或或 分壓比分壓比 ?不同，則峰點(diǎn)電不同，則峰點(diǎn)電 壓壓 UP不同。不同。3. 不同單結(jié)晶體管的谷點(diǎn)電壓 UV和和 谷點(diǎn)電流 IV都 不一樣。谷點(diǎn)電壓大約在 2 ~ 5V之間。常選用 ?稍大一些， UV稍小的單結(jié)晶體管，以增大輸 出脈沖幅度和移相范圍。 單結(jié)晶體管觸發(fā)電路單結(jié)晶體管觸發(fā)電路1. 振蕩電路振蕩電路單結(jié)晶體管弛張振蕩電路單結(jié)晶體管弛張振蕩電路 單結(jié)晶體管弛張單結(jié)晶體管弛張振蕩電路利用單結(jié)管振蕩電路利用單結(jié)管的負(fù)阻特性及的負(fù)阻特性及 RC電路電路的充放電特性組成頻的充放電特性組成頻率可調(diào)的振蕩電路。率可調(diào)的振蕩電路。ugR2R1RUucE +C+__+_50?100k?300?0. 47?FugR2R1RUuCE +C+__+_50?100k?300?0. 47?F2. 振蕩過程分析振蕩過程分析設(shè)通電前設(shè)通電前 uC=0。 接通電源接通電源 U, 電容電容 C經(jīng)電阻經(jīng)電阻 R充電。充電。 電容電壓電容電壓 uC逐漸升高。逐漸升高。 當(dāng)當(dāng) uC ? UP時時 ,單結(jié)管導(dǎo)通單結(jié)管導(dǎo)通 ,電電容容 C放電放電 ,R1上得到一脈沖電壓。上得到一脈沖電壓。UpUvUpUDuC?tug?t電容放電至電容放電至 uC ? Uv時，單結(jié)管重新關(guān)斷，使時，單結(jié)管重新關(guān)斷，使 ug?0。(a)(b)注意：注意： R值不能選值不能選的太小，否則單結(jié)的太小，否則單結(jié)管不能關(guān)斷，電路管不能關(guān)斷，電路亦不能振蕩亦不能振蕩 。upuv(c) 電壓波形電壓波形uC?t?tugOO第第 6節(jié)節(jié) 晶閘管及其應(yīng)用晶閘管及其應(yīng)用 晶閘管晶閘管 可控整流電路可控整流電路 單結(jié)晶體管觸發(fā)電路單結(jié)晶體管觸發(fā)電路 應(yīng)用舉例應(yīng)用舉例本章要求本章要求、工作原理、特了解晶閘管的基本結(jié)構(gòu)、工作原理、特 性和主要參數(shù)。性和主要參數(shù)。2. 理解可控整流電路的工作原理、掌握電理解可控整流電路的工作原理、掌握電 壓平均值與控制角的關(guān)系。壓平均值與控制角的關(guān)系。3. 了解單結(jié)晶體管及其觸發(fā)電路的工作原了解單結(jié)晶體管及其觸發(fā)電路的工作原 理。理。第第 6章章 晶閘管及其應(yīng)用晶閘管及其應(yīng)用晶閘管晶閘管（（ Silicon Controlled Rectifier）） 晶閘管是在晶體管基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種晶閘管是在晶體管基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種 大功大功率半導(dǎo)體器件。它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域率半導(dǎo)體器件。它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域擴(kuò)展到強(qiáng)電領(lǐng)域。擴(kuò)展到強(qiáng)電領(lǐng)域。 晶閘管晶閘管 也像半導(dǎo)體二極管那樣具有也像半導(dǎo)體二極管那樣具有 單向?qū)щ娦裕瑔蜗驅(qū)щ娦?，但它的?dǎo)通時間是可控的，主要用于整流、逆變、但它的導(dǎo)通時間是可控的，主要用于整流、逆變、調(diào)壓及開關(guān)等方面。調(diào)壓及開關(guān)等方面。 體積小、重量輕、效率高、動作迅速、維修簡體積小、重量輕、效率高、動作迅速、維修簡單、操作方便、壽命長、單、操作方便、壽命長、 容量大（正向平均電流容量大（正向平均電流達(dá)千安、正向耐壓達(dá)數(shù)千伏）。達(dá)千安、正向耐壓達(dá)數(shù)千伏）。 優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)：G控制極控制極 晶閘管晶閘管 基本結(jié)構(gòu)基本結(jié)構(gòu)K 陰極陰極G陽極陽極 AP1P2N1N2四四 層層 半半 導(dǎo)導(dǎo) 體體 晶閘管是具有三個晶閘管是具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)結(jié)的四層結(jié)構(gòu) , 其外其外形、結(jié)構(gòu)及符號如圖。