led芯片結(jié)構(gòu)ppt課件-閱讀頁
2025-05-18 18:39本頁面
【正文】 。Date濟 南大學理學院第 2章 LED的封裝原物料 制作 LED磊芯片方法的比較 HBLEDLDVCSELHBT成本較高良好率低原料取得不易磊晶純度佳磊晶薄度控制佳磊晶平整度佳將有機金屬以氣體 形 式擴散至基板促使晶格表面粒子凝結(jié)MOCVD傳統(tǒng) LED磊晶薄度及平整 度控制不易磊晶長成速度快量產(chǎn)能力尚可以氣體或電漿材料傳輸至基板促使晶格表面粒子凝結(jié)或解離VPE傳統(tǒng) LED磊晶薄度控制差磊晶平整度差操作簡單磊晶長成速度快具量產(chǎn)能力以溶融態(tài)的液體材料直接和基板接觸而沉積晶膜LPE主要應(yīng)用缺點優(yōu)點特色磊晶方法 制作磊芯片的幾種常用方法Date濟 南大學理學院第 2章 LED的封裝原物料 常用芯片簡圖 012UY512UOL 010BL TB024IDate濟 南大學理學院第 2章 LED的封裝原物料 lamp 一、 LED支架圖Date濟 南大學理學院第 2章 LED的封裝原物料 三、 LED支架尺寸說明80100um銀層厚度4050 四、 LED支架材質(zhì)銀 (Ag)銅 (Cu)鎳 (Ni)銅 (Cu)2銀 (Ag)銅 (Cu)鎳 (Ni)1外鍍鐵材 (SPCC)、銅材 (Cu)基材LED支架材料注： ； ； 。（略）Date濟 南大學理學院第 2章 LED的封裝原物料 10℃ /5s420177。 10℃ /3min170177。167。2022D11 2022EL31 2022L3平頭 2022C有杯 Date濟 南大學理學院第 2章 LED的封裝原物料 3009 20222 51B 2022 Date濟 南大學理學院第 2章 LED的封裝原物料 LED支架進料檢驗內(nèi)容近 焊點及碗偏離中心軸線向前后左右偏移 (支架彎曲管控：)彎曲變形 (影響產(chǎn)品壽命 ) VF值增加 經(jīng) 150℃ /3h烘烤或焊接實驗后鍍層有起泡或脫落露出銅層鍍層起泡脫落 VF值增加 電鍍層氧化等造成生銹變色 (特別是功能區(qū) )生銹變色，增加挑選工時 同批支架內(nèi)混有兩種或兩種以上不同型號支架混料 1K包裝內(nèi)少數(shù)或少整 K數(shù)數(shù)量短少對 LED造成的影響不良說明項目LED封裝廠家對支架進料時的檢驗內(nèi)容Date濟 南大學理學院第 2章 LED的封裝原物料 杯碗因受損而造成變形碗口變形 LED外觀 LED焊接 有刮傷痕跡造成電鍍層脫落等 (受損面積 )支架刮傷 LED外觀 LED的組裝造成一定影響 支架上 Bar陰陽極或下 Bar有壓傷痕跡 (壓傷面積超過 ，深度超出)支架壓傷成品偏心 (虛焊 ) 支架立于水平面上，量測底部與平面的間隙大于 Date濟 南大學理學院第 2章 LED的封裝原物料 支架表面鍍層厚度上 Bar為100177。全鍍下 Bar為 75177。濟南大學理學院濟南大學理學院蘇永道蘇永道 教授教授Date
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