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太陽(yáng)能電池片及組件項(xiàng)目可行性研究報(bào)告-閱讀頁(yè)

2025-05-29 18:48本頁(yè)面
  

【正文】 地,符合土地利用總體規(guī)劃。廠址位于XXXXXXXXXXXXX,對(duì)項(xiàng)目的原材料供應(yīng)和產(chǎn)品銷(xiāo)售市場(chǎng)的開(kāi)發(fā)、拓展等方面可起到積極的作用;開(kāi)發(fā)區(qū)給予各種優(yōu)惠的投資政策,政府的支持有利于企業(yè)長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展;開(kāi)發(fā)區(qū)基礎(chǔ)設(shè)施齊全,生產(chǎn)輔助設(shè)施配套條件好。第二節(jié) 建設(shè)條件一、地理位置東營(yíng)市位于XXXXXXXXXXX地理位置為北緯36176。10′,東經(jīng)118176。10′。南北最大縱距123公里,東西最大橫距74公里,總面積7923平方公里。春季回暖快,降水少,風(fēng)速大,氣候干燥,有“十春九旱”的特點(diǎn);夏季氣溫高,濕度大,降水集中,有時(shí)受臺(tái)風(fēng)侵襲;秋季氣溫急降,雨量驟減,秋高氣爽;冬季雨雪稀少,寒冷干燥。境內(nèi)南北氣候差異不明顯。多集中在夏季,占全年降水量的65%,降水量年際變化大,易形成旱、澇災(zāi)害。凹陷和凸起自北而南主要有:埕子口凸起(東端)、車(chē)鎮(zhèn)凹陷(東部)、義和莊凸起(東部)、沾化凹陷(東部)、陳家莊凸起、東營(yíng)凹陷(東半部)、廣饒凸起(部分)等。西南部最高高程為28米(大沽高程,下同),東北部最低高程1米,自然比降為1/8000~1/12000;西部最高高程為11米,東部最低高程1米,自然比降為1/7000。全市微地貌有5種類(lèi)型:古河灘高地,%,主要分布于黃河決口扇面上游;河灘高地,%,主要分布于黃河河道至大堤之間;微斜平地,%,是崗、洼過(guò)渡地帶;淺平洼地,%,小清河以南主要分布于古河灘高地之間,小清河以北主要分布于微斜平地之中、緩崗之間和黃河故道低洼處;海灘地,%,與海岸線(xiàn)平行呈帶狀分布。黃河水徑流量年際變化大,年內(nèi)分配不均,含沙量大。90年代以來(lái)黃河年徑流量減少,經(jīng)常出現(xiàn)斷流。2007年,利津站實(shí)測(cè)徑流量(報(bào)汛值),比多年平均值少67%。全市除黃河外共有骨干排水河道30條。海域東營(yíng)市海岸線(xiàn)北起順江溝河口,南至淄脈溝口,約占山東省海岸線(xiàn)的1/9。負(fù)10米等深線(xiàn)以?xún)?nèi)淺海面積4800平方公里。海水透明度為32~55厘米。冬季沿岸有3個(gè)月冰期,海水流冰范圍為5~10海里,鹽度在30‰左右;春季海水溫度為12℃~20℃,鹽度多為22‰~31‰;夏季海水溫度為24℃~28℃,鹽度為21‰~30‰;黃河入海口附近常年存在低溫低鹽水舌。易發(fā)生風(fēng)暴潮災(zāi)。三、自然資源土地資源。1855~1985年,黃河平均每年淤地造陸3~4萬(wàn)畝;1985年后,因黃河來(lái)水量減少,造陸速度趨緩。主要分布在小清河以南地區(qū),其北為咸水區(qū)。 2007年,東營(yíng)市總供水量94624萬(wàn)立方米,其中,地表水源供水量84534萬(wàn)立方米,地下水源供水量10090萬(wàn)立方米。至2007年底,勝利油田共發(fā)現(xiàn)不同類(lèi)型油氣田75個(gè),其中約85%集中在東營(yíng)市境內(nèi)。煤的發(fā)育面積約630平方公里,主要分布于廣饒縣東北部、河口區(qū)西部,因埋藏較深,尚未開(kāi)發(fā)利用。