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2025-03-22 22:15本頁面
【正文】 金屬或聚四氯乙烯盤。 9 10 Confidential 步驟三：軟烘 光刻膠被涂到硅片的表面后必須要經(jīng)過軟烘，軟烘的目的是去除光刻膠中的溶劑。 典型的軟烘條件實在熱板上 90176。C烘 30秒，接下來是在冷板上的降溫步驟，以得到光刻膠一致性的硅片溫度控制。一旦對準，將掩膜板和硅片曝光，把掩膜板的圖形轉移到涂膠的硅片上。 10 11 Confidential 步驟五：曝光后烘焙 對於深紫外線（ DUV）光刻膠在 100176。C的熱板上進行曝光后烘焙是必要的。光刻膠上的可溶解區(qū)域被化學顯影劑溶解，將可見的圖形留在硅片表面。 12 13 Confidential 步驟七：堅膜烘焙 顯影后的熱烘焙指的就是堅膜烘焙。這一步是穩(wěn)固光刻膠，對下面的刻蝕和離子注入非常關鍵。C~140176。 步驟八：顯影后檢查 一旦光刻膠在硅片上形成圖形，就要進行檢查以確定光刻膠圖形的質(zhì)量。檢查的目的有兩個：找出光刻膠有質(zhì)量問題的硅片；描述光刻膠的工藝性能以滿足規(guī)範要求。 13 14 Confidential 通過在硅片上製作電子器件，然後淀積介質(zhì)層和到導電材料把器件連接起來，可以把硅片製成有許多功能的微芯片。這一有選擇的去除材料的工藝過程叫做刻蝕。有圖形的光刻膠的層在刻蝕中不受到腐蝕源的侵蝕。 幹法刻蝕 是把硅片表面暴露的于氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體與硅片發(fā)生物理或化學反應，從而去掉多餘的表面材料。在幹法 14 15 Confidential 刻蝕中，刻蝕包括離子濺射和活性元素與硅片表面的反應。濕法腐蝕一般知識用在尺寸較大的情況下（大於 3微米）。 15 16 Confidential 本征硅的到點性能很差，只有當硅中加入少量雜質(zhì)，使其結構和導電率發(fā)生改變時，硅才稱為一種有用的半導體。硅慘雜是製備半導體期間中的 PN結的基礎，而 離子注入 是最重要的摻雜方法。雜質(zhì)通過與硅片發(fā)生原子級的高能碰撞，才能被注入。注入機包含離子源部分，它能從源材料中產(chǎn)生帶正電荷的雜質(zhì)離子。束流中離子的數(shù)量與希望引入的硅片的雜質(zhì)有關，離子束在電場中加速，獲得很高的速度（ 107CM/s數(shù)量級），使離子有足夠的動能注入帶硅片的晶格結構中。 16 17 Confidential 以上所有的注入工藝都是在高真空下進行的。 17 18 Confidential 在硅片製造的最後，所有硅片上的芯片 100%要經(jīng)過揀選（ wafer sort） 測詴，也稱電學揀選（ electrical sort）測詴、硅片探針 (wafer probe).硅片上每個芯片都要全部按照 DC和AC的產(chǎn)品功能規(guī)格進行測詴。 在進行測詴之前，會先使用樣片來檢測測詴儀器的設置。測詴開始時，硅片先被從盒裡轉移到探針臺，然後被放在真空托盤上。機械探針接觸壓焊點以建立電學連接。 18 19 Confidential 自動參
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