生物物理學(xué)導(dǎo)論ppt課件-閱讀頁
2025-05-16 13:44本頁面
【正文】 看到， Pmf由一濃度項 ? (PH梯度 )和一電學(xué)項 (膜電位 )組成。 當(dāng) ? 然，當(dāng)在磷酸化系統(tǒng)中存在 ADp和磷酸時，通過 ATP合成 ? 引起酌質(zhì)子運動會使限電位放電，因為它與“質(zhì)子泵”引起的 ? 質(zhì)子運動方向相反。 M f20w)必然出現(xiàn)．以至 ? 少在一定程度上阻止膜電位過份升高。在缺乏 ATP合成的葉綠體制劑中，實 ? 際證實了這種抗楊離子運動。在 ? 線粒體中， K?和 Na4酌反相運動看來就是膜電位的補償過 ? 程。 K?和 Nal只有低的滲透值， G]—也 ? 有同樣情況。 PH梯廢和膜電位 ? 會產(chǎn)生這樣的問題： ATP通過 ? ATP朗的逆向作用酌合成，只是由于 P2“f的 PH梯度項產(chǎn)生 ? 的呢，抑或膜電位項也可完成這一任務(wù)。我們已經(jīng)看到，解偶聯(lián)劑使離子運動穿過膜。 這一實驗的給果是，在線粒體和 RI?綠體的類夷體制刑 ? 中， ATl2合成被解偶服，而在細(xì)菌制劑中，并不被解侶聯(lián)。除非破壞離子梯度的試劑 (如尼日里亞菌素 )也存 ? 在，絢氨雷素并不使結(jié)合成微囊休的三種膜個的任何一種的 ? ATP合成解憫聯(lián)。 ? 這些結(jié)果意味老，細(xì)菌灼邊向 ATP酶也利用膜電位工 ? 作。 ? 光誘導(dǎo)三個類胡蘿 r素吸收帶的紅移 (國 5． 40 M)，這是由于 ? 通過電子傳遞以及質(zhì)子梯度的膜電位成份，產(chǎn)生了電位。 KGl肋另一次“脈沖式”注入將再次引起瞬 ? 時吸收變化。 ? 由加入 kcl引起的瞬時類胡蘿 F素吸收的變化且是 Kl ? 外側(cè)濃度對數(shù)的線性函數(shù)，這一關(guān)系示丁圖5． 41今。在一 ? 些光合作用細(xì)菌的色素細(xì)胞中，已由此測定出光誘導(dǎo)的蠟電 ? 位 (由于電子傳遞穿址膜 )為 420毫伏，光誘導(dǎo)的穩(wěn)態(tài)電位 ? (由于移位的 M?J有 24D毫伏這樣高。 ? 表 5． 4i；出了一些測叢 PT”r的咆紹協(xié)和 1d1組份的實駱 ? 結(jié)果，并與在同一實驗小實際測定的合成適員4?y所需的能 ? 量作了比較。由于尼日里亞 ? 菌素的存在，膜電位本身剛夠滿足 ATP合成；瀕氨霉素引起 ? 膜電位 70％抑制，而 APH刀宿到正好使 hTp合成能夠進行 ? 的水平。 ? 對葉綠體和線粒休仍不能作同樣的結(jié)論。運用與上述相同的校服技術(shù)可以證明，盡管 ? 基本的瞬時變化 (用短閃光照明 )可以檢測，但在連續(xù)光照情 ? 況下測得的“穩(wěn)態(tài)膜電位”最好也只有 10毫伏多。因 ? 此，在葉綠體中 PP”f的電成份實際上是不存在的。但是，這個方面的間按證據(jù) ? 是可以參考的。正如前面已經(jīng)提到 ? 過的，這一問題與在逆向 ATP酶系統(tǒng)中合成ATP助機理直 ? 接有關(guān)。在受激膜上傭聯(lián)因子的構(gòu)象變化，也可能是這一機理的一個 ? 基本特征。前面已提到， A?p酶位于蘑菇狀的偶 ? 脹因子中。在引起質(zhì)子梯度和 ? 偶聯(lián)因子中的構(gòu)象變化方面，這一刺激作用是明顯的。 ? A?、 P合成的化學(xué)本身，特別是這一化學(xué)過程被質(zhì)子的電 ? 化學(xué)勢驅(qū)動的達徑，是富有挑戰(zhàn)性的問題，這個問題離解決還 ? 很遠(yuǎn)。
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1