光伏工程師必須掌握的電池理論基礎光伏電池生產制造可以說是光伏-在線瀏覽
2025-08-13 11:54本頁面
【正文】 和轉換的電能等） 當一束光照射在物體上時，一部分入射光線在物體表面反射或散射，一部分被物體吸收，另一部分可能透過物體。隨著物體厚度的增加，光吸收也增加。半導體材料的吸收系數較大，一般在105cm1以上，能夠強烈的吸收光的能量?！ 」璨牧鲜情g接能帶材料，在可見光范圍內，硅的光吸收系數遠低于其他太陽能光電材料，如吸收95%的太陽光，GaAs太陽電池只需要5—10μm的厚度，而硅太陽電池則需要150μm以上的厚度；因此在制備晶體硅太陽電池時，硅片的厚度在150—200μm以上，才能有效的吸收太陽能。將電矢量和磁矢量的exp（ωμxc1）相乘積即得： 由上可知，光波越短吸收系數越大，半導體對愈短波長的光吸收愈強，光強隨距離的衰減越嚴重。所以說深結時，由短波長產生的電子空穴對在到達pn結之前嚴重復合，影響其光譜響應?！ 》瓷鋼p失：從空氣（或真空）垂直入射到半導體材料的光的反射?！ 啪€電極遮光損失c：定義為柵線電極遮光面積在太陽能總面積中所占的百分比?！ ⊥干鋼p失：如果電池厚度不足夠大，某些能量合適能被吸收的光子可能從電池背面穿出。間接帶隙半導體要求材料的厚度比直接帶隙的厚。對于p型半導體，費米能級位于中線以下，受主雜質NA越大，費米能級越低甚至進入價帶。當兩塊半導體結合形成pn結時，按費米能級的意義，電子將從費米能級高的n區(qū)流向費米能級低的p區(qū)，空穴則從p區(qū)流向n區(qū)，因而EFn不斷下移，且EFp不斷上移，直至EFn=EFp時為止?！ ∑胶鉅顟B(tài)pn結能帶圖 沒有整流效應的金屬半導體接觸叫做歐姆接觸。由于電流通過后要產熱，兩個按一定比例串聯接入電路后，剛好互補，從而使電阻不隨溫度的變化而變化。即歐姆接觸不會形成附加的阻抗，不會影響半導體中的平衡載流子濃度?！ ∮肊0表示真空中金屬表面外靜止電子的能量，那么，一個電子要從金屬躍遷到體外所需的最小能量為 Wm=E0 Efm 稱為金屬的
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