【正文】 用來(lái)記錄此內(nèi)存條的相關(guān)信息，符合Intel PC100規(guī)范的為1。 （2）+版本 　　其格式為：PCabcdeeffghR，例如PC10032254122R，其中a表示標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時(shí)間），用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對(duì)CAS的延時(shí)），用時(shí)鐘周期數(shù)表示；d表示TRP（RAS的預(yù)充電時(shí)間），用時(shí)鐘周期數(shù)表示；ee代表相對(duì)于時(shí)鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時(shí)間，表達(dá)時(shí)不帶小數(shù)點(diǎn)， tAC；ff代表SPD版本，；g代表修訂版本，；h代表模塊類(lèi)型；R代表DIMM已注冊(cè)，256MB以上的內(nèi)存必須經(jīng)過(guò)注冊(cè)。 　威盛和英特爾都提出了PC133 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，威盛力推的PC133規(guī)范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分規(guī)范，例如168線的SDRAM；英特爾的PC133規(guī)范要嚴(yán)格一些，是PC133 CAS=2，在133MHz時(shí)最好能達(dá)到CAS=2。 PC1600/2100 DDR SDRAM（）內(nèi)存標(biāo)注格式　　其格式為：PCabccdeffg，例如PC2100R2533750，其中a表示內(nèi)存帶寬，單位為MB/s；a*1/16=內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，例如2100代表內(nèi)存帶寬為2100MB/s，對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類(lèi)型(R代表DIMM已注冊(cè)，U代表DIMM不含緩沖區(qū)；cc表示CAS延遲時(shí)間，用時(shí)鐘周期數(shù)表示，表達(dá)時(shí)不帶小數(shù)點(diǎn)，如25代表CL=；d表示RAS相對(duì)CAS的延時(shí)，用時(shí)鐘周期數(shù)表示；e表示RAS預(yù)充電時(shí)間，用時(shí)鐘周期數(shù)表示；ff代表相對(duì)于時(shí)鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時(shí)間，表達(dá)時(shí)不帶小數(shù)點(diǎn)， tAC；g代表SPD版本。 各廠商內(nèi)存芯片編號(hào)（1）HYUNDAI（現(xiàn)代） 　　 現(xiàn)代的SDRAM內(nèi)存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM芯片編號(hào)格式為：HY 5a b cde fg h i j k lmno 　　 其中HY代表現(xiàn)代的產(chǎn)品；5a表示芯片類(lèi)型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=,U=)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬（80、132分別代表4位、8位、16位和32位）；h代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成（3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank，是2的冪次關(guān)系）；I代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；j代表內(nèi)核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOPII，TD=13mm TSOPII，TG=16mm TSOPII）；no代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC100 CL2或3］，10s=10ns［PC100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。 　　 市面上HY常見(jiàn)的編號(hào)還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10編號(hào)的SDRAM上133MHz相當(dāng)困難；編號(hào)ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；編號(hào)BTC或10p的SDRAM上133MHz很穩(wěn)定。 （2）LGS［LG Semicon］ 　　 LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的內(nèi)存芯片也很常見(jiàn)。 　　 例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位輸出，4個(gè)Bank，7K速度即PC100、CL=3。 （3）Kingmax(勝創(chuàng)) 　　 Kingmax的內(nèi)存采用先進(jìn)的TinyBGA封裝方式，而一般SDRAM內(nèi)存都采用TSOP封裝。 　　 Kingmax SDRAM內(nèi)存目前有PC150、PC13PC100三種。購(gòu)買(mǎi)Kingmax內(nèi)存時(shí)，你要注意別買(mǎi)了打磨條，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100內(nèi)存打磨成7ns的PC133或PC150內(nèi)存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等軟件測(cè)試一下內(nèi)存的速度，注意觀察內(nèi)存上字跡是否清晰，是否有規(guī)則的刮痕，芯片表面是否發(fā)白等，看看芯片上的編號(hào)。其中KINGMAX PC133與PC100的區(qū)別在于：PC100的內(nèi)存有相當(dāng)一部分可以超頻到133，但不是全部；而PC133的內(nèi)存卻可以保證100%穩(wěn)定工作在PC133外頻下（CL=2）。其中紅色金條是PC133內(nèi)存；金色金條Ｐ針對(duì)PC133服務(wù)器系統(tǒng)，適合雙處理器主板；綠色金條是PC100內(nèi)存；藍(lán)A色金條針對(duì)AMD750/760 K7系主板，面向超頻玩家；藍(lán)V色金條針對(duì)KX133主板；藍(lán)T色金條針對(duì)KT133主板；銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內(nèi)存。