結(jié)晶分離方法碩士學(xué)位論文-在線瀏覽
2024-08-07 22:06本頁面
【正文】 技術(shù)、聲結(jié)晶技術(shù)和膜結(jié)晶技術(shù)展示了顯著的優(yōu)點(diǎn)。最細(xì)小的不溶性粒子雜質(zhì)的存在本身，并不排斥可用于均相物系的方程式來描述過飽和溶液的性質(zhì)。第二．沒有任何根據(jù)認(rèn)為，在過飽和溶液中一定有結(jié)晶物質(zhì)本身的粒子。 關(guān)于過飽和镕液結(jié)構(gòu)的問題，是極其復(fù)雜的。過飽和溶液與不飽和溶液在本性與性質(zhì)上的區(qū)別是： 在從一種狀態(tài)到另一種狀態(tài)的轉(zhuǎn)變點(diǎn)附近．性質(zhì)—溫度曲線上出現(xiàn)折點(diǎn)。 蒸發(fā)脫除溶劑使溶液轉(zhuǎn)到過飽和狀態(tài)的最簡單的方法是，適合制取溶解度系數(shù)較低的氯化鈉型物質(zhì)的過飽和溶液；由于鹽在混合溶劑中的溶解度很低，向溶液中加入鹽析劑，通過鹽析作用可以生成過飽和溶液。溶液的冷卻逐漸地導(dǎo)致溶液中的物質(zhì)含量超過平衡含量(溶解度)。用多溫法形成過飽和，通常用于具有較高的溶解度溫度系數(shù)的化合物。第二極限過冷度或過飽和度，原則上可以用點(diǎn)滴法求得。寧夏大學(xué)碩士學(xué)位論文 第三章 成 核 第三章 成核直接研究方法：統(tǒng)計(jì)出在一定時(shí)刻單位體積內(nèi)的新相粒子數(shù)。畫出付N＝f／(t)曲線，并按此曲線用圖解法求得成核速率。旺涅古特制定的方法即以此為基礎(chǔ)。 在有轉(zhuǎn)為固相的物質(zhì)的晶體存在下的成核．稱為二次成核。因此，二次成核機(jī)理很可能與過飽和度很小時(shí)進(jìn)行的過程有關(guān)。最后它們以某種方式嵌入晶格。然后，再次生成晶核，再以新的單層覆蓋晶面。在其他所有條件相同時(shí)，生長速率應(yīng)隨溫度的提高而加快。其原因在于不僅粒子的擴(kuò)散速度和相界面上的過程速度與溫度有關(guān)，而且許多其他的數(shù)值和特性也與溫度有關(guān)。在溫度恒定和溶液過飽和度不變的情況下，生長速度盯能隨攪拌器轉(zhuǎn)數(shù)或晶體旋轉(zhuǎn)頻率的變化而發(fā)生很大的變化。然后，dl／dw減小，并逐漸變?yōu)榱恪? 雜質(zhì)是使晶面發(fā)生變化，這種變化是由于雜質(zhì)對各個(gè)晶面生長的影響不同而造成的。不僅晶面發(fā)生變化，而且嵌入性也發(fā)生變化。即線生長速率隨晶體檢度的增大而減小。晶體生長速率，通常隨過飽和度或過冷度的增大而加快。不同的熔化溫度或溶解度以及雜質(zhì)在相間的分布規(guī)律性是結(jié)晶分離的基礎(chǔ)。從溶液中分離結(jié)晶的情況下，溶劑起第三組分的作用。溶劑化合物在一定程度上也可以看做是單獨(dú)的物質(zhì)。在前一情況下我們可能碰到在原始產(chǎn)品中多種組分含量較大，而后者最常研究的問題是從主要物質(zhì)中除去微量雜質(zhì)。它們當(dāng)中每個(gè)組分可以生成自身的晶體，而原始物質(zhì)則是組分的混合物。為了快速獲得晶態(tài)均勻穩(wěn)定，含量較大的晶體，我本人認(rèn)為，可能通過改變加入晶種的量和位置來改變成晶速率和量，并通過改變溫度和壓力觀察成晶情況。1414寧夏大學(xué)碩士學(xué)位論文 參考文獻(xiàn)參考文獻(xiàn)[1] 平氵尺泉氏,[J].化學(xué)工學(xué)(日), 2012 65(1): 28~37.[2] Matson D W, Fulton J L, Petersen R C, et al. Rapid Expansion of Supercritical Fluid Solutions: Solute Formation of Powders,Thin Films, and Fibers[J]. Ind. Eng. Chem. Res., 2009, 26(11): 2298~2306.[3] Debenedetti P Nucleation in Supercritical Fluids [J]. AIChE Journal,2011, 36 (12) : 1289~1298.[4] 陳興權(quán),趙天生,李永昕,[J].化學(xué)工程, 2011, 29 (2): 12~14.[5] 陳鴻雁,蔡建國,鄧修,[J].化工學(xué)報(bào), 2011, 52 (1): 56~60.[6] Mishima K,Matsuyama K,Tanabe D,et of Proteins by Rapid Expansion of Supercritical So
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