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人教版高中物理知識點總結-閱讀頁

2024-08-10 18:43本頁面
  

【正文】 7〕/物體的內能、分子的動能、分子勢能〔見第二冊P47〕。十、電場、電荷守恒定律、元電荷:(e=1019C);帶電體電荷量等于元電荷的整數倍:F=kQ1Q2/r2(在真空中){F:點電荷間的作用力(N),k:靜電力常量k=109N?m2/C2,2:兩點電荷的電量(C),r:兩點電荷間的距離(m),方向在它們的連線上,作用力與反作用力,同種電荷互相排斥,異種電荷互相吸引}:E=F/q(定義式、計算式){E:電場強度(N/C),是矢量(電場的疊加原理),q:檢驗電荷的電量(C)}(源)電荷形成的電場E=kQ/r2 {r:源電荷到該位置的距離(m),Q:源電荷的電量}=UAB/d {UAB:AB兩點間的電壓(V),d:AB兩點在場強方向的距離(m)}:F=qE {F:電場力(N),q:受到電場力的電荷的電量(C),E:電場強度(N/C)}:UAB=φAφB,UAB=WAB/q=ΔEAB/q:WAB=qUAB=Eqd{WAB:帶電體由A到B時電場力所做的功(J),q:帶電量(C),UAB:電場中A、B兩點間的電勢差(V)(電場力做功與路徑無關),E:勻強電場強度,d:兩點沿場強方向的距離(m)}:EA=qφA {EA:帶電體在A點的電勢能(J),q:電量(C),φA:A點的電勢(V)}=EBEA {帶電體在電場中從A位置到B位置時電勢能的差值}=WAB=qUAB (電勢能的增量等于電場力做功的負值)=Q/U(定義式,計算式) {C:電容(F),Q:電量(C),U:電壓(兩極板電勢差)(V)}=εS/4πkd(S:兩極板正對面積,d:兩極板間的垂直距離,ω:介電常數)常見電容器〔見第二冊P111〕(Vo=0):W=ΔEK或qU=mVt2/2,Vt=(2qU/m)1/2(不考慮重力作用的情況下)類平 垂直電場方向:勻速直線運動L=Vot(在帶等量異種電荷的平行極板中:E=U/d)拋運動 平行電場方向:初速度為零的勻加速直線運動d=at2/2,a=F/m=qE/m注:(1)兩個完全相同的帶電金屬小球接觸時,電量分配規(guī)律:原帶異種電荷的先中和后平分,原帶同種電荷的總量平分;(2)電場線從正電荷出發(fā)終止于負電荷,電場線不相交,切線方向為場強方向,電場線密處場強大,順著電場線電勢越來越低,電場線與等勢線垂直;(3)常見電場的電場線分布要求熟記〔見圖[第二冊P98];(4)電場強度(矢量)與電勢(標量)均由電場本身決定,而電場力與電勢能還與帶電體帶的電量多少和電荷正負有關;(5)處于靜電平衡導體是個等勢體,表面是個等勢面,導體外表面附近的電場線垂直于導體表面,導體內部合場強為零,導體內部沒有凈電荷,凈電荷只分布于導體外表面;(6)電容單位換算:1F=106μF=1012PF;(7)電子伏(eV)是能量的單位,1eV=1019J;(8)其它相關內容:靜電屏蔽〔見第二冊P101〕/示波管、示波器及其應用〔見第二冊P114〕等勢面〔見第二冊P105〕。(4)注意:測量電阻時,要與原電路斷開,選擇量程使指針在中央附近,每次換擋要重新短接歐姆調零。質譜儀〔見第二冊P155〕 {f:洛侖茲力(N),q:帶電粒子電量(C),V:帶電粒子速度(m/s)}(不考慮重力)的情況下,帶電粒子進入磁場的運動情況(掌握兩種):(1)帶電粒子沿平行磁場方向進入磁場:不受洛侖茲力的作用,做勻速直線運動V=V0(2)帶電粒子沿垂直磁場方向進入磁場:做勻速圓周運動,規(guī)律如下:(a)F向=f洛=mV2/r=mω2r=mr(2π/T)2=qVB;r=mV/qB;T=2πm/qB;(b)運動周期與圓周運動的半徑和線速度無關,洛侖茲力對帶電粒子不做功(任何情況下);(c)解題關鍵:畫軌跡、找圓心、定半徑、圓心角(=二倍弦切角)。(4)其它相關內容:自感〔見第二冊P178〕/日光燈〔見第二冊P180〕。注:(1)交變電流的變化頻率與發(fā)電機中線圈的轉動的頻率相同即:ω電=ω線,f電=f線;(2)發(fā)電機中,線圈在中性面位置磁通量最大,感應電動勢為零,過中性面電流方向就改變;(3)有效值是根據電流熱效應定義的,沒有特別說明的交流數值都指有效值;(4)理想變壓器的匝數比一定時,輸出電壓由輸入電壓決定,輸入電流由輸出電流決定,輸入功率等于輸出功率,當負載的消耗的功率增大時輸入功率也增大,即P出決定P入;(5)其它相關內容:正弦交流電圖象〔見第二冊P190〕/電阻、電感和電容對交變電流的作用〔見第二冊P193〕。反射角,i:入射角}(光從真空中到介質)n=c/v=sin /sin {光的色散,可見光中紅光折射率小,n:折射率,c:真空中的光速,v:介質中的光速, :入射角, :折射角}:1)光從介質中進入真空或空氣中時發(fā)生全反射的臨界角C:sinC=1/n2)全反射的條件:光密介質射入光疏介質;入射角等于或大于臨界角
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