形、結(jié)構(gòu)及符號如圖。(c) 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)K GA(b) 符號符號(a) 外形外形晶閘管的外形、結(jié)構(gòu)及符號晶閘管的外形、結(jié)構(gòu)及符號三三 個個PN 結(jié)結(jié)P1P2N1N2K GA晶閘管相當(dāng)于晶閘管相當(dāng)于 PNP和和 NPN型兩個晶體管的組合型兩個晶體管的組合+KA T2T1_P2 N1N2IGIAP1 N1P2IKGPPNNNPAGK T1T2 工作原理工作原理A 在極短時間內(nèi)使兩個三極管均飽和導(dǎo)通，此過程稱觸發(fā)導(dǎo)通。形成正反饋過程形成正反饋過程KGEA 0、 EG 0EGEA +_R 晶閘管導(dǎo)通后，去晶閘管導(dǎo)通后，去掉掉 EG ， 依靠正反饋，依靠正反饋，仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)。仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)。 工作原理工作原理GEA 0、 EG 0KEA+_R T1T2EGA形成正反饋過程形成正反饋過程晶閘管導(dǎo)通的條件：晶閘管導(dǎo)通的條件： 1. 晶閘管陽極電路晶閘管陽極電路 (陽極與陰極之間陽極與陰極之間 )施加正向施加正向電壓。電壓。 2. 晶閘管控制電路晶閘管控制電路 (控制極與陰極之間控制極與陰極之間 )加正向加正向電壓或正向脈沖電壓或正向脈沖 (正向觸發(fā)電壓正向觸發(fā)電壓 )。 晶閘管導(dǎo)通后，控制極便失去作用。晶閘管導(dǎo)通后，控制極便失去作用。 依靠正反依靠正反饋，饋， 晶閘管仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管關(guān)斷的條件：晶閘管關(guān)斷的條件： 1. 必須使可控硅陽極電流減小 ,直到 正反饋 效應(yīng)不能維持。 IFIH(IF:導(dǎo)通電流， IH：維持電流 ) 2. 將陽極電源斷開或者在晶閘管的 陽極和陰極陽極和陰極間加反相電壓。間加反相電壓。 （陽陰間電壓為零或者反向）（陽陰間電壓為零或者反向） 主要參數(shù)主要參數(shù)UFRM: 正阻斷峰值電壓（正阻斷峰值電壓（ 晶閘管晶閘管 耐壓值）耐壓值）晶閘管 控制極開路且正向阻斷情況下 ,允許重復(fù)加在 晶閘管 兩端的正向峰值電壓。一般取 UFRM = 80% UB0 。普通 晶閘管 UFRM 為 100V — 3000V反向阻斷峰值電壓反向阻斷峰值電壓控制極開路時 ,允許重復(fù)作用在 晶閘管 元 件上的反向峰值電壓。一般取 URRM = 80% UBR 普通 晶閘管 URRM為 100V— 3000VURRM：正向平均電流正向平均電流環(huán)境溫度為 40?C及 標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下， 晶閘管處于 全導(dǎo)通時 電流的平均值。 IF：：如果正弦半波電流的最大值為 Im, 則普通晶閘管 IF為 1A — 1000A 。 IH: 維持電流維持電流 在規(guī)定的環(huán)境和控制極斷路時，晶閘管維持導(dǎo)在規(guī)定的環(huán)境和控制極斷路時，晶閘管維持導(dǎo) 通狀態(tài)所必須的最小電流。通狀態(tài)所必須的最小電流。 一般一般 IH為幾十為幾十 ~ 一百多毫安。一百多毫安。UG、 IG：： 控制極觸發(fā)電壓和電流控制極觸發(fā)電壓和電流 室溫下，陽極電壓為直流室溫下，陽極電壓為直流 6V時，使晶閘管完時，使晶閘管完 全導(dǎo)通所必須的最小控制極直流電壓、電流全導(dǎo)通所必須的最小控制極直流電壓、電流 。 一般一般 UG為為 1到到 5V， IG為幾十到幾百毫安。為幾十到幾百毫安。晶閘管型號及其含義晶閘管型號及其含義 導(dǎo)通時平均電壓組別導(dǎo)通時平均電壓組別共九級共九級 , 用字母用字母 A~I表示表示 ~額定電壓 ,用百位或千位數(shù)表示取 UFRM或 URRM較小者額定正向平均電流 (IF)（晶閘管類型）（晶閘管類型）P普通晶閘管普通晶閘管K快速晶閘管快速晶閘管S 雙向晶閘管雙向晶閘管晶閘管K P普通型如 KP57表示 額定正向平均電流為 5A,額定電壓為 700V。演講完畢，謝謝觀看