品質(zhì)管理培訓(xùn)資料-閱讀頁
2024-09-26 13:57本頁面
【正文】 R 表是用來測量什么電子元件的儀器 ? LCR 表是用來測量電阻、電容、電感等電子元件的儀器 . ? 游標(biāo)卡尺可用來測量較小元件直徑 ,內(nèi)徑 ,外徑 ,深度 ,以及各種長度 ,寬度 ,高度 . 第六節(jié) :成品品質(zhì)控制及出貨品質(zhì)控制 成品品質(zhì)控制屬于定點(diǎn)管制 FQC(即 Final Quality Control 的縮寫 ) 1。 出貨品質(zhì)管制 OQC(即 Outgoing Quality Control 的縮寫 ) 附 : 抽樣表：樣本大小代碼 批 量 特殊檢驗水準(zhǔn) 一般檢驗水準(zhǔn) S― 1 S― 2 S― 3 S― 4 Ⅰ Ⅱ Ⅲ 學(xué)習(xí)資料 19 2 至 8 9 至 15 16 至 25 26 至 50 51 至 90 91 至 150 151 至 280 281 至 500 501 至 1200 1201 至 3200 3201 至 10000 10001 至 35000 35001 至 150000 150001 至 500000 500001 以上 A A A A B B B B C C C C D D D A A A B B B C C C D D D E E E A A B B C C D D E E F F G G H A A B C C D E E F G G H J J K A A B C C D E F G H J K L M N A B C D E F G H J K L M N P Q B C D E F G H J K L M N P Q R 附件抽樣表：正常單次檢驗 III級水平表 樣本大小代字 樣本數(shù) 允 收 品 質(zhì) 水 準(zhǔn) (AQL) Ac Re Ac Re Ac Re Ac Re Ac Re Ac Re B 3 C 5 D 8 0 1 E 13 0 1 ↑ F 20 0 1 ↑ ↓ G 32 0 1 ↑ ↓ 1 2 H 50 0 1 ↑ ↓ 1 2 2 3 學(xué)習(xí)資料 20 J 80 0 1 ↑ ↓ 1 2 2 3 3 4 K 125 ↑ ↓ 1 2 2 3 3 4 5 6 L 200 ↓ 1 2 2 3 3 4 5 6 7 8 M 315 1 2 2 3 3 4 5 6 7 8 10 11 N 500 2 3 3 4 5 6 7 8 10 11 14 15 P 800 3 4 5 6 7 8 10 11 14 15 21 22 Q 1250 5 6 7 8 10 11 14 15 21 22 R 2020 7 8 10 11 14 15 21 22 備注 (1) Ac 允收數(shù) (2) Re 拒收數(shù) (3)↓采用箭頭下第一個抽樣計劃，如樣本大小超過或等于 批量時則用 100%之檢驗。 附 :抽樣調(diào)整表 一批不合格 連續(xù) 10 批合格 1 LOT REJ. CONTINUANT 10 LOT ACC. 5 批 二批不合格 連續(xù) 5 批合格 2 LOT REJ. CONTINUANT 5 LOT ACC. 連續(xù) 5 批不合格 CONTINUANT 5 LOT REJ. 第二節(jié)：靜電防護(hù)知識 一 .靜電防護(hù)常識 1。 2。靜電電壓高達(dá)3000V 左右。 。 三、 電電荷產(chǎn)生的種類 : 1. 摩擦 。 。 四 、 電荷對微電子工業(yè)的影響 : 1. 微粒污染 :在潔凈室里是使直徑在 ~ 微米之間的顆粒沉積的主要原因。 2. ESD 失效 (ESD:中文總量 :靜電電壓放電 )靜電放電時，當(dāng)放電電流過大，產(chǎn)生過度熱能，將會擊穿集成電路內(nèi)部線路。 :氧化層的破壞 。 五、半導(dǎo)體的靜電敏感度 : 裝置型式 靜電放電敏感度范圍 V 裝置型式 靜電放電敏感度范圍 V VMOS 301800V 散粒 (肖特基 )二極管 3002500 MOSFET 100200V 薄片電阻 (原細(xì) ) 3003000 學(xué)習(xí)資料 22 GASFET 100300V 雙向晶體管 3807000 EPPROM 100V ECL(發(fā)射極耦合邏輯電路 ) 5001500 JFET 1407000V SCR(可控硅 ) 6801000 SAM 1501500V 散粒 (肖特基 )晶體管 10002500 OPAMP 1902500V 晶體管邏輯電路 10002500 CMOS 2503000V 六、靜電放電的三種形式 :人體形式 。場感應(yīng)形式 。 2. 微電子器件帶電形式 :在自動化生產(chǎn)過程中，一些塑料器件因摩擦產(chǎn)生靜電，通過 ESD 敏感裝置接觸，造成損 壞。 七、 D 等級分類及控制程序 : 1. ESD 等級分類 : 等級 電壓范圍 典型設(shè)備 0 0100V EPPOM VMOS MOSFET, 1 1001000V 薄膜電阻 .二極管 2 10004000V , AND LSI 3 400015000V 大多數(shù)其它半導(dǎo)體 2. ESD 失效的潛伏性 :有時 ESD 并沒有把半導(dǎo)體完全破壞，而只 把組件某部份的品質(zhì)降低。 B:[潛伏性 ESD 問題 ]:在任何場合都會發(fā)生 。 D:[潛伏性 ESD 問題 ]:不只是影響成品用家也會影響各層制造商的維修費(fèi)及聲
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