【正文】 三極管的基極時，只要找出兩個 PN結的公共極，即為三極管的基極。具體方法是將多用電表調至電阻擋的 R1k擋，先用紅表筆放在三極管的一只腳上，用黑表筆去碰三極管的另兩只腳，如果兩次全通，則紅表筆所放的腳就是三極管的基極。如果一次沒找到，則紅表筆換到三極管的另一個腳，再測兩次；如還沒找到，則紅表筆再換一下，再測兩次。如果還沒找到，則改用黑表筆放在三極管的一個腳上，用紅表筆去測兩次看是否全通，若一次沒成功再換。這樣最多沒量 12次，總可以找到基極。 v 三極管類型的判別： 三極管只有兩種類型，即 PNP型和 NPN型。判別時只要知道基極是 P型材料還 N型材料即可。當用多用電表 R1k擋時，黑表筆代表電源正極，如果黑表筆接基極時導通，則說明三極管的基極為 P型材料，三極管即為 NPN型。如果紅表筆接基極導通，則說明三極管基極為 N型材料，三極管即為 PNP型。 3， 三極管的分類 : : 硅管、鍺管 : NPN 、 PNP : 開關管、功率管、達林頓管、光敏管等。d. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管：低頻管、高頻管、超頻管：合金管、平面管 3，三極管的主要參數(shù)a. 特征頻率 fT:當 f= fT時 ,三極管完全失去電流放大功能。如果工作頻率大于 fT，電路將不正常工作。b. 工作電壓 /電流 用這個參數(shù)可以指定該管的電壓電流使用范圍。c. hFE 電流放大倍數(shù) .d. VCEO 集電極發(fā)射極反向擊穿電壓 ,表示臨界飽和時的飽和電壓 .e. PCM 最大允許耗散功率。f. 封裝形式 指定該管的外觀形狀 ,如果其它參數(shù)都正確，封裝不同將導致組件無法在電路板上實現(xiàn)。六 場效應管v 特點 :　　具有輸入電阻高（ 100000000～ 1000000000Ω ）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點 ,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者 .結型場效應管 JFET絕緣柵型場效應管 MOS場效應管有兩種 :結型場效應管 (JFET)因有兩個 PN結而得名； 絕緣柵型場效應管 (JGFET)則因柵極與其他電極完全絕緣而得名。A、場效應管的種類一、場效應管的分類v按溝道半導體材料的不同，結型和絕緣柵型各分 N溝道和 P溝道兩種。v絕緣柵型場效應管與結型場效應管的不同之處在于它們的導電方式不同。v若按導電方式來劃分，? 絕緣柵型場效應管又可分成耗盡型與增強型。? 結型場效應管均為耗盡型。N溝道P溝道增強型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道（耗盡型）FET場效應管JFET結型MOSFET絕緣柵型(IGFET)場效應晶體管的種類二、場效應管的識別與檢測 1．場效應管外形的識別塑料封裝場效應管2．場效應管的符號v 在有些大功率 MOSFET管中的 GS極間或 DS極間增加了保護二極管，以保護管子不致于被靜電擊穿，這種管子的電路圖符號如圖所示。3. 場效應管引腳的識別v 場效應管也有三個引腳，分別是柵極 (又稱控制極 )、源極、漏極 3個端子。v 場效應管可看作一只普通晶體三極管，柵極 G對應基極 b，漏極 D對應集電極 C，源極 S對應發(fā)射極 E。v N溝道對應 NPN型晶體管， P溝道對應 PNP晶體管。GDS 散熱片先用 MF10型萬用表 R*100KΩ擋（內(nèi)置有 15V電池），把負表筆（黑）接柵極（ G），正表筆（紅）接源極（ S）。給柵、源極之間充電，此時萬用表指針有輕微偏轉。再該用萬用表R*1Ω擋，將負表筆接漏極（ D），正表筆接源極（ S），萬用表指示值若為幾歐姆，則說明場效應管是好的。4. 場效應晶體管好壞的判斷五、使用場效應管的注意事項? 管子的實際工作條件，不能超過其最大漏極功耗 PDM? 極限漏極電流 ID? 最大漏源電壓 UDSS等參數(shù)的極限值? 要遵守場效應管偏置的極性? 由于輸入阻抗極高，在運輸、貯藏中必須將引腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿，同時注意防潮? 焊接時電烙鐵接地線應可靠接地，防止因感應電擊穿場效應管4．場效應管的安裝? 