半導(dǎo)體器件習(xí)題及參考答案-在線瀏覽
2024-08-14 22:18本頁面
【正文】 IS=A*JS=*1016A。設(shè)n型中性區(qū)的長度為1μm，空穴擴(kuò)散長度為5μm。解：n區(qū)減少到5181。當(dāng)發(fā)射區(qū)－，集電區(qū)－基區(qū)結(jié)上反向