光伏工程師必須掌握的電池理論基礎(chǔ)光伏電池生產(chǎn)制造可以說是光伏-閱讀頁
2025-07-11 11:54本頁面
【正文】 功函數(shù)或逸出功。（類似于電子由n流向p） 理論上講，要形成歐姆接觸，金屬的功函數(shù)必須小于n型半導(dǎo)體功函數(shù)，即n型半導(dǎo)體的費米能級小于金屬費米能級。當(dāng)半導(dǎo)體具有高表面態(tài)密度時，金屬功函數(shù)的影響甚至將不再重要（這也是Wm＞W(wǎng)s時，也可形成歐姆接觸的原因）?！ 「邠诫s接觸，是在半導(dǎo)體表面摻入高濃度的施主或受主電學(xué)雜質(zhì)，導(dǎo)致金屬半導(dǎo)體接觸的勢壘很薄（摻雜使禁帶寬度變窄？）。電場力量導(dǎo)致載流子的漂移運動，電子p－》n，空穴n－》p，而本身p和n區(qū)的載流子濃度又造成相應(yīng)的擴(kuò)散運動，電子n－》p，空穴p－》n，這兩種運動會達(dá)成一定的平衡。在內(nèi)建電場的作用下，電子空穴對發(fā)生漂移運動，打破了兩種運動的平衡，形成了N型流向P型的光生電流I1，從而導(dǎo)致形成了P型指向N型的光生電場及光生電勢。）此時光照時流過外加負(fù)載的電流為I = I1 If。它表示表面為正方形的擴(kuò)散薄層，在電流方向上所呈現(xiàn)出來的電阻。d薄層厚度（即結(jié)深）?！ ∥覀冎?，在雜質(zhì)均勻分布的半導(dǎo)體中，假設(shè)在室溫下雜質(zhì)已經(jīng)全部電離，則半導(dǎo)體中多數(shù)載流子濃度就可以用凈雜質(zhì)濃度來表示。但是當(dāng)我們使用平均值概念時，擴(kuò)散薄層的平均電阻率 與平均雜質(zhì)濃度 應(yīng)該有這樣的關(guān)系： ?。?） 式中q為電子電荷電量； 為平均雜質(zhì)濃度； 為平均遷移率。由（4）式 可以看到，方塊電阻與單位面積擴(kuò)散層內(nèi)的凈雜質(zhì)總量 成反比?！ 》綁K電阻對短波響應(yīng)的影響 有實驗表明隨著方塊電阻的增大（33～75Ω），短波響應(yīng)總體趨勢提高。方塊電阻的提高，可以是結(jié)越來越淺，也可以是磷濃度的降低。 ，磷擴(kuò)散進(jìn)入硅晶體作為填隙原子，必然產(chǎn)生應(yīng)力。磷位錯網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生了大量體非對稱ShockleyReadHall（SRH）復(fù)合中心，體載流子壽命降低，電池光譜響應(yīng)變差。是狼就要練好牙，是羊就要練好腿。不奮斗就是每天都很容易，可一年一年越來越難。拼一個春夏秋冬！贏一個無悔人生！早安！—————獻(xiàn)給所有努力的人.學(xué)習(xí)參考
數(shù)學(xué)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1