注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；? 管腳引線在彎曲時，應在距離根部 5mm外進行，以防止彎斷管腳和引起損壞等。? 對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率場效應管在高負荷條件下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，以使器件長期穩(wěn)定可靠地工作。七 IGBT模塊使用 IGBT優(yōu)點v輸入阻抗高v反應速度快v熱穩(wěn)定性好v驅動電路簡單v耐壓高v輸出電流大IGBT判斷極性v （單管 IGBT） 首先將萬用表撥在 R1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮 大 ，調換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極 (G)。v 其余兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆后測量阻值較小 ， 在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極 (C)。黑表筆接的為發(fā)射極 (E)IGBT管的代換v 由于 IGBT管工作在大電流 高電壓狀態(tài)，工作頻率較高，發(fā)熱量大，因此其故障率較高，又由于其價格較高，故代換 IGBT管時，應遵循以下原則：首先，盡量用原型號的代換，這樣不僅利于固定安裝，也比較簡便 其次，如果沒有相同型號的管子，可用參數(shù)相近的 IGBT管來代換，一般是用額定電流較大的管子代替額定電流較小的，用高耐壓的代替低耐壓的，如果參數(shù)已經(jīng)磨掉，可根據(jù)其額定功率來代換。IGBT判斷好壞v （單管檢測） 將萬用表撥在 R10KΩ擋，用黑表筆接 IGBT的集電極 (C)，紅表筆接 IGBT的發(fā)射極 (E)，此時萬用表的指針在 無窮大位置 位 （指針幾乎無偏轉） 。v 用手指同時觸及一下柵極 (G)和集電極 (C)，這時 IGBT被觸發(fā)導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。v 再用手指同時觸及一下柵極 (G)和發(fā)射極 (E)， 這時 IGBT被阻斷，萬用表的指針回 到原始位置 。v 此時 如單管 即可判斷 IGBT是好的v 模塊用同樣方法測量另一組的 集電極 (C)柵極 (G)和發(fā)射極 (E)，如現(xiàn)象相同則模塊是好的測量注意事項v 任何指針式萬用表皆可用于檢測 IGBT。注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在 R10KΩ擋，因R1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測好壞時不能使 IGBT導通，而無法判斷 IGBT的好壞。v 此方法同樣也可以用于檢測功率場效應晶體管 (PMOSFET)的好壞 。使用注意事項v 在使用模塊時，手持分裝件時，請勿觸摸驅動端子部分 ， 當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電放電后，再觸摸v 在用導電材料連接 IGBT管的驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；v 盡量在底板良好接地的情況下操作 如焊接時，電烙鐵要可靠接地v 安裝或更換 IGBT管時，應十分重視 IGBT管與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度，為了減少接觸熱阻， 需 在散熱器與IGBT管間涂抹導熱硅脂v IGBT管的 UGE的耐壓值為 20V，在 IGBT管加超出耐壓值的電壓時，會導致?lián)p壞的危險 ， 若在主回路上加上電壓，則IGBT管就會損壞 ， 為防止這類損壞情況發(fā)生， 必須先裝好驅動板，才能給主電源加電；或者 在柵極 發(fā)射極之間接一只 10千歐左右的電阻。結束語由于本人水平有限， PPT也沒有做過，時間匆忙這次的不足之處還望大家原諒這只菜鳥。 謝謝大家演講完畢，謝謝觀看