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某科技股份有限公司ic失效分析培訓教材-在線瀏覽

2024-10-28 16:54本頁面
  

【正文】 在濕氣環(huán)境下之可靠度,使用溫度條件加速水汽滲透。 低溫試驗LT:判斷低溫對產(chǎn)品之效應。,?,可靠性試驗設備,試驗設備:高低溫循環(huán)箱,高速老化箱,調(diào)溫調(diào)濕箱,可焊性測試儀,高溫烘箱,分立器件綜合老化系統(tǒng),高溫反偏系統(tǒng)。,?,失效率,失效率指產(chǎn)品工作到t時刻后在單位時間內(nèi)失效的概率。(每工作1000小時后產(chǎn)品失效的百分數(shù)),?,失效曲線,也稱失效浴盆曲線,因形狀象浴盆。通過改進設計,加強監(jiān)控可減少早期失效,通過篩選可減?。s短或去掉)早期失效期.工藝缺陷、材料缺陷、篩選不充分引起。很多是靜電損傷、過電損傷引起。元器件老化引起。靜電就是一種物體上的非移動的充電。,?,靜電對電子元件之影響,物體放電形式主要通過低電阻區(qū)域,放電電流I= Q/t,即靜電電荷變化量與完成這些靜電電荷變化所用的時間之比。,?,靜電產(chǎn)生的宏觀原因,環(huán)境如地面,裝修隔間,溫濕度。 工作者及其活動 人的動作如脫衣,起立,被感應,接觸帶電,剝離,沖擊,摩擦。 靜電防護基本方法:泄漏,中和,屏蔽 環(huán)境方面,鋪設防靜電地毯,地板,臺墊,入口處工作處接地線等防靜電消除器。 器材方面,防靜電工作服,鞋,腕帶,導電泡沫板,防靜電文件盒,周轉(zhuǎn)箱,物流車,包裝袋,抗靜電劑等。,?,封裝基本流程,磨片—劃片—裝片—球焊—包封—后固化—電鍍—打印—沖切成型—測試—包裝—入庫。,?,流程簡述(一),磨片—將芯片的反面(非布線的一面)根據(jù)工藝標準,客戶要求或一些特殊要求磨去一層,使芯片的厚度達到要求。 裝片—將已劃好片的大圓片上的單個芯片用吸嘴取下后裝在引線框的基島上。 球焊—用金絲(在一定的溫度,超聲,壓力下)將芯片上某一點(壓焊區(qū))與引線框適當位置(第二點)相連。 后固化—使包封后的樹脂體進一步固化。 打印—在樹脂體上打上標記,說明產(chǎn)品的型號和其它相關信息。 測試—篩選出符合功能要求的產(chǎn)品。待機發(fā)往客戶。如客戶反映良率低,產(chǎn)品的某一參數(shù)不達標,開短路,產(chǎn)品使用時功能不良等。 測試分廠測試良率低,或某批產(chǎn)品開短路產(chǎn)品太多,不符合客戶良率要求,分廠應出具測試異常分析報告。通常每批抽100只如次品超過3只,則加抽300只,仍超標則要分析。通常測試分廠送樣一只,僅要求開帽分析。,?,為何分析?信息反饋?(二),組裝分廠隔離流到測試或外檢,要求測試或外檢后將測試情況或品管抽測結(jié)果反饋組裝。 客戶要求的其它分析。 所有的分析結(jié)束后,均應出報告,且要將報告送到原發(fā)出部門,并做好相應分析報告交接工作。 鋁線 氧化硅,?,金絲布線和芯片表觀(三),中測點 金球 金絲 未腐球時的壓區(qū) 通常芯片上的白色部分為鋁線 。整個芯片表面有一層薄薄的芯片保護層。 上圖為一例,實際上視芯片不同各部位顏色或形狀有很大區(qū)別。 先電測試,外觀檢,后開蓋。,?,失效分析程序,失效現(xiàn)象記錄。 鑒別失效模式。 用自已的語言描述失效特征。通常有下述幾步:外觀檢查,電參數(shù)測式,開短路測試,XRAY檢查,超聲清洗,超聲波離層分析,開帽,內(nèi)部目檢,電子掃描顯微鏡,腐球并檢查壓區(qū)。 歸納分析結(jié)論,提出自已對分析結(jié)果的看法。 出具分析報告。 失效現(xiàn)象記錄。,?,鑒別失效模式,電參數(shù)測試。目前有5臺專用開短路測試機:S9100,測試品種有PQFP44,LQFP44,PQFP52,PQFP64,DIP和SDIP中的部份。測試時要了解對應主機電腦中是否有該品種的測試程序,如果沒有則要請相關人員編寫程序。XRAY射線又稱倫琴射線,一種波長很短的電磁輻射,由德國物理學家倫琴在1895年發(fā)現(xiàn)。利用可靠性分析室里的XRAY分析儀,可檢查產(chǎn)品的金絲情況和樹脂體內(nèi)氣孔情況,以及芯片下面導電膠內(nèi)的氣泡,導電膠的分布范圍情況。此時應確認封裝無泄漏,目的是清除外殼上的污染物。清洗劑應選用不損壞外殼的,通常使用丙酮,乙醇,甲苯,清洗后再使用純水清洗,最后用丙酮,無水乙醇等脫水,再烘干。,?,超聲檢測分析。 超聲波,指頻率超過20KHZ的聲波(人耳聽不見,頻率低于20HZ的聲波稱為次聲波),它的典型特征:碰到氣體100%反射,在不同物質(zhì)分界面產(chǎn)生反射,和光一樣直線傳播。,?,超聲判別原則,芯片表面不可有離層 鍍銀腳精壓區(qū)域不可有離層 內(nèi)引腳部分離層相連的面積不可超過膠體正面面積的20%或引腳通過離層相連的腳數(shù)不可超過引腳總數(shù)的1/5 芯片四周導電膠造成的離層在做可靠性試驗通過或做Bscan時未超出芯片高度的2/3應認為正常。 注意增益,掃描出來的圖像不能太亮,也不能太暗。 探頭有
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