【正文】 發(fā)脈沖電流波形 t1~t2? 脈沖前沿上升時間（ 1?s） t1~t3? 強脈寬度 IM? 強脈沖幅值（ 3IGT~5IGT） t1~t4? 脈沖寬度 I? 脈沖平頂幅值（ ~2IGT） 晶閘管的觸發(fā)電路 電力電子技術 重慶科創(chuàng)職業(yè)學院電力電子實驗室 單相半波可控整流電路實驗 晶閘管的觸發(fā)電路 V V2構成 脈沖放大環(huán)節(jié) 。 V V2導通時，通過脈沖變壓器向晶閘管的門極和陰極之間輸出觸發(fā)脈沖。 GTO關斷控制 需施加負門極電流 。 電力電子技術 重慶科創(chuàng)職業(yè)學院電力電子實驗室 單相半波可控整流電路實驗 典型全控型器件的驅動電路 直接耦合式驅動電路可避免電路內部的相互干擾和寄生振蕩 ，可得到較陡的脈沖前沿 。 圖 129 典型的直接耦合式 GTO驅動電路 電力電子技術 重慶科創(chuàng)職業(yè)學院電力電子實驗室 單相半波可控整流電路實驗 典型全控型器件的驅動電路 開通驅動電流應使 GTR處于準飽和導通狀態(tài) ， 使之不進入放大區(qū)和深飽和區(qū) 。 關斷后同樣應在基射極之間施加一定幅值 （ 6V左右 ） 的負偏壓 。 VD1AVVS0 V+ 10V+ 15VV1VD2VD3VD4V3V2V4V5V6R1R2R3R4R5C1C2圖 131 GTR的一種驅動電路 驅動 GTR的集成驅動電路中， THOMSON公司的 UAA4002和三菱公司的 M57215BL較為常見。 為快速建立驅動電壓 ， 要求驅動電路輸出電阻小 。 關斷時施加一定幅值的負驅動電壓 （ 一般取 5 ~ 15V） 有利于減小關斷時間和關斷損耗 。 2) 電壓驅動型器件的驅動電路 電力電子技術 重慶科創(chuàng)職業(yè)學院電力電子實驗室 單相半波可控整流電路實驗 典型全控型器件的驅動電路 (1) 電力 MOSFET的一種驅動電路： 電氣隔離 和 晶體管放大電路 兩部分 圖 132 電力 MOSFET的一種驅動電路 專為驅動電力 MOSFET而設計的混合集成電路有三菱公司的 M57918L，其輸入信號電流幅值為16mA，輸出最大脈沖電流為 +2A和 3A，輸出驅動電壓 +15V和 10V。 多采用專用的混合集成驅動器。 關斷過電壓 ：全控型器件關斷時 ， 正向電流迅速降低而由線路電感在器件兩端感應出的過電壓 。 其中 RC3和 RCD為抑制內因過電壓的措施，屬于緩沖電路范疇。 電子電路作為第一保護措施，快熔僅作為短路時的部分 區(qū)段的保護，直流快速斷路器整定在電子電路動作之后實現(xiàn)保護，過電流繼電器整定在過載時動作。 短路保護：快熔只在短路電流較大的區(qū)域起保護作用 。 常在全控型器件的驅動電路中設置過電流保護環(huán)節(jié) ， 響應最快 。 開通緩沖電路 （ di/dt抑制電路 ） —— 抑制器件開通時的電流過沖和 di/dt， 減小器件的開通損耗 。 按能量的去向分類法： 耗能式緩沖電路 和 饋能式緩沖電路（ 無損吸收電路 ） 。 緩沖電路 (Snubber Circuit) ： 又稱 吸收電路 ，抑制器件的內因過電壓、 du/dt、過電流和 di/dt，減小器件的開關損耗。 圖 138 di/dt抑制電路和 充放電型 RCD緩沖電路及波形 a) 電路 其中 RC緩沖電路主要用于小容量器件 ， 而放電阻止型 RCD緩沖電路用于中或大容量器件 。 靜態(tài)不均壓 ：串聯(lián)的器件流過的漏電流相同 ， 但因靜態(tài)伏安特性的分散性 ， 各器件分壓不等 。 目的 ：當晶閘管額定電壓小于要求時 ， 可以串聯(lián) 。 采用電阻均壓 ， Rp的阻值應比器件阻斷時的正 、 反向電阻小得多 。 用 RC并聯(lián)支路作動態(tài)均壓 。 電力電子技術 重慶科創(chuàng)職業(yè)學院電力電子實驗室 單相半波可控整流電路實驗 晶閘管的并聯(lián) 問題 ：會分別因靜態(tài)和動態(tài)特性參數(shù)的差異而電流分配不均勻 。 采用均流電抗器 。 當需要同時串聯(lián)和并聯(lián)晶閘管時 ， 通常采用先串后并的方法聯(lián)接 。 注意選用 Ron、 UT、 Gfs和 Ciss盡量相近的器件并聯(lián) 。 可在源極電路中串入小電感 ,起到均流電抗器的作用 。 在以上的區(qū)段則具有 正 溫度系數(shù) 。 電力 MOSFET并聯(lián)運行的特點 電力電子技術 重慶科創(chuàng)職業(yè)學院電力電子實驗室 單相半波可控整流電路實驗 圖 142 電力電子器件分類“樹” 本章小結 主要內容 全面介紹各種主要電力電子器件的基本結構 、 工作原理 、 基本特性和主要參數(shù)等 。 電力電子器件類型歸納 單極型 ：電力 MOSFET和SIT 雙極型 ：電力二極管、晶閘管、 GTO、 GTR和 SITH 復合型 ： IGBT和 MCT 分類： DATASHEET 電力電子技術 重慶科創(chuàng)職業(yè)學院電力電子實驗室 單相半波可控整流電路實驗 本章小結 特點 ：輸入阻抗高 ， 所需驅動功率小 ， 驅動電路簡單 ， 工作頻率高 。 電壓驅動型 ：單極型器件和復合型器件 ， 雙極型器件中的 SITH 電力電子技術 重慶科創(chuàng)職業(yè)學院電力電子實驗室 單相半波可控整流電路實驗 本章小結 IGBT為主體 ， 第四代產品 ， 制造水平 / ，兆瓦以下首選 。 GTO：兆瓦以上首選 ， 制造水平 6kV / 6kA。 電力 MOSFET：長足進步 ， 中小功率領域特別是低壓 ，地位牢固 。 當前的格局