x射線光電子能譜-在線瀏覽
2025-02-06 05:52本頁面
【正文】 hν=Eb+1/2mv2 ， 求出 ： Eb= hνEk。 樣品與譜儀間的接觸 電位差 ΔV等于樣品與 譜儀的功能函數(shù)之差： ф?ф?p （功能函數(shù)就是把一個電子從 Fermi 能級移到自由能級所需要的能量） 樣品 hν (Xray) Eb 自由電子能級 ф? Ek’ ΔV ф?p 導(dǎo)帶 價帶 Ek Fermi能級 自由電子能級 實際測量時，利用標(biāo)準(zhǔn)樣品的基準(zhǔn)譜線來校正 被測譜線的結(jié)合能，稱為內(nèi)標(biāo)法： Eb(測 )=Ek(標(biāo) )+Eb(標(biāo) )Ek(測 ) （其中， Ek(標(biāo) )和 Eb(標(biāo) )已知， Ek(測 )可由譜儀測出） ? 化學(xué)位移 :又稱結(jié)合能位移，原子的內(nèi)層電子結(jié)合能隨原子周圍化學(xué)環(huán)境變化的現(xiàn)象稱為化學(xué)位移。 非導(dǎo)電材料的表面荷電效應(yīng)； 固體的熱效應(yīng)； 自由分子的壓力效應(yīng)； 凝聚態(tài)物質(zhì)的固態(tài)效應(yīng) . hν Eb Eb’ ΔEb E=0 ΔEk Ek Ek’ 化學(xué)位移為： ΔEb= ΔEk ? 光電效應(yīng)： 原子在 Xray的作用下，內(nèi)層電子得到能量 而發(fā)生電離成為自由電子 (光電子 )的現(xiàn)象。與下列因素有關(guān)： σ不同； σ隨原子序數(shù) Z的增大而增大； ，同一元素殼層半徑愈小 σ愈大； 合能與入射光的能量愈接近 σ 愈大； ： σ隨角量子數(shù) (ι)的增大而增大。1/2| , 在 ι 0的各亞殼層將分裂成兩個能級， XPS中出現(xiàn)雙峰。（ 能量差為帶有一個內(nèi)層空穴離子基態(tài)的電離電位） ? 能量損失 (Energy loss):由于光電子在穿過樣品表面時同原子（或分子）發(fā)生非彈性碰撞而引起的能量損失。 (主要有 Ka3,4構(gòu)成 ) ? 多重分裂 (Multiplet splitting):一般發(fā)生在基態(tài)有未成對電子的原子中。對其進(jìn)行分析能得到樣品原子種類方面的信息。 ? 俄歇電子峰： Auger有兩個特征： Xray源無關(guān)，改變 Xray， Auger不變。 ? 振激和振離峰： 振離峰以平滑連續(xù) 譜的形式出現(xiàn)在光電子主峰低動能的 一邊，連續(xù)譜的高動能端有一陡限。（如右圖所示） 強(qiáng)度 I
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