以上編號(hào)表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝， Vdd CMOS制造工藝，7ns、143MHz速度。 　　 三星SDRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM416S16230AG10表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類(lèi)（4=DRAM）；16代表內(nèi)存芯片組成x16（4 = x8 = x16 = x16）；S代表SDRAM；16代表內(nèi)存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示內(nèi)存排數(shù)（2=2排、3=4排）；0代表內(nèi)存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表內(nèi)存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表電源供應(yīng)（G=自動(dòng)刷新、F=低電壓自動(dòng)刷新）；10代表最高頻率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz CAS值為L(zhǎng) = 100 MHz CAS值為3 ）。 　　 三星PC133標(biāo)準(zhǔn)SDRAM內(nèi)存芯片格式如下： 　　 Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATSGA 　　Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATIGA 　　 三星DDR同步DRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM416H4030T表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類(lèi)（4=DRAM）；16表示內(nèi)存芯片組成x16（4=x8=x16=x132=x32）；H代表內(nèi)存電壓（H=DDR SDRAM[]、L=DDR SDRAM[]）；4代表內(nèi)存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K []、1 = 32m/2K []、2 = 128m/8K[]、3 = 64m/8K[]、4 = 128m/16K[]）；3表示內(nèi)存排數(shù)（3=4排、4=8排）；0代表接口電壓（0=混合接口LVTTL+SSTL_3()、1=SSTL_2()）；T表示封裝類(lèi)型（T=66針TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = , 150MHz (300Mbps)、Z = , 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。 　　三星RAMBUS DRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM418RD8C表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類(lèi)（4=DRAM）；18代表內(nèi)存芯片組成x18（16 = x118 = x18）；RD表示產(chǎn)品類(lèi)型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表內(nèi)存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封裝類(lèi)型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉(zhuǎn)CSP]、W = WLCSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。 （6）Micron（美光）　　 Micron公司是世界上知名內(nèi)存生產(chǎn)商之一（如右圖Micron PC143 SDRAM內(nèi)存條），其SDRAM芯片編號(hào)格式為：MT48 ab cdMef Ag TGhi j 　　 其中MT代表Micron的產(chǎn)品；48代表產(chǎn)品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC= Vdd CMOS，V= Vdd CMOS）；cdMef設(shè)備號(hào)碼（深度*寬度），無(wú)字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示數(shù)據(jù)位寬(132分別代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery［Twr］(A2=Twr=2clk)；TG代表封裝（TG=TSOPII封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F(xiàn)=54針4行FBGA，F(xiàn)B=60針8*16 FBGA，F(xiàn)C=60針11*13 FBGA，F(xiàn)P=反轉(zhuǎn)芯片封裝，F(xiàn)Q=反轉(zhuǎn)芯片密封，F(xiàn)1=62針2行FBGA，F(xiàn)2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四類(lèi)： （A）、DRAM 4=40ns，5=50ns，6=60ns，7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM（時(shí)鐘率 CL3） 15=66MHz，12=83MHz，10+=100MHz，8x+=125MHz，75+=133MHz，7x+=143MHz，65=150MHz，6=167MHz，55=183MHz，5=200MHz DDR SDRAM（x4，x8，x16）時(shí)鐘率 CL= 8+=125MHz，75+=133MHz，7+=143MHz （B）、Rambus（時(shí)鐘率） 4D=400MHz 40ns，4C=400MHz 45ns，4B=400MHz 50ns，3C=356MHz 45ns，3B=356MHz 50ns，3M=300MHz 53ns +的含義 8E支持PC66和PC100（CL2和CL3） 75支持PC6PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3） 7支持PC6PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3） 7E支持PC6PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3） （C）、DDR SDRAM 8支持PC200（CL2） 75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=） 7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=）。 　　 HITACHI的內(nèi)存芯片編號(hào)例如HM5264805F B60表示：HM代表日立的