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半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展-在線瀏覽

2025-03-30 08:37本頁面
  

【正文】 電極作為還原催化劑,通常在帶有透明導(dǎo)電膜的玻璃上鍍上鉑。正負(fù)極間填充的是含有氧化還原電對的電解質(zhì),最常用的是 I3/I。導(dǎo)電玻璃上的 ZnO納米片 SEM圖)a)結(jié)構(gòu)簡單、生產(chǎn)工藝簡單,易于制造; 生產(chǎn)成本較低。8( 1) PN結(jié)結(jié)構(gòu):PN結(jié)結(jié)構(gòu)的最早專利申請始于 1965年。9太陽能電池技術(shù);( 3)異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu):最早專利申請始于 1956年( 4)肖特基結(jié)結(jié)構(gòu):專利申請始于 1966年10太陽能電池技術(shù);( 5) MIS結(jié)結(jié)構(gòu)專利申請始于 1971年( 6)超晶格能帶結(jié)構(gòu)專利申請始于 1982年( 7)能帶漸變結(jié)構(gòu)最早專利申請始于 1977年11 FinFET技術(shù) (1) Lowk介質(zhì)材料的背蝕工藝 (ILD)12Low k介質(zhì)材料1314(2) High k介質(zhì)材料15High k介質(zhì)材料材料要求 :? 高介電常數(shù)? 熱穩(wěn)定性? 界面質(zhì)量? 易于處理? 可靠性16High k介質(zhì)材料? SiO2 ? Si3N4/SiO2 stack 5 6? Si3N4
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