實(shí)驗(yàn)六--單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn)-wenkub.com
2024-08-22 22:00 本頁(yè)面
【正文】 電力 MOSFET：長(zhǎng)足進(jìn)步 ， 中小功率領(lǐng)域特別是低壓 ，地位牢固 。 電壓驅(qū)動(dòng)型 ：?jiǎn)螛O型器件和復(fù)合型器件 ， 雙極型器件中的 SITH 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 本章小結(jié) IGBT為主體 ， 第四代產(chǎn)品 ， 制造水平 / ，兆瓦以下首選 。 電力 MOSFET并聯(lián)運(yùn)行的特點(diǎn) 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 圖 142 電力電子器件分類(lèi)“樹(shù)” 本章小結(jié) 主要內(nèi)容 全面介紹各種主要電力電子器件的基本結(jié)構(gòu) 、 工作原理 、 基本特性和主要參數(shù)等 。 可在源極電路中串入小電感 ,起到均流電抗器的作用 。 當(dāng)需要同時(shí)串聯(lián)和并聯(lián)晶閘管時(shí) ， 通常采用先串后并的方法聯(lián)接 。 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 晶閘管的并聯(lián) 問(wèn)題 ：會(huì)分別因靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性參數(shù)的差異而電流分配不均勻 。 采用電阻均壓 ， Rp的阻值應(yīng)比器件阻斷時(shí)的正 、 反向電阻小得多 。 靜態(tài)不均壓 ：串聯(lián)的器件流過(guò)的漏電流相同 ， 但因靜態(tài)伏安特性的分散性 ， 各器件分壓不等 。 緩沖電路 (Snubber Circuit) ： 又稱 吸收電路 ，抑制器件的內(nèi)因過(guò)電壓、 du/dt、過(guò)電流和 di/dt，減小器件的開(kāi)關(guān)損耗。 開(kāi)通緩沖電路 （ di/dt抑制電路 ） —— 抑制器件開(kāi)通時(shí)的電流過(guò)沖和 di/dt， 減小器件的開(kāi)通損耗 。 短路保護(hù)：快熔只在短路電流較大的區(qū)域起保護(hù)作用 。 其中 RC3和 RCD為抑制內(nèi)因過(guò)電壓的措施，屬于緩沖電路范疇。 多采用專(zhuān)用的混合集成驅(qū)動(dòng)器。 關(guān)斷時(shí)施加一定幅值的負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓 （ 一般取 5 ~ 15V） 有利于減小關(guān)斷時(shí)間和關(guān)斷損耗 。 VD1AVVS0 V+ 10V+ 15VV1VD2VD3VD4V3V2V4V5V6R1R2R3R4R5C1C2圖 131 GTR的一種驅(qū)動(dòng)電路 驅(qū)動(dòng) GTR的集成驅(qū)動(dòng)電路中， THOMSON公司的 UAA4002和三菱公司的 M57215BL較為常見(jiàn)。 圖 129 典型的直接耦合式 GTO驅(qū)動(dòng)電路 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路 開(kāi)通驅(qū)動(dòng)電流應(yīng)使 GTR處于準(zhǔn)飽和導(dǎo)通狀態(tài) ， 使之不進(jìn)入放大區(qū)和深飽和區(qū) 。 GTO關(guān)斷控制 需施加負(fù)門(mén)極電流 。 t I I M t 1 t 2 t 3 t 4 圖 126 理想的晶閘管觸發(fā)脈沖電流波形 t1~t2? 脈沖前沿上升時(shí)間（ 1?s） t1~t3? 強(qiáng)脈寬度 IM? 強(qiáng)脈沖幅值（ 3IGT~5IGT） t1~t4? 脈沖寬度 I? 脈沖平頂幅值（ ~2IGT） 晶閘管的觸發(fā)電路 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 晶閘管的觸發(fā)電路 V V2構(gòu)成 脈沖放大環(huán)節(jié) 。 晶閘管觸發(fā)電路應(yīng)滿足下列要求 ： 脈沖的寬度應(yīng)保證晶閘管可靠導(dǎo)通 。 驅(qū)動(dòng)電路具體形式可為 分立元件 的 ， 但目前的趨勢(shì)是采用 專(zhuān)用集成驅(qū)動(dòng)電路 。 對(duì)半控型器件只需提供開(kāi)通控制信號(hào) 。 ? ? ? ????????? co sco s2s i n221 ??? ? UttdUUd? ?tdiI dd ?????? 21 或 RUI dd ?電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 電力電子器件器件的驅(qū)動(dòng) 電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述 晶閘管的觸發(fā)電路 典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) 電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述 使電力電子器件工作在較理想的開(kāi)關(guān)狀態(tài) ， 縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間 ， 減小開(kāi)關(guān)損耗 。 九、注意事項(xiàng) 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) ? 晶閘管單相半波可控整流，設(shè)交流電壓有效值為 U ，頻率為 f，負(fù)載為電感性負(fù)載，延遲角為 ，如圖所示。 九、注意事項(xiàng) 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) ? (5) 由于晶閘管持續(xù)工作時(shí)，需要有一定的維持電流，故要使晶閘管主電路可靠工作，其通過(guò)的電流不能太小，否則可能會(huì)造成晶閘管時(shí)斷時(shí)續(xù)，工作不可靠。 九、注意事項(xiàng) 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電子實(shí)驗(yàn)室 單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn) ? (4)為避免晶閘管意外損壞，實(shí)驗(yàn)時(shí)要注意以下幾點(diǎn)： ? ①在主電路未接通時(shí)，首先要調(diào)試觸發(fā)電路，只有觸發(fā)電路工作正常后，才可以接通主電路。當(dāng)需要同時(shí)觀察兩個(gè)信號(hào)時(shí)，必須在被測(cè)電路上找到這兩個(gè)信號(hào)的公共點(diǎn)，將探頭的地線接于此處，探頭各接至被測(cè)信號(hào)，只有這樣才能在示波器上同時(shí)觀察到兩個(gè)信號(hào)，而不發(fā)生意外。 ? (2)畫(huà)出電阻性負(fù)載時(shí) Ud/U2=f(α)的實(shí)驗(yàn)曲線，并與計(jì)算值 Ud的對(duì)應(yīng)曲線相比較。 120176。 U2 Ud(記錄值） Ud/U2 Ud（計(jì)算值） 電力電子技術(shù) 重慶科創(chuàng)職業(yè)學(xué)院電力電
數(shù)學(xué)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1