提高led的發(fā)光效率-閱讀頁
2025-06-02 23:46本頁面
【正文】 叢 (MetalClusters)掩膜濕法腐蝕技術，粗化 LED的 P型層，將光轉換效率提高了 62％。 ? w． C． Peng等人在芯片的下表面非摻雜GaN層采用 100的 45％的 NaOH進行濕法粗化，粗化 1min后表面如圖 1． 5所示，形成一些錐形表面，實驗證明在芯片下表面的非摻雜 GaN進行粗化，將使上下表面的光都有所提高，結果表明上表面出光提高 73％，下表面出光提高 53％，緊接著他們都對 LED芯片進行上下表面的雙面粗化，在20mA電流條件下，上下表面光強分別提高2． 77和 2． 73倍，如圖 16所示 ? 三：電流擴散 ? 發(fā)光二極管的上電極對光輸出影響很大，特別是電流較集中于電極下方的器件。頂層即電流擴散層有效地把注入器件的電流擴展開來是有效解決電極阻擋的方法之一 (如圖 18所示 ) ? 采用 MOCVD設備一次完成器件結構的材料生長，生長出幾十個微米厚的電流擴散層是不現實的，一般只生長幾個微米到十幾個微米厚。如在 A1GalnP發(fā)光器件中加入高摻雜 pGaP層。 ? 對于優(yōu)化 LED，還可以通過光子晶體，光學增透膜，襯底剝離技術，倒裝芯片技術等，這里就不繼續(xù)鰲述了。 ? 參考文獻： ? AlGaInP與 GaN LED電極形狀的優(yōu)化設計 張俊兵 ? Si襯底 GaN基藍光 LED芯片出光效率的研究 俞振南 ? 采用光子晶體與全向反射鏡提高 LED光提取效率 許慶濤
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