提高led的發(fā)光效率(編輯修改稿)
2025-06-18 23:46 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 的引入，使 LED的內(nèi)量子超過(guò) 80％，提高的空間不大，反而在提取效率方面，主要由于內(nèi)部反射的原因，提取效率一直非常低，成為遏制外量子效率不能提高的主要原因，下面就重點(diǎn)闡述導(dǎo)致提取效率低下的主要原因，以及目前國(guó)內(nèi)外的一些改善方法。 目前 LED優(yōu)化設(shè)計(jì)取得的成果 ? 一： LED形狀的設(shè)計(jì) ? 在芯片形狀設(shè)計(jì)上，科研人員設(shè)計(jì)了各式各樣的形狀以提高出光，最為典型的是長(zhǎng)方體形和圓柱形，如圖 11所示。 ? 近年來(lái)， Krames科研小組在芯片形狀設(shè)計(jì)上突破性地提出了倒金字塔形結(jié)構(gòu) (如圖 1— 2所示 )。它是在透明襯底 LED基礎(chǔ)上的再次加工。將bonding后的 LED晶片倒置，切去四個(gè)方向的下角，斜面與垂直方向的夾角為 35圖中 b， d是橫截面的示意圖，它演示了光出射的路徑。 LED的這種幾何外形可以使內(nèi)部反射的光從側(cè)壁的內(nèi)表面再次傳播到上表面，而以小于 l臨界角的角度出射。同時(shí)使那些傳播到上表面大于臨界角的光重新從側(cè)面出射。這兩種過(guò)程能同時(shí)減小光在內(nèi)部傳播的路程。文獻(xiàn)報(bào)道采用這種結(jié)構(gòu)可以將提取效率提高 1． 4倍，外量子效率達(dá)到 55％ (=650nm)。 ? 最近 Nakamura等人利用 nZnO的高透光率和在鹽酸中的選擇腐蝕性，將水熱法合成的 nZnO與 MOCVD方法制成的 pGaN在高溫下單軸壓力驅(qū)使下鍵合在一起制成，然后利用 nZnO在鹽酸中的選擇腐蝕性，腐蝕出 (1011)面，制成如圖 1． 3所示具有六棱錐形狀芯片，結(jié)果顯示
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