mos管緩啟動(dòng)電路分析-閱讀頁(yè)
2025-07-10 22:18本頁(yè)面
【正文】 隨著Vgs的持續(xù)增大，MOS管進(jìn)入米勒平臺(tái)區(qū)，在米勒平臺(tái)區(qū)，Vgs維持不變，電荷都給Cgd 充電，Ids不變，Vds持續(xù)降低。為確保MOS管狀態(tài)間轉(zhuǎn)換是線性的和可預(yù)知的，外接電容C2并聯(lián)在Cgd上，如果外接電容C2比MOS管內(nèi)部柵漏電容Cgd大很多，就會(huì)減小MOS管內(nèi)部非線性柵漏電容Cgd在狀態(tài)間轉(zhuǎn)換時(shí)的作用，另外可以達(dá)到增大米勒平臺(tái)時(shí)間，減緩電壓下降的速度的目的。控制了漏極電壓線性度就能精確控制沖擊電流。MOS管 Q1放在DC/DC電源模塊的負(fù)電壓輸入端，在上電瞬間，DC/DC電源模塊的第1腳電平和第4腳一樣，然后控制電路按一定的速率將它降到負(fù)電壓，電壓下降的速度由時(shí)間常數(shù)C2*R2決定，這個(gè)斜率決定了最大沖擊電流。圖5 有源沖擊電流限制法電路 D1是一個(gè)穩(wěn)壓二極管，用來(lái)限制MOS管 Q1的柵源電壓。具體情況是： 上電后，MOS管的柵極電壓要慢慢上升，當(dāng)柵源電壓Vgs高到一定程度后，二極管D2導(dǎo)通，這樣所有的電荷都給電容C1以時(shí)間常數(shù)R1C1充電，柵源電壓Vgs以相同的速度上升，直到MOS管Q1導(dǎo)通產(chǎn)生沖擊電流。Vplt可以在MOS管供應(yīng)商所提供的產(chǎn)品資料里找到。l 柵源電壓Vgs 穩(wěn)壓管D1是用來(lái)保護(hù)MOS管Q1的柵極以防止其過(guò)壓擊穿，顯然MOS管Q1的柵源電壓Vgs必須高于穩(wěn)壓管D1的最大反向擊穿電壓。l 導(dǎo)通電阻Rds_on. MOS管必須能夠耗散導(dǎo)通電阻Rds_on所引起的熱量，熱耗計(jì)算公式為： 其中Idc為DC/DC電源的最大輸入電流，Idc由以下公式確定： 其中Pout為DC/DC電源的最大輸出功率，Vmin為最小輸入電壓，η為DC/DC電源在輸入電壓為Vmin輸出功率為Pout時(shí)的效率。MOS管的Rds_on必須很小，它所引起的壓降和輸入電壓相比才可以忽略。 選擇 C2=。 選擇 R2=240kW，選擇 R3=270WR2。 選擇 C1=1μF。 選擇 R1=1kW 圖6所示為圖5 電路的實(shí)測(cè)波形，其中DC/DC電源輸
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