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畢業(yè)設(shè)計中頻感應(yīng)加熱電源的設(shè)計-在線瀏覽

2025-02-05 18:02本頁面
  

【正文】 和表面熱處理等行業(yè)得到廣泛的應(yīng)用。在鑄造方面,正在迅速發(fā)展雙聯(lián)熔煉工藝,即利用中頻爐保溫改性,進行球墨鐵或合金鋼的精密澆鑄;在鍛造方面,利用感應(yīng)加熱實現(xiàn)快速透熱熱鍛,其材料利用率可達 85%,鍛件表面光潔度可小于 50μ m;在焊接,淬火方面,國外一方面致力于開發(fā)大功率全 固態(tài)高頻電源,一方面致力于開發(fā)高度自動化的熱處理成套處理系統(tǒng)。目前,我國較好的鑄造業(yè)廢品率也在 6%~ 15%間,而一般鑄造廠的廢品率高達 30%。這項改造工程不但涉及到保溫爐的設(shè)計制造,雙聯(lián)熔煉工藝的最佳化控制系統(tǒng)設(shè)計,還涉及到大功率中頻感應(yīng)加熱電源等。 近年來在某些高新技術(shù)的研究開發(fā)中也使用了感應(yīng)加熱。 感應(yīng)加熱電源的發(fā)展階段 ( 1)在 50 年代前,感應(yīng)加熱電源主要有 :工頻感應(yīng)熔煉爐,電磁倍頻器,中頻發(fā)電機組和電子管振蕩器式高頻電源。硅晶閘管的出現(xiàn)推動了感應(yīng)加熱電源及應(yīng)用的飛速發(fā)展。在高頻范圍內(nèi),由于晶閘管本身開關(guān)特性等參數(shù)的限制,給研制該頻段的電源帶來了很大的技術(shù)難度,它必須通過改變電路拓撲結(jié)構(gòu)才有可能實現(xiàn)。 ( 3) 1983 年 IGBT 的問世進一步推動了感應(yīng)加熱電源的發(fā)展。 ( 4)在超高頻 (100kHz 以上 )頻段,長期以來由電子管振蕩式變換器產(chǎn)生。 感應(yīng)加熱電源發(fā)展的主要因素 ( 1)感應(yīng)加熱電源的發(fā)展與電力電子器件的發(fā)展密切相關(guān),而電力電子器件的發(fā)展又是與半導體微機集成加工技術(shù)與功率半導體技術(shù)分不開的。 ( 2)單片機、微型計算機技術(shù)和集成芯片技術(shù)的發(fā)展使得對感應(yīng)加熱電源的復雜控制成為可能,體積和重量明顯減小,功率因素提高了,功率控制調(diào)節(jié)方便、準確。同時,一些相關(guān)的技術(shù)如磁通集中器,感應(yīng)線圈的材料和設(shè)計,絕緣技術(shù),故障診斷技術(shù)和遠程控制、智能化技術(shù)等等也都影響其發(fā)展。 感應(yīng)加熱電源的發(fā)展趨勢 ( 1)從電路的角度,感應(yīng)加熱電源的大容量化技術(shù)分兩類 :一是器件的串并聯(lián);二是多臺電源的串并聯(lián)。多臺電源的串并聯(lián)技術(shù)是在器件串并聯(lián)技術(shù)基礎(chǔ)上進一步大容量化的有效手段,借助于可靠的電源串并聯(lián)技術(shù),在單機容量適當?shù)那闆r下,可簡單地通過串并聯(lián)運行方式得到大容量裝置,每臺單機只是裝置的一個單元 (或一個模塊 )。當兩電壓源 并聯(lián)時,相互間的幅值,相位和頻率不同或波動時將導致很大的環(huán)流,以致逆變器件的電流產(chǎn)生嚴重不均。 ( 2)目前,感應(yīng)加熱電源在中頻段主要采用晶閘管,超音頻段主要是 IGBT,而高頻段,隨著 MOSFET 和 IGBT 性能不斷改進, SIT 將失去存在價值。因此,實現(xiàn)感應(yīng) 6 加熱電源高頻化仍有許多應(yīng)用基礎(chǔ)技術(shù)需進一步探討。對焊接,表面熱處理等負載,一般采用匹配變壓器連接電源和負載感應(yīng)器,對高頻,超音頻電源用的匹配變壓器要求漏抗很小,如何實現(xiàn)匹配變壓器的效率,從磁性材料選擇到繞組的設(shè)計已成為重要課題。 ( 4)隨著感應(yīng)熱處理生產(chǎn)線自動化程度及對電源高可靠性要求提高,感應(yīng)加熱電源正向智能化控制方向發(fā)展。 ( 5)由于感應(yīng)加熱用電源一般功率都很大,目前對它的功率因數(shù),諧波污染指標還沒有具體要求。 ( 6)當今高新技術(shù)飛速發(fā)展,新材料、新工藝不斷涌現(xiàn),感應(yīng)加熱是一個重要的研發(fā)和加工手段??梢钥隙ǖ恼f,隨著科學技術(shù)的發(fā)展,感應(yīng)加熱電源在高新技術(shù)領(lǐng)域會有更廣泛的應(yīng)用。如何設(shè)計制造大功率超高頻、高性能的感應(yīng)加熱電源,是電力電子科技工作者的重要課題。根據(jù)不同的加熱工藝要求,感應(yīng)加熱采用 的電源的頻率有工頻( 50~ 60Hz)、中頻 (60~ 10000Hz)和高頻 (高于 10000Hz)。 