四、社會(huì)經(jīng)濟(jì)狀況2008年,在市委、市政府的正確領(lǐng)導(dǎo)下,東營(yíng)市上下以黨的十七大和十七屆三中全會(huì)精神為指導(dǎo),深入貫徹落實(shí)科學(xué)發(fā)展觀,解放思想,開(kāi)拓創(chuàng)新,真抓實(shí)干,勇克時(shí)艱,積極應(yīng)對(duì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展中出現(xiàn)的各種矛盾和問(wèn)題,扎實(shí)推進(jìn)黃河三角洲開(kāi)發(fā)建設(shè),國(guó)民經(jīng)濟(jì)保持了健康較快增長(zhǎng),各項(xiàng)社會(huì)事業(yè)穩(wěn)步協(xié)調(diào)發(fā)展。全市實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)總值2065億元,%;規(guī)模以上工業(yè)增加值1680億元,%;全社會(huì)固定資產(chǎn)投資868億元,%;社會(huì)消費(fèi)品零售總額254億元,%;,增長(zhǎng)18%;,;城鎮(zhèn)居民人均可支配收入達(dá)到19300元,%;農(nóng)民人均純收入達(dá)到6600元,%;外經(jīng)外貿(mào)平穩(wěn)發(fā)展,%,%;,增長(zhǎng)15%。五、交通條件處在東北經(jīng)濟(jì)區(qū)至中原經(jīng)濟(jì)區(qū)和京、津、塘經(jīng)濟(jì)區(qū)至山東半島經(jīng)濟(jì)區(qū)的交匯點(diǎn)上,是黃河經(jīng)濟(jì)協(xié)作帶和環(huán)渤海經(jīng)濟(jì)圈的結(jié)合部。綜上所述,項(xiàng)目擬建在,地理位置優(yōu)越。 第五章 工程技術(shù)方案第一節(jié) 項(xiàng)目組成本項(xiàng)目擬建在 XXXXXXXXXX征用土地216000平方米,建設(shè)車(chē)間和倉(cāng)庫(kù)、辦公室,并適當(dāng)建設(shè)配套設(shè)施,購(gòu)置關(guān)鍵設(shè)備,滿(mǎn)足生產(chǎn)的基本需求,形成年產(chǎn)40MW單晶硅錠、60MW多晶硅錠及100MW硅片(WAFER)、25MW電池片(CELL)、200MW組件(MODULE)及伺服系統(tǒng)的生產(chǎn)能力。太陽(yáng)能電池硅錠主要有單晶硅錠和多晶硅錠,這兩種硅錠各有缺點(diǎn),單晶硅做成的電池效率高,但硅錠生產(chǎn)效率低,能耗大;多晶硅電池效率比單晶硅低一些,但硅錠生產(chǎn)效率高,在規(guī)?;a(chǎn)上較有優(yōu)勢(shì)。一、單晶硅錠的制備工藝太陽(yáng)電池單晶硅錠生產(chǎn)技術(shù)主要有切克勞斯基法(CZ法)與區(qū)熔法(FZ法),區(qū)熔法(FZ法)由于硅中雜質(zhì)的分凝效應(yīng)和蒸發(fā)效應(yīng),可獲得高純單晶硅,但液固相轉(zhuǎn)變溫度高,能耗大,多次區(qū)熔提純成本高。CZ法是利用旋轉(zhuǎn)著的籽晶從坩堝中的熔體中提拉制備出單晶的方法,又稱(chēng)直拉法。本項(xiàng)目生產(chǎn)所用直拉單晶爐是采用切克勞斯基法的技術(shù)。工藝特點(diǎn):多晶硅硅料置于坩堝中經(jīng)加熱熔化,待溫度合適后,經(jīng)過(guò)將籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑、收尾等步驟,完成一根單晶硅錠的拉制。CZ900A型單晶爐二、多晶硅錠的制備工藝根據(jù)生長(zhǎng)方法的不同,多晶硅可分為等軸晶、柱狀晶。