電動(dòng)車無刷控制器電路圖(高清)-閱讀頁
2025-07-22 15:19本頁面
【正文】 圈的電流是斷續(xù)的，但上橋關(guān)閉的時(shí)候，由于電機(jī)線圈是一個(gè)電感，線圈上必定會(huì)出現(xiàn)一個(gè)自感反電動(dòng)勢(shì)，這個(gè)反電動(dòng)勢(shì)必須維持線圈電流的方向不變，由于A相上橋已經(jīng)關(guān)閉，這個(gè)電流就會(huì)通過原來已經(jīng)開通的C相下橋，地，A相下橋的續(xù)流二極管繼續(xù)流動(dòng)，見圖6。但在實(shí)際上，由于上下橋在交叉導(dǎo)通時(shí)需要一個(gè)死區(qū)以避免雙管直通造成電源短路，這個(gè)作用會(huì)打一些折扣，不過效果還是很明顯。 同步續(xù)流的實(shí)現(xiàn) ，截波與死區(qū)控制， 電路見圖10 圖10：倒向， 單片機(jī)產(chǎn)生的PWM占空比信號(hào)一路通過與門，經(jīng)R53,R52,C71截波（縮小占空比）后輸出，相位不變，,形成PWM信號(hào)，此路輸出至上橋驅(qū)動(dòng)，與上橋邏輯開關(guān)信號(hào)相與后驅(qū)動(dòng)上橋MOSFET。此時(shí)兩個(gè)信號(hào)輸出時(shí)相位相同，,但由于PWM信號(hào)已經(jīng)偏移750nS,所以PWM信號(hào)剛好套在PWM信號(hào)中間，兩邊空出750nS作為MOSFET開關(guān)的死區(qū)。(原文件名:)(原文件名:)當(dāng)整機(jī)電流比較大，而PWM占空比小于100%時(shí)，由于A相上橋在PWM間隙關(guān)斷導(dǎo)致電機(jī)線圈中出現(xiàn)較大感應(yīng)電流，感應(yīng)電流通過另一相的下橋和A相下橋的二極管泄放，為降低該二極管的功耗，此時(shí)應(yīng)將A相下橋MOSFET打開以減小壓降，這時(shí)單片機(jī)將“PV”信號(hào)端拉低，在PV信號(hào)和反向后的“A+”信號(hào)共同作用下，“PWM”信號(hào)通過U3C傳遞到U2B，而此時(shí)由于“A”為低，所以U2B受“PWM”信號(hào)控制，在PWM信號(hào)關(guān)斷的間隙使下橋MOSFET導(dǎo)通。 五、功率驅(qū)動(dòng)開關(guān)部分。但怎樣獲得比電源電壓還高的驅(qū)動(dòng)電壓呢？一般情況可以通過變壓器耦合驅(qū)動(dòng)信號(hào)，電荷泵升壓提供高壓等方法，而在這里，則采用了一種叫做“高壓浮柵型驅(qū)動(dòng)電路”來驅(qū)動(dòng)上橋。V1的源極接在一起，在電機(jī)不動(dòng)的情況下，所有的MOSFET關(guān)閉，此時(shí)C5通過二極管D1，,當(dāng)A+和PWM的合成信號(hào)使U4A的3腳輸出高電平時(shí)，q1導(dǎo)通帶動(dòng)t1導(dǎo)通，這樣12V多的電壓就會(huì)加到V1的柵極使V1導(dǎo)通，而V1導(dǎo)通使電源電壓加至負(fù)載，也就是V1的源極電壓會(huì)升高至48V，而此時(shí)由于C5充滿電，C5上的電壓仍然是12V，所以可以維持t1的導(dǎo)通并使V1柵極的電壓始終保持高于VCC，這樣V1的柵極就好像隨著源極電壓浮動(dòng)而浮動(dòng)，所以叫做“浮柵驅(qū)動(dòng)”。這里b1放在q1的射極上組成一個(gè)近似恒流的驅(qū)動(dòng)電路，用以保證在C5正極電壓升得很高時(shí)，通過三極管q1的放電電流不致過大而導(dǎo)致電容很快放完。 從上面的過程可以看出，電容C5的充電量應(yīng)該是越大越好，但電容大了，可能二極管來不及給電容充電，電容小了，又不能保證導(dǎo)通時(shí)間，所以這種驅(qū)動(dòng)不能使V1長(zhǎng)時(shí)間維持在導(dǎo)通狀態(tài)，這也是為什么PWM信號(hào)要耦合到上橋的一個(gè)原因。而我們現(xiàn)在這種上下橋類似推挽結(jié)構(gòu)的電路，上橋?qū)〞r(shí)，由于下橋漏極的電壓急劇升高，這種電壓變化會(huì)通過下橋的密勒電容傳遞給下橋的柵極，我們把上橋?qū)〞r(shí)下橋漏極電壓升高的速度以Δv/Δt表示，當(dāng)Δv/Δt足夠大時(shí)，傳遞給下橋柵極的電荷便會(huì)積蓄到足以使下橋?qū)ǖ牡夭?，這樣就會(huì)導(dǎo)致上下橋直接將電源短路，而解決這個(gè)問題最簡(jiǎn)單的辦法，就是讓上下橋開通的速度不要那么快，所以加上阻容延時(shí)，并且這里的k1,k2還有吸收部分沖擊電壓的功效,這里就不多
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