【正文】 ?1%）檢出限（μg?mL1）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差（%）：硅嚴(yán)重干擾鋅的測(cè)定，可用氫氟酸出去硅以消除干擾。溶液酸度應(yīng)保證不低于1％HCl酸度。過(guò)大的電流會(huì)產(chǎn)生自吸收！分析溶液的濃度及含鹽量不宜過(guò)大. 硅嚴(yán)重干擾鋅的測(cè)定，可用氫氟酸出去硅以消除干擾。溶液酸度應(yīng)保證不低于1%HCl酸度。過(guò)大的電流會(huì)產(chǎn)生自吸收！分析溶液的濃度及含鹽量不宜過(guò)大。鋯（Zr）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）燃燒器高度（mm）310火焰類型Air（Mpa,mL/min）C2H2(Mpa,mL/min)N2O（Mpa，mL/min）N2OC2H2, ，6000，5600，5400：：線性相關(guān)系數(shù)特征濃度（μg?mL1 ?1%）檢出限（μg?mL1）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差（%）：％的氟化銨能減低來(lái)自氯、氟、碘和氨的干擾79TAS系列原子吸收分光光度計(jì)分析手冊(cè)第二部分 石墨爐法元素分析條件銀（Ag）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：%硝酸中，灰化溫度可達(dá)到600度，銀化合物溶液英保存在避光處。分析樣品時(shí)應(yīng)扣背景，紫外波段內(nèi)采用氘燈，長(zhǎng)波部分（320nm以上）采用自吸收扣背景方式。除此之外還要注意環(huán)境中的污染問(wèn)題。砷（As）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3＋ Mg(NO3)2涂鋯：升溫程序：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：分析樣品時(shí)，可在樣品和標(biāo)準(zhǔn)溶液中均含加入50倍濃度的鎳作為基體改進(jìn)劑。本實(shí)驗(yàn)中，每進(jìn)樣10μL，加進(jìn)5μL基體改進(jìn)劑。具體配法如下：，Mg(NO3)。使用時(shí)，進(jìn)標(biāo)樣10μL，然后進(jìn)該基體改進(jìn)劑5μL，再運(yùn)行加熱程序。 鋇（Ba）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）4進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：由于在Ba的測(cè)試過(guò)程中石墨管升溫過(guò)程中所發(fā)出的光會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的光譜干擾，因而會(huì)出現(xiàn)“負(fù)峰”現(xiàn)象。鈹（Be）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）4進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3% Mg(NO3)2：升溫程序：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：采用硝酸鎂也可采用Al、Fe作為基體改進(jìn)劑，可明顯增加其靈敏度，增強(qiáng)其穩(wěn)定程度。鈷（Co）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：分析樣品時(shí)可加入50ug Mg(NO3)2作為基體改進(jìn)劑鉻（Cr）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：分析樣品時(shí)可加入50ug Mg(NO3)2作為基體改進(jìn)劑銅（Cu）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序： ：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：分析樣品時(shí)可加入15ugpd+10ug Mg(NO3)2作為基體改進(jìn)劑鐵（Fe）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：鈷、鎳、鋁、硅、鈦對(duì)測(cè)定鐵的影響較大，必須使用較窄的光譜帶寬；分析血清時(shí)蛋白質(zhì)也會(huì)造成注意。加EDTA可掩蔽鈷對(duì)鐵的注意。必須注意分析試劑、器皿及室內(nèi)環(huán)境造成的污染。銦（In）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：分析樣品時(shí)可加入50ug Mg(NO3)2作為基體改進(jìn)劑錳（Mn）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：分析樣品時(shí)可加入50ug Mg(NO3)2作為基體改進(jìn)劑鉬（Mo）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% NO3：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：在石墨爐分析中，由于Mo與C形成難解離的碳化鉬而產(chǎn)生嚴(yán)重的“記憶效應(yīng)”，應(yīng)隨時(shí)采用“空燒”以減少記憶效應(yīng)。在選擇灰化溫度的時(shí)候應(yīng)反復(fù)實(shí)驗(yàn)以選擇最適合灰化溫度。 鈀（Pd）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3標(biāo)準(zhǔn)曲線： 升溫程序：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：鉑（Pt）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：銠（Rh）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：鍶（Sr）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）4進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序 ：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：Sr有記憶效應(yīng)，適當(dāng)采用空燒對(duì)可提高測(cè)試相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差。升溫程序中的凈化步驟對(duì)于去除記憶效應(yīng)也很有重要。鉈（Tl）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）3進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：分析樣品時(shí)可加入15ugPd+10ug Mg(NO3)2作為基體改進(jìn)劑釩（V）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）6進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：在分析樣品前，石墨管應(yīng)反復(fù)空燒凈化。鐿（Yb）：波長(zhǎng)（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時(shí)間（秒）4進(jìn)樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進(jìn)劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：：線性相關(guān)系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 （%）：地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村南大街甲8號(hào) 威地科技大廈郵編：100081電話：01062133636傳真：62121167網(wǎng)址：Email：service