如果在凝固過(guò)程中控制液固界面的溫度梯度,形成單方向熱流,實(shí)行可控的定向凝固,則可形成物理機(jī)械性能各向異性的多晶柱狀晶,太陽(yáng)能電池多晶硅錠就是采用這種定向凝固的方法生產(chǎn)的。熱交換法及布里曼法都是把熔化及凝固置于同一坩堝中( 避免了二次污染),其中熱交換法是將硅料在坩堝中熔化后,在坩堝底部通冷卻水或冷氣體,在底部進(jìn)行熱量交換,形成溫度梯度,促使晶體定向生長(zhǎng)。其特點(diǎn)是液相溫度梯度dT/dX 接近常數(shù),生長(zhǎng)速度受工作臺(tái)下移速度及冷卻水流量控制趨近于常數(shù),生長(zhǎng)速度可以調(diào)節(jié)。本項(xiàng)目采用中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所研發(fā)的擁有先進(jìn)技術(shù)的R134501型多晶硅鑄錠爐,它采用先進(jìn)的多晶硅定向凝固技術(shù),將硅料高溫熔融后通過(guò)特殊工藝定向冷凝結(jié)晶,從而達(dá)到太陽(yáng)能電池生產(chǎn)用多晶硅品質(zhì)的要求,是一種適用于長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)工作,高精度、高可靠性、自動(dòng)化程度高的智能化大生產(chǎn)設(shè)備。硅料熔融時(shí),熱開(kāi)關(guān)關(guān)閉,結(jié)晶時(shí)打開(kāi),將坩堝底部的熱量通過(guò)工作臺(tái)內(nèi)的冷卻水帶走,形成溫度梯度。R134501型多晶硅鑄錠爐三、硅片的加工工藝硅片的加工是將硅錠經(jīng)表面整形、切割、研磨、腐蝕、拋光、清洗等工藝,加工成具有一定寬度、長(zhǎng)度、厚度、晶向和高度、表面平行度、平整度、光潔度,表面無(wú)缺陷、無(wú)崩邊、無(wú)損傷層,高度完整、均勻、光潔的鏡面硅片。將硅錠按照技術(shù)要求切割成硅片,才能作為生產(chǎn)制造太陽(yáng)能電池的基體材料。所謂切片,就是硅錠通過(guò)鑲鑄金剛砂磨料的刀片(或鋼絲)的高速旋轉(zhuǎn)、接觸、磨削作用,定向切割成為要求規(guī)格的硅片。切片的方法主要有外圓切割、內(nèi)圓切割、多線(xiàn)切割以及激光切割等。切片工藝技術(shù)的原則要求是:①切割精度高、表面平行度高、翹曲度和厚度公差小。③提高成品率,縮小刀(鋼絲)切縫,降低原材料損耗。四、晶體生產(chǎn)及切片工藝流程 硅料分選硅料清洗晶體生長(zhǎng)切段切方切片硅片清洗硅片檢驗(yàn)硅片包裝晶體生產(chǎn)及切片工藝流程示意圖第三節(jié) 太陽(yáng)能電池片(CELL)工藝技術(shù)方案電池片生產(chǎn)工藝較復(fù)雜,要經(jīng)過(guò)硅片檢測(cè)、表面制絨、擴(kuò)散制結(jié)、去磷硅玻璃、等離子刻蝕、鍍減反射膜、絲網(wǎng)印刷、快速燒結(jié)和檢測(cè)分裝等主要步驟。該工序主要用來(lái)對(duì)硅片的一些技術(shù)參數(shù)進(jìn)行在線(xiàn)測(cè)量,這些參數(shù)主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。其中,光伏硅片檢測(cè)儀對(duì)硅片表面不平整度進(jìn)行檢測(cè),同時(shí)檢測(cè)硅片的尺寸和對(duì)角線(xiàn)等外觀參數(shù);微裂紋檢測(cè)模塊用來(lái)檢測(cè)硅片的內(nèi)部微裂紋;另外還有兩個(gè)檢測(cè)模組,其中一個(gè)在線(xiàn)測(cè)試模組主要測(cè)試硅片體電阻率和硅片類(lèi)型,另一個(gè)模塊用于檢測(cè)硅片的少子壽命。硅片檢測(cè)設(shè)備能夠自動(dòng)裝片和卸片,并且能夠?qū)⒉缓细衿贩诺焦潭ㄎ恢?,從而提高檢測(cè)精度和效率。