led發(fā)光原理與芯片制造-閱讀頁
2025-05-31 22:41本頁面
【正文】 直接帶隙的材料。 ?透明襯低或反射鏡 ： 分布式布拉格反射鏡（ DBR ） 芯片的外部結(jié)構(gòu) ： ?半圓形球面 ： 一般的平面 LED光因臨界角被限制不易射出，所以采用半圓形球 面，使光不受臨界角的限制射出。在同一窗口層厚度時， ODR LED的光取出效率比 DBR LED要高很 多。而且能級量化，能隙變大，發(fā)光波長往短波長移 動，發(fā)光時接近間接能隙而降低量子效率的困擾。增加一層電流擴散層，可降低串聯(lián)電阻，使加于 LED上的電流擴散開， 提高發(fā)光效率。 東芝公司用 N局限層在 P電接觸區(qū)減少不發(fā)光區(qū)電流的分布以增加效率 一般電流局限層（ CBL）都是間接做在 P極下， CBL層很多用 SiO2做成，其目的是使電流流不到在電接觸區(qū)下的量子阱區(qū)，防 止只在電極附近發(fā)光。 同一窗口層厚度時， ODR LED的光 取出效率比 DBR LED要高很多。準備好制作基底外延片所需的材料源和各種 高純的氣體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。 LED制作流程分為兩大部分： 制作 LED外延片的主要方法 ： ?氣相外延（ VPE）：材料在氣相狀況下沉積在單晶基片上，這種生長單晶薄 膜的方法叫氣相外延法，氣相外延有開管和閉管兩種方式 ?？刂平Y(jié)晶層的厚度得到新的單晶薄膜。 ?等離子體增強化學氣相淀積 (PECVD) ：是利用高頻在兩平板電極之間激發(fā)氣 體放電形成等離子體，高化學活性的反應物可使成膜反應在較低溫度下進行。它采用 Ⅲ 族、 Ⅱ 族元素的有機化合物 和 Ⅴ 族元素的氫化物等作為晶體生長原料，以熱分解反應方式在襯底上進行 汽相外延，生長各種 Ⅲ Ⅴ 族、 Ⅱ Ⅵ 族化合物半導體以及它們的多元固溶體的 薄膜層單晶材料。 MOCVD通過控制溫度、 壓力、反應物濃度、 Ⅲ 族 的有機金屬和 Ⅴ 族比例， 從而控制鍍膜成分、晶相 等品質(zhì)。 利用熔合設(shè)備將蝕刻好的晶片 放入該項設(shè)備，一段時間，使 蒸鍍金屬層之間或蒸鍍金屬與 磊晶片表層原子相互熔合，目 的形成 . 利用化學藥水，通常是酸性藥 水，將發(fā)光區(qū)裸露的金屬層蝕 刻掉。 如果晶片清洗不夠干凈，蒸鍍系統(tǒng)不正常，會導致 蒸鍍出來的金屬層（指蝕刻后的電極）會有脫落，金屬層外觀變色，金泡等異常。黃光作業(yè)中若顯影不完全及光罩有破洞會在發(fā)光區(qū)產(chǎn)生殘金殘鋁。例如有些電極腳會變細或消失。經(jīng)過測試后還進行二刀切割， 可能會造成背面崩裂。在高頻電路中，還要考慮：結(jié)電容 Cj和響應時間。 ?與 LED器件性能有關(guān)的熱學指標。 還有其他的如：防靜電指標，失效率和壽命等。 對 LED的封裝要實現(xiàn)輸入電信號、保護芯片正常工作、保證可見光的輸出， 其中既有電參數(shù)又有光參數(shù)的設(shè)計及技術(shù)要求。比較有名的有： 表面貼片二極管（ SMD）和食人魚封裝技術(shù)。 在各種新興的應用領(lǐng)域不斷涌現(xiàn)的帶動下，近些年 LED市場規(guī)模得到了快 速提升。由于 LED具有壽 命長、無污染、功耗低的特點，未來 LED還將逐步取代熒光燈、白熾燈，成為 下一代綠色照明光源。另一方面，隨著 LED封裝產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展， 也為 LED芯片提供了廣闊的市場需求。 現(xiàn)在各國都對 LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也給 予了大力支持。 有專家預稱，在 2021年以后 LED將代替現(xiàn)有的照明燈泡， LED照 明的取代又稱做“愛迪生時代的結(jié)束”， LED將是 21世紀的明星產(chǎn)業(yè)。 加油， Go Go!
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