計算機組成課件復習-在線瀏覽
2024-11-10 15:35本頁面
【正文】 存放乘積的低位， 結果： 加上符號位： 補碼一位乘法 運算規(guī)則 1）符號位參與運算，運算數(shù)均以補碼表示 2）被乘數(shù)一般用雙符號位參加運算，部分機的初值為 0 3）乘數(shù)可取單符號位，以決定最后一步是否要校正，即 是否要加 [x]補 4）乘數(shù)末位增設附加 yn+1 5) 操作如下 Yn(高位） Yn+1(低位） 操作 0 0 部分積右移一位 0 1 部分積 +[X]補 右移一位 1 0 部分積 +[X]補 右移一位 1 1 部分積右移一位 實例和運算規(guī)則 例： x= ,y= ,求 [xy]補 設寄存器初值： 部分積： A = 被乘數(shù)： B = [X]補 = 乘 數(shù)： C = [y]補 = B = [X]補 = 賦加位： Yn+1 = 0 步數(shù) 條件 操作 A C Cn Cn+1 CnCn+1 1 0 1 0 1) 1 0 B 11. 01 0 1 2) 0 1 +B 111. 0 1 0 3) 1 0 B 1111. 0 1 4) 0 1 +B 1111 1. 0 5) 1 0 B (修正 ) (不移位） 步數(shù) 條件 操作 A C Cn Cn+1 定點運算器的基本結構 系統(tǒng)總線 輸出控制電路 加法器 輸入選擇電路 R0 Rn 內(nèi)部 bus 加法器 通用寄存器 輸入選擇電路 輸出控制電路 內(nèi)部 bus 寄存器 浮點加減運算 (1)對階：使兩數(shù)階碼相等 (小數(shù)點實際位置 對齊，尾數(shù)對應權值相同 )。 例 .ExEy，則 Ey+1 Ey， Dy，直到 Ey=Ex 例 . 1 (2)對階規(guī)則： 小階向大階對齊 。 . Dx + Dy Dx 尾數(shù)符號位擴展為兩位，當結果不是 或 ,需要規(guī)格化處理 1）尾數(shù)符號位為 01或 10時，需要右規(guī) 規(guī)格化為 或 2） 尾數(shù)符號位為 ，需要左規(guī) 規(guī)格化為 或 與定點加、減法相同 1）尾數(shù)符號位為 01或 10，不表示溢出， 需要規(guī)格化， 2）階碼符號位為 01或 10，表示溢出 浮點乘法運算 設 x = 2mDx ， y = 2nDy x y = 2m+n(DxDy) 階碼相加 尾數(shù)相乘 結果規(guī)格化 第三章 存儲器及存儲系統(tǒng) 存儲器分類 按照 存儲 介質 分類 半導體存儲器 磁表面存儲器 激光存儲器 集成度高、體積小、價格便宜、易維護、速度快、容量大 體積大、速度慢、比半導體容量大、數(shù)據(jù)不易丟失 按照 存取 方式 分類 主要為高速緩沖存儲器和主存儲器，存取時間與存儲元的物理位置無關 串行訪問存儲器 （ SAS） 只讀存儲器 (ROM) 隨機存儲器 (RAM) 存取時間與存儲元的物理位置有關 順序存取器：磁帶 直接存儲器：磁盤 只能讀，不能寫 掩模 ROM: 生產(chǎn)廠家寫 可編程 ROM(PROM): 用戶自己寫 可擦除可編程 ROM（ EPROM） : 按照 可保 存性 分類 半導體讀 /寫存儲器， 非易失性 存儲器 易失性 存儲器 包括磁性材料、半導體 ROM 半導體 EEPROM 主存儲器的技術指標
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