而后進(jìn)行硅片表面絨化,現(xiàn)在常用的硅片的厚度180mm左右。三、擴(kuò)散制結(jié)太陽(yáng)能電池需要一個(gè)大面積的PN結(jié)以實(shí)現(xiàn)光能到電能的轉(zhuǎn)換,而擴(kuò)散爐即為制造太陽(yáng)能電池PN結(jié)的專(zhuān)用設(shè)備。擴(kuò)散一般用三氯氧磷液態(tài)源作為擴(kuò)散源。經(jīng)過(guò)一定時(shí)間,磷原子從四周進(jìn)入硅片的表面層,并且通過(guò)硅原子之間的空隙向硅片內(nèi)部滲透擴(kuò)散,形成了N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的交界面,也就是PN結(jié)。制造PN結(jié)是太陽(yáng)能電池生產(chǎn)最基本也是最關(guān)鍵的工序。四、等離子刻蝕由于在擴(kuò)散過(guò)程中,即使采用背靠背擴(kuò)散,硅片的所有表面包括邊緣都將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。因此,必須對(duì)太陽(yáng)能電池周邊的摻雜硅進(jìn)行刻蝕,以去除電池邊緣的PN結(jié)。等離子刻蝕是在低壓狀態(tài)下,反應(yīng)氣體CF4的母體分子在射頻功率的激發(fā)下,產(chǎn)生電離并形成等離子體?;钚苑磻?yīng)基團(tuán)由于擴(kuò)散或者在電場(chǎng)作用下到達(dá)SiO2表面,在那里與被刻蝕材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),并形成揮發(fā)性的反應(yīng)生成物脫離被刻蝕物質(zhì)表面,被真空系統(tǒng)抽出腔體。在擴(kuò)散過(guò)程中,POCL3與O2反應(yīng)生成P2O5淀積在硅片表面。去磷硅玻璃的設(shè)備一般由本體、清洗槽、伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、機(jī)械臂、電氣控制系統(tǒng)和自動(dòng)配酸系統(tǒng)等部分組成,主要?jiǎng)恿υ从袣浞?、氮?dú)?、壓縮空氣、純水,熱排風(fēng)和廢水。若氫氟酸過(guò)量,反應(yīng)生成的四氟化硅會(huì)進(jìn)一步與氫氟酸反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸?,F(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)中常采用PECVD設(shè)備制備減反射膜。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度,然后通入適量的反應(yīng)氣體SiH4和NH3,氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng),在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。這樣厚度的薄膜具有光學(xué)的功能性。七、絲網(wǎng)印刷太陽(yáng)能電池經(jīng)過(guò)制絨、擴(kuò)散及PECVD等工序后,已經(jīng)制成PN結(jié),可以在光照下產(chǎn)生電流,為了將產(chǎn)生的電流導(dǎo)出,需要在電池表面上制作正、負(fù)兩個(gè)電極。絲網(wǎng)印刷是采用壓印的方式將預(yù)定的圖形印刷在基板上,該設(shè)備由電池背面銀鋁漿印刷、電池背面鋁漿印刷和電池正面銀漿印刷三部分組成。油墨在移動(dòng)中被刮刀從圖形部分的網(wǎng)孔中擠壓到基片上。八、快速燒結(jié)經(jīng)過(guò)絲網(wǎng)印刷后的硅片,不能直接使用,需經(jīng)燒結(jié)爐快速燒結(jié),將有機(jī)樹(shù)脂粘合劑燃燒掉,剩下幾乎純粹的、由于玻璃質(zhì)作用而密合在硅片上的銀電極。