微電子概論思考題及答案-在線瀏覽
2024-07-31 05:38本頁面
【正文】 體的電導(dǎo)率。一般半導(dǎo)體和金屬的區(qū)別在于半導(dǎo)體中存在著禁帶而金屬中不存在禁帶3. 試從歐姆定律和半導(dǎo)體電阻定義出發(fā)證明歐姆定律的微分形式為：j=σE因?yàn)镽=U/I且 R=ρL/S可以推知I/S=U/ρL,所以j=I/S=U/ ρL=σE4. 用半導(dǎo)體遷移率和歐姆定律的微分形式證明：σ=nqm因?yàn)閖=nqv，設(shè)v=μE ，把v=μE 代入j=nqv，與j=σE比較得到：σ= nqμ 5. 從微觀機(jī)制解釋晶格振動(dòng)散射導(dǎo)致半導(dǎo)體遷移率隨溫度增加而下降的原因。6. 從微觀機(jī)制解釋電離雜質(zhì)散射對(duì)半導(dǎo)體載流子的影響。對(duì)于摻雜濃度很高的情形，在較低溫度下電離雜質(zhì)散射占優(yōu)勢(shì)；在較高溫度下，晶格散射逐漸占優(yōu)勢(shì)，晶格散射隨溫度上升而增強(qiáng)，載流子遷移率在較高溫度下隨溫度的上升而下降。？什么是價(jià)帶？什么是禁帶？?jī)r(jià)帶以上的能帶基本上是空的，其中最低的沒有被電子填充的能帶通常稱為導(dǎo)帶。能帶之間的間隙稱為“禁帶”。第三章：1. IC的性能主要指哪三個(gè)方面？解釋每一個(gè)性能的含義？集成度：?jiǎn)螇K芯片上所容納的元件數(shù)目。特征尺寸：集成電路中半導(dǎo)體器件的最小尺寸。飽和型邏輯集成電路：RTL、DTL、HTL、TTL、I2L抗飽和型邏輯集成電路：TTL、FL非飽和型邏輯集成電路：CML 、ECL 、CTL、NTL3. 試敘述雙極型模擬IC電路的種類以及每種電路的研究?jī)?nèi)容。非線性電路：對(duì)數(shù)放大器、電壓比較器、調(diào)制或解調(diào)器、各類信號(hào)發(fā)生器。4. CMOS集成電路分為幾種？簡(jiǎn)述每種電路的研究?jī)?nèi)容。（2）CMOS反相器：研究高低電平。（4）CMOS電路的自鎖效應(yīng)：防止和限制電流作用。負(fù)性膠：曝光前可溶曝光后不可溶的光刻膠。優(yōu)點(diǎn)是選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)效率高、設(shè)備簡(jiǎn)單、成本低3.
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