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2024-10-14 10:05本頁(yè)面
【正文】 發(fā) EOS ESD基本知識(shí) ? 靜電放電三要素 Q＋ M ＋ D=ESD “Q”：一定積累的靜電荷 “ M”：放電途徑，如金屬接觸、對(duì)地或低阻的泄放路徑 “Ｄ”：靜電第三器件 “ＥＳＤ”就是放電（ＺＡＰ） 放電途徑 靜電荷Ｑ ESD敏感器件 ESD基本知識(shí) ? 電子產(chǎn)品失效情況 根據(jù) RAC的統(tǒng)計(jì) ,在所有硬件故障中 ,ESD失效率占 15%,而高靜電敏感的器件 EOS/ESD失效率高達(dá) 60%左右 . ESD引起半導(dǎo)體器件操作，使器件立即失效的機(jī)率約10%(短路、開(kāi)路、無(wú)功能、參數(shù)不符合要求），而 90%的器件則是引入潛在性損傷 ,損傷后電參數(shù)仍符合規(guī)定要求，但減弱了器件抗過(guò)電應(yīng)力的能力，在使用現(xiàn)場(chǎng)容易出現(xiàn)早期失效． ESD基本知識(shí) ? 器件的 ESD失效特征 靜電損傷是一種偶然事件，一般講是與時(shí)間無(wú)關(guān)的，所以不能通過(guò)老化 篩選方法 加以剔除，相反，在老化過(guò)程中，由于器件接地不良，老化設(shè)備不適當(dāng)?shù)倪B接等，反而會(huì)提高ＥＳＤ失效的百分比。 影響器件 ESD敏感程度的因素包括 ：器件設(shè)計(jì)（結(jié)構(gòu)和工藝）、ESD電流、能量包裹、電場(chǎng)強(qiáng)度、放電的上升時(shí)間、制造工藝和器件的封閉類型等。 —— 即電流過(guò)大燒壞 電壓敏感性器件 的損傷是由于 ESD電壓超過(guò)了器件內(nèi)部氧化層、MOS管的柵極搶救無(wú)效的擊穿電壓引起。當(dāng)人走過(guò)樓面時(shí)，靜電電荷就在人體上積累。用以模擬這類事件的模型就叫人體模型（ HBM）， 其等效電路如圖所示。 1%) ? Cb — 人體等效電容 (100PF177。 ESD標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試 ? 機(jī)器模式（ＭＭ） ESD 器件 ESD電壓閾值 Class M1 : 100V Class M2 : 100 to 200V Class M3 : 200 to 400V Class M4 : ≥400V ESD標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試 ? 機(jī)器模式 (MM) EIA/JESD22A115A器件 ESD電壓閾值 Class A : 200V Class B : 200 to 400V Class C : ≥400V ESD標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試 ? 充電器件模型 （ CDM: Charged Device Model) 半導(dǎo)體器件主要采用三種封裝形式金屬 \陶瓷 \塑料 ).它們?cè)谘b配、傳遞、試驗(yàn)、測(cè)試、運(yùn)輸及存貯過(guò)程中，由于管殼與其它絕緣材料（如用的塑料袋、傳遞用的塑料窗口等）相互摩擦，就會(huì)使管殼帶電。 CDM模型就是基于已帶電的器件通過(guò)管腳與地接觸時(shí)，發(fā)生對(duì)地放電引起器件失效而建立的 .JEDEC JESD22C101B器件 ESD電壓閾值如下： ClassⅠ : 200V ClassⅡ : 200 to 500V ClassⅢ : 500 to 1000V ClassⅣ : above 1000V ESD標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試 ? 充電器件模式（ CDM） ESD STM ESD電壓閾值 Class C1 : 125V Class C2 : 125 to 250V Class C3 : 250 to 500V Class C4 : 500 to 1000V Class C5 : 1000 to 1500
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