燒結(jié)爐分為預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個(gè)階段。第四節(jié) 電池組件封裝工藝技術(shù)方案組件線(xiàn)又叫封裝線(xiàn),封裝是太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中的關(guān)鍵步驟,沒(méi)有良好的封裝工藝,多好的電池也生產(chǎn)不出好的組件板。產(chǎn)品的高質(zhì)量和高壽命是贏得可客戶(hù)滿(mǎn)意的關(guān)鍵,所以組件板的封裝質(zhì)量非常重要。二、工藝簡(jiǎn)介電池測(cè)試:由于電池片制作條件的隨機(jī)性,生產(chǎn)出來(lái)的電池性能不盡相同,所以為了有效的將性能一致或相近的電池組合在一起,所以應(yīng)根據(jù)其性能參數(shù)進(jìn)行分類(lèi);電池測(cè)試即通過(guò)測(cè)試電池的輸出參數(shù)(電流和電壓)的大小對(duì)其進(jìn)行分類(lèi)。自動(dòng)焊接:是將匯流帶焊接到電池正面(負(fù)極)的主柵線(xiàn)上,匯流帶為鍍錫的銅帶,我們使用的焊接機(jī)可以將焊帶以多點(diǎn)的形式點(diǎn)焊在主柵線(xiàn)上。焊帶的長(zhǎng)度約為電池邊長(zhǎng)的2倍。敷設(shè):將排版完的組件檢驗(yàn)合格后,焊接正負(fù)極的引線(xiàn)端,然后覆蓋一層EVA和背材,并將引線(xiàn)端穿孔。(敷設(shè)層次:由下向上:玻璃、EVA、電池、EVA、玻璃纖維、背板)。層壓工藝是組件生產(chǎn)的關(guān)鍵一步,層壓溫度層壓時(shí)間根據(jù)EVA的性質(zhì)決定。固化溫度為150℃。裝框:類(lèi)似與給玻璃裝一個(gè)鏡框;給玻璃組件裝鋁框,增加組件的強(qiáng)度,進(jìn)一步的密封電池組件,延長(zhǎng)電池的使用壽命。各邊框間用角鍵連接。高壓測(cè)試:高壓測(cè)試是指在組件邊框和電極引線(xiàn)間施加一定的電壓,測(cè)試組件的耐壓性和絕緣強(qiáng)度,以保證組件在惡劣的自然條件下不被損壞。第五節(jié) 伺服系統(tǒng)方案太陽(yáng)能作為一種清潔無(wú)污染的能源, 發(fā)展前景非常廣闊, 太陽(yáng)能發(fā)電已成為全球發(fā)展速度最快的技術(shù)。目前很多太陽(yáng)能電池板陣列基本上都是固定的, 沒(méi)有充分利用太陽(yáng)能資源, 發(fā)電效率低下。太陽(yáng)發(fā)電自動(dòng)光源跟蹤系統(tǒng)憑借多軸運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng),不斷調(diào)整太陽(yáng)能電池板,達(dá)到最佳的角度和位置,獲得最強(qiáng)烈的陽(yáng)光。一、自動(dòng)太陽(yáng)跟蹤器的基本原理自動(dòng)太陽(yáng)跟蹤器,故名思意基本功能就是使光伏陣列隨著太陽(yáng)而轉(zhuǎn)動(dòng),基本原理框圖如圖所示。雖然太陽(yáng)在太空中的位置時(shí)刻都在變化,但其運(yùn)行卻具有嚴(yán)格的規(guī)律性,在地平坐標(biāo)系中,太陽(yáng)的位置可由高度角a與方位角φ來(lái)確定,公式如下:式中: δ為太陽(yáng)赤緯角;φ為當(dāng)?shù)氐木暥冉?;ω為時(shí)角。二、系統(tǒng)的整體設(shè)計(jì)方案PIC16F877A是一款具有RISC結(jié)構(gòu)的高性能中檔單片機(jī),僅有35條單字指令,8 k14個(gè)字節(jié)FLASH程序存儲(chǔ)器,3688個(gè)字節(jié)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,2568個(gè)字節(jié)E2PROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,14個(gè)中斷源,8級(jí)深度的硬件堆棧,內(nèi)部看門(mén)狗定時(shí)器,低功耗休眠模式,高達(dá)25 mA的吸入/拉出電流,外部具有3個(gè)定時(shí)器模塊,2個(gè)16位捕捉器/16位比較器/10位PWM模塊,10位多通道A/D轉(zhuǎn)換器,通用同步異步接收/發(fā)送器等功能模塊??刂茊卧山嵌扔?jì)算及反饋控制、啟動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生、電機(jī)驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生、保護(hù)信號(hào)處理與人機(jī)通訊5個(gè)部分組成。驅(qū)動(dòng)執(zhí)行單元主要功能是用來(lái)實(shí)現(xiàn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)與旋轉(zhuǎn),并通過(guò)機(jī)械傳動(dòng)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)光伏電池陣列轉(zhuǎn)動(dòng)。(1)角度計(jì)算及反饋控制單片機(jī)通過(guò)外擴(kuò)三態(tài)鎖存器輸入口獲取時(shí)鐘模塊產(chǎn)生的時(shí)間信號(hào)與光電旋轉(zhuǎn)編碼器的位置信號(hào)后,利用單片機(jī)快速運(yùn)算處理能力用軟件加以實(shí)現(xiàn);(2)電機(jī)驅(qū)動(dòng)信號(hào)生成本項(xiàng)目采用的是步進(jìn)電機(jī),其驅(qū)動(dòng)脈沖由單片機(jī)內(nèi)部自帶的10位PWM波發(fā)生模塊產(chǎn)生,只需在軟件中設(shè)置相應(yīng)的有關(guān)參數(shù)就可改變電機(jī)的轉(zhuǎn)速; (3)上位機(jī)監(jiān)控系統(tǒng)是利用單片機(jī)內(nèi)部自帶的異步接受/發(fā)送器等功能模塊,硬件部分只需加MAX 232加以電平轉(zhuǎn)換,便可實(shí)現(xiàn)PC機(jī)與單片機(jī)的數(shù)據(jù)傳輸; (4)考慮到光伏發(fā)電只有在太陽(yáng)光強(qiáng)滿(mǎn)足一定強(qiáng)度的時(shí)候才能發(fā)電,啟動(dòng)信號(hào)主要是利用光敏二極管檢測(cè)光強(qiáng),保證系統(tǒng)在夜間或陰雨天不滿(mǎn)足發(fā)電條件的情況下,系統(tǒng)停止跟蹤,檢測(cè)主要由放大、比較與光耦隔離3個(gè)部分組成。電網(wǎng)掉電檢測(cè)主要由降壓、整流與光耦隔離3個(gè)部分組成。 首先對(duì)單片機(jī)進(jìn)行初始化,之后讀取系統(tǒng)初始校驗(yàn)值作為光電旋轉(zhuǎn)編碼器的位置基準(zhǔn)。為了充分利用PIC16F877單片機(jī)的系統(tǒng)資源,提高單片機(jī)的檢測(cè)速度,單片機(jī)接收PC機(jī)的數(shù)據(jù)采用中斷來(lái)實(shí)現(xiàn),流程框圖如圖5所示。第六節(jié) 主要設(shè)備選型根據(jù)產(chǎn)品生產(chǎn)工藝要求及工業(yè)參數(shù)計(jì)算確定各工序設(shè)備的規(guī)格與
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