【正文】 三極管的基極時(shí)，只要找出兩個(gè) PN結(jié)的公共極，即為三極管的基極。具體方法是將多用電表調(diào)至電阻擋的 R1k擋，先用紅表筆放在三極管的一只腳上，用黑表筆去碰三極管的另兩只腳，如果兩次全通，則紅表筆所放的腳就是三極管的基極。如果一次沒找到，則紅表筆換到三極管的另一個(gè)腳，再測兩次；如還沒找到，則紅表筆再換一下，再測兩次。如果還沒找到，則改用黑表筆放在三極管的一個(gè)腳上，用紅表筆去測兩次看是否全通，若一次沒成功再換。這樣最多沒量 12次，總可以找到基極。 v 三極管類型的判別： 三極管只有兩種類型，即 PNP型和 NPN型。判別時(shí)只要知道基極是 P型材料還 N型材料即可。當(dāng)用多用電表 R1k擋時(shí)，黑表筆代表電源正極，如果黑表筆接基極時(shí)導(dǎo)通，則說明三極管的基極為 P型材料，三極管即為 NPN型。如果紅表筆接基極導(dǎo)通，則說明三極管基極為 N型材料，三極管即為 PNP型。 3， 三極管的分類 : : 硅管、鍺管 : NPN 、 PNP : 開關(guān)管、功率管、達(dá)林頓管、光敏管等。d. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管：低頻管、高頻管、超頻管：合金管、平面管 3，三極管的主要參數(shù)a. 特征頻率 fT:當(dāng) f= fT時(shí) ,三極管完全失去電流放大功能。如果工作頻率大于 fT，電路將不正常工作。b. 工作電壓 /電流 用這個(gè)參數(shù)可以指定該管的電壓電流使用范圍。c. hFE 電流放大倍數(shù) .d. VCEO 集電極發(fā)射極反向擊穿電壓 ,表示臨界飽和時(shí)的飽和電壓 .e. PCM 最大允許耗散功率。f. 封裝形式 指定該管的外觀形狀 ,如果其它參數(shù)都正確，封裝不同將導(dǎo)致組件無法在電路板上實(shí)現(xiàn)。六 場效應(yīng)管v 特點(diǎn) :　　具有輸入電阻高（ 100000000～ 1000000000Ω ）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn) ,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者 .結(jié)型場效應(yīng)管 JFET絕緣柵型場效應(yīng)管 MOS場效應(yīng)管有兩種 :結(jié)型場效應(yīng)管 (JFET)因有兩個(gè) PN結(jié)而得名； 絕緣柵型場效應(yīng)管 (JGFET)則因柵極與其他電極完全絕緣而得名。A、場效應(yīng)管的種類一、場效應(yīng)管的分類v按溝道半導(dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分 N溝道和 P溝道兩種。v絕緣柵型場效應(yīng)管與結(jié)型場效應(yīng)管的不同之處在于它們的導(dǎo)電方式不同。v若按導(dǎo)電方式來劃分，? 絕緣柵型場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。? 結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型。N溝道P溝道增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道（耗盡型）FET場效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)場效應(yīng)晶體管的種類二、場效應(yīng)管的識別與檢測 1．場效應(yīng)管外形的識別塑料封裝場效應(yīng)管2．場效應(yīng)管的符號v 在有些大功率 MOSFET管中的 GS極間或 DS極間增加了保護(hù)二極管，以保護(hù)管子不致于被靜電擊穿，這種管子的電路圖符號如圖所示。3. 場效應(yīng)管引腳的識別v 場效應(yīng)管也有三個(gè)引腳，分別是柵極 (又稱控制極 )、源極、漏極 3個(gè)端子。v 場效應(yīng)管可看作一只普通晶體三極管，柵極 G對應(yīng)基極 b，漏極 D對應(yīng)集電極 C，源極 S對應(yīng)發(fā)射極 E。v N溝道對應(yīng) NPN型晶體管， P溝道對應(yīng) PNP晶體管。GDS 散熱片先用 MF10型萬用表 R*100KΩ擋（內(nèi)置有 15V電池），把負(fù)表筆（黑）接?xùn)艠O（ G），正表筆（紅）接源極（ S）。給柵、源極之間充電，此時(shí)萬用表指針有輕微偏轉(zhuǎn)。再該用萬用表R*1Ω擋，將負(fù)表筆接漏極（ D），正表筆接源極（ S），萬用表指示值若為幾歐姆，則說明場效應(yīng)管是好的。4. 場效應(yīng)晶體管好壞的判斷五、使用場效應(yīng)管的注意事項(xiàng)? 管子的實(shí)際工作條件，不能超過其最大漏極功耗 PDM? 極限漏極電流 ID? 最大漏源電壓 UDSS等參數(shù)的極限值? 要遵守場效應(yīng)管偏置的極性? 由于輸入阻抗極高，在運(yùn)輸、貯藏中必須將引腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿，同時(shí)注意防潮? 焊接時(shí)電烙鐵接地線應(yīng)可靠接地，防止因感應(yīng)電擊穿場效應(yīng)管4．場效應(yīng)管的安裝? 注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；? 管腳引線在彎曲時(shí)，應(yīng)在距離根部 5mm外進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起損壞等。? 對于功率型場效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β蕡鲂?yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，以使器件長期穩(wěn)定可靠地工作。七 IGBT模塊使用 IGBT優(yōu)點(diǎn)v輸入阻抗高v反應(yīng)速度快v熱穩(wěn)定性好v驅(qū)動(dòng)電路簡單v耐壓高v輸出電流大IGBT判斷極性v （單管 IGBT） 首先將萬用表撥在 R1KΩ擋，用萬用表測量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無窮 大 ，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極 (G)。v 其余兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調(diào)換表筆后測量阻值較小 ， 在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極 (C)。黑表筆接的為發(fā)射極 (E)IGBT管的代換v 由于 IGBT管工作在大電流 高電壓狀態(tài)，工作頻率較高，發(fā)熱量大，因此其故障率較高，又由于其價(jià)格較高，故代換 IGBT管時(shí)，應(yīng)遵循以下原則：首先，盡量用原型號的代換，這樣不僅利于固定安裝，也比較簡便 其次，如果沒有相同型號的管子，可用參數(shù)相近的 IGBT管來代換，一般是用額定電流較大的管子代替額定電流較小的，用高耐壓的代替低耐壓的，如果參數(shù)已經(jīng)磨掉，可根據(jù)其額定功率來代換。IGBT判斷好壞v （單管檢測） 將萬用表撥在 R10KΩ擋，用黑表筆接 IGBT的集電極 (C)，紅表筆接 IGBT的發(fā)射極 (E)，此時(shí)萬用表的指針在 無窮大位置 位 （指針幾乎無偏轉(zhuǎn)） 。v 用手指同時(shí)觸及一下柵極 (G)和集電極 (C)，這時(shí) IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。v 再用手指同時(shí)觸及一下柵極 (G)和發(fā)射極 (E)， 這時(shí) IGBT被阻斷，萬用表的指針回 到原始位置 。v 此時(shí) 如單管 即可判斷 IGBT是好的v 模塊用同樣方法測量另一組的 集電極 (C)柵極 (G)和發(fā)射極 (E)，如現(xiàn)象相同則模塊是好的測量注意事項(xiàng)v 任何指針式萬用表皆可用于檢測 IGBT。注意判斷IGBT好壞時(shí)，一定要將萬用表撥在 R10KΩ擋，因R1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測好壞時(shí)不能使 IGBT導(dǎo)通，而無法判斷 IGBT的好壞。v 此方法同樣也可以用于檢測功率場效應(yīng)晶體管 (PMOSFET)的好壞 。使用注意事項(xiàng)v 在使用模塊時(shí)，手持分裝件時(shí)，請勿觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分 ， 當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電放電后，再觸摸v 在用導(dǎo)電材料連接 IGBT管的驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請先不要接上模塊；v 盡量在底板良好接地的情況下操作 如焊接時(shí)，電烙鐵要可靠接地v 安裝或更換 IGBT管時(shí)，應(yīng)十分重視 IGBT管與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度，為了減少接觸熱阻， 需 在散熱器與IGBT管間涂抹導(dǎo)熱硅脂v IGBT管的 UGE的耐壓值為 20V，在 IGBT管加超出耐壓值的電壓時(shí)，會導(dǎo)致?lián)p壞的危險(xiǎn) ， 若在主回路上加上電壓，則IGBT管就會損壞 ， 為防止這類損壞情況發(fā)生， 必須先裝好驅(qū)動(dòng)板，才能給主電源加電；或者 在柵極 發(fā)射極之間接一只 10千歐左右的電阻。結(jié)束語由于本人水平有限， PPT也沒有做過，時(shí)間匆忙這次的不足之處還望大家原諒這只菜鳥。 謝謝大家演講完畢，謝謝觀看