【摘要】第一部分考試試題第0章緒論?,分為哪些類型,請同時寫出它們對應(yīng)的英文縮寫?,半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類?,半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類??它對集成電路工藝有何影響?:集成度、wafersize、diesize、摩爾定律?第1章集成電路的基本制造工藝?,襯底材料電阻率的選取對器件有何影響?。????并請?zhí)岢龈倪M方法。7.請畫出N
2024-07-30 16:51
【摘要】SemiconductorMaterialsBasicPrincipleofICPlanarProcessing半導(dǎo)體材料和集成電路平面工藝基礎(chǔ)?References:(Materials)3.材料科學與技術(shù)叢書—半導(dǎo)體工藝,K.A.杰克遜等主編,(科學出版社,1999)Process
2025-04-02 04:35
【摘要】第四章集成電路制造工藝芯片制造過程?圖形轉(zhuǎn)換:將設(shè)計在掩膜版(類似于照相底片)上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上。?摻雜:根據(jù)設(shè)計的需要,將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上,形成晶體管、接觸等。?制膜:制作各種材料的薄膜?;静襟E:硅片準備、外延、氧化、摻雜、淀積、刻蝕、光刻硅片準備光刻(Lithography)圖形轉(zhuǎn)移
2025-04-02 12:22
【摘要】第八章專用集成電路和可編程集成電路???????、標準單元與可編程集成電路的比較?專用集成電路(ASIC)被認為是用戶專用電路(customspecificIC),即它是根據(jù)用戶的特定要求.能以低研制成本、短交貨周期供貨的集成電路。它最主要的優(yōu)點在于:?(1)
2025-03-06 09:42
【摘要】123456789101112131415161718192021222324252627
2024-09-15 16:51
【摘要】在一些電子測量儀器、裝置或產(chǎn)品中,經(jīng)常有測量電路中直流電流的需要,因此研發(fā)人員開發(fā)出各種各樣的電流檢測集成電路。它是一種I/V轉(zhuǎn)換器,將測量的電流轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的電壓,即V=kI,其中k為比例常數(shù)。另外,在一些電子產(chǎn)品中要限制輸出電流,以防止有故障時(負載發(fā)生局部短路或輸出端短路、電源輸出電壓升高等)產(chǎn)生過流而造成更大損失。檢測到有過流發(fā)生時,可以控制關(guān)斷電源或負載開關(guān),或以限制的電流輸出。
2024-09-28 16:43
【摘要】集成電路常用單詞線路單元與支路單元Lineunitandtributaryunit鎖相Phase-lock定時基準Timingreference帶電插拔Hotplug鈴流Ringingcurrent外同步模式Externalsynchronizationmode同步保持模式Synchronousholdovermod
2025-07-01 04:12
【摘要】集成電路制作合同 集成電路制作合同 立約人_________(以下簡稱甲方)與_________(以下簡稱乙方)。甲乙雙方為集成電路試制事宜,特立本合約,并同意條件如下: 第一條標的物:委...
2024-12-17 00:19
【摘要】集成電路訂購合同 集成電路訂購合同 訂購合同 2004年07月20日 定購合同 為了明確雙方責任,以利于更好地進行合作,經(jīng)雙方協(xié)商,特制定以下合同細則: 甲方(銷貨方):深圳市思邦電...
2024-12-16 22:06
【摘要】山東大學信息科學與工程學院《集成電路制造技術(shù)》交互式多媒體計算機輔助教學課程課程輔導(dǎo)教案山東大學信息科學與工程學院山東大學孟堯微電子研發(fā)中心2002.6.26山東大學信息科學與工程學院《集成電路制造技術(shù)》多媒體計算機輔助教學課程課程輔導(dǎo)教案李惠軍教授(碩士研究生導(dǎo)師)(
2024-09-10 06:02
【摘要】集成電路資料手冊-----------------------作者:-----------------------日期:集成塊型號查詢-集成電路資料手冊741運算放大器7107數(shù)字萬用表A/D轉(zhuǎn)換器7400TTL2輸入端四與非門7401TTL集電極開路2輸入端四與非門7402TTL2輸入端四或非門
2024-08-05 19:01
【摘要】集成電路封裝圖三極管封裝圖
2024-08-02 16:09
【摘要】第二章1一個硅p-n擴散結(jié)在p型一側(cè)為線性緩變結(jié),a=1019cm-4,n型一側(cè)為均勻摻雜,雜質(zhì)濃度為3×1014cm-3,,求零偏壓下的總耗盡層寬度、內(nèi)建電勢和最大電場強度。解:x=0處E連續(xù)得xn=x總=xn+xp=,負號表示方向為n型一側(cè)指向p型一側(cè)。2一個理想的p-n結(jié),ND=1018cm-3,NA=1016cm-3,τp=
2024-08-14 22:18
【摘要】半導(dǎo)體物理習題解答1-1.(P43)設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格,導(dǎo)帶極小值附近能量Ec(k)和價帶極大值附近能量Ev(k)分別為:Ec(k)=+和Ev(k)=-;m0為電子慣性質(zhì)量,k1=1/2a;a=。試求:①禁帶寬度;②導(dǎo)帶底電子有效質(zhì)量;③價帶頂電子有效質(zhì)量;④價帶頂電子躍遷到導(dǎo)帶底時準動量的變化。[解]①禁帶寬度Eg根據(jù)=+=0;可求出對應(yīng)導(dǎo)帶能量
2024-07-30 17:55
【摘要】3半導(dǎo)體電路分析基礎(chǔ)§放大電路及其性能表征放大的概念放大的實質(zhì)輸出信號大于輸入信號即為放大放大電路輸出信號的能量來源于有源器件上的直流偏置電源,所以放大器實質(zhì)上是一種能量控制器或能量轉(zhuǎn)換器。放大電路的性能表征放大倍數(shù)電壓放大倍數(shù)ioVVVA????電壓增益
2025-06-17 23:06