感應(yīng)加熱是利用交流電建立交變磁場產(chǎn)生渦流對金屬工件進行感應(yīng)加熱的。若線圈 A中通以交流電流 i1,則在線圈 A內(nèi)產(chǎn)生隨時間變化的磁場,置于交變磁場中的被加熱工件 B 要產(chǎn)生感應(yīng)電動勢 e2,形成渦流 i2,這些渦 流使金屬工件發(fā)熱,消耗電能。 B A 圖 1 感應(yīng)加熱基本原理 由電磁感應(yīng)定律可知,感應(yīng)電動勢 2e 為: 2 de dt??? ( 21) 設(shè)磁通 ? 對時間 t 按正弦規(guī)律變化,即 ? = M? sint? 則 2e = - M? cos t?? = M? sin( 90 )t??? = 2ME sin( 90 )t? ? ( 22) 其中感應(yīng)電動勢的幅值為: 2ME = M?? = 2 mf?? 為了要使金屬工件加熱到一定的溫度,必須要求金屬工件內(nèi)有足夠大的渦流,亦即要求金屬工件內(nèi)有較大的電動勢 2e ,從式( 22)可知,要增大 2e 有如下兩種途徑: ( 1)增大線圈 A中的電流 1i 。 ( 2)增大線圈中電流 1i 的頻率。近代感應(yīng)加熱廣泛采用中頻及高頻電源的原因就在于此,也是成為感應(yīng)加熱電源研究的方向和追求的必然。一般由整流器、濾波器、逆變器及一些控制和保護電路組成。整流電路的實質(zhì)就是把交流電能轉(zhuǎn)換為直流電能的電路。利用二極管的單向?qū)щ娦裕挥邪雮€周期內(nèi)有電流流過負載,另半個周期被二管所阻,沒有電流。只適用于小電流整流電路。中間抽頭接負載一端,另兩個端子各串聯(lián)一個二極管后接負載的另一端?,F(xiàn)在裝有 4個整流二極管的橋式整流器能夠很便宜買到,而且變壓器的使用效率也高,所以幾乎都為橋式整流電路。三相全波整流也只有橋式整流。 三相整流 器 濾波器 逆變器 負載 整流器控制電路 逆變器控制電路 9 三相橋式全控整流電路 整流電路采用三相全控橋式整流電路,其作用為將從三相電網(wǎng)輸入的 50Hz電壓整流成脈動的直流電壓。 圖 3 三相橋式全控整流電路 晶閘管 AB、 BC、 CA 接成共陰極,晶閘管 AC、 BA、 CB 接成共陽極,并與變壓器和負荷分別構(gòu)成兩個三相半波可控整流電路,兩個三相半波可控整流電路串聯(lián)就構(gòu)成三相橋式全控整流電路,如圖 4所示。 當 ? =0 時,對于共陰極組的晶閘管依次觸發(fā)陰極電位最高的晶閘管,對于陰極組的晶閘管組依次觸發(fā)陰極電位最低的晶閘管,使晶閘管導通。 圖 5 不同 ? 的輸出波形 在 AB 段內(nèi), a 相電壓最高,電流從變壓器 a相繞組流出,經(jīng)過 AB 負荷和 BA(在此段內(nèi), b相電壓最低,共陽極組的晶閘管 BA 正處于導通狀態(tài)),回到變壓器 b 相繞組。負荷電壓 Ud=Uab。晶閘管 BA承受反向電壓而關(guān)斷,所以電流回到 c 相繞組。負荷電壓 Ud=Uac。 在 BC 段內(nèi), b 相電壓最高,晶閘管 BC 因得到觸發(fā)脈沖而導通,由于 b點電位高于 a 點電位,所以晶閘管 AB 因承受反向電壓而關(guān)斷。在這一段內(nèi), c相電壓仍然最低,晶閘管 CB繼續(xù)導通。 11 在 BA 段內(nèi), BC 和 AC導通, Ud=Uba。 在 CB 段內(nèi), CA 和 BA導通, Ud=Ucb。 整流電路的參數(shù)設(shè)計 (1)二極管電壓額定值 RRMU ;二極管的耐壓可按式 (32)確定,根據(jù)電網(wǎng)電壓,考慮到其峰值、電壓波動等因素。 2 1. 3R R M A CVU ?? ? ? ? ( 32) 由于交流側(cè)電壓 ACU 為 380V,代入上式,可得: 2 1 .3 3 8 0 2 1 .3 1 .5 1 0 4 7 .7 7 4R R M A CV U V?? ? ? ? ? ? ? ? ? ( 33) (2)確定電流額定值 I:整流二極管的電流額定值是根據(jù)其結(jié)溫而確定的,可按式 (34)來確定: 22RI t I t?? ( 34) 式中: RI —— 沖擊電流值; ? —— 安全系數(shù),取 ? =2; 將上式變形為: 2 1 .3 2 1 1 5 .8 3 1 .3 2 1 3RnI I I?? ? ? ? ? ? ? ? ?A ( 35) 需要說明的是,由于有 CHV 的存在,在開始啟動時,可以使其占空比很小,這樣幾乎沒有沖擊電流, 所以實際上二極管的耐流可以更小。由于頻率較高,所以要選擇 GTR、 MOSFET、 IGBT 等工作頻率較高的自關(guān)斷器件。周期為20ms,所以每個波動的時間為 20/6? 4ms,根據(jù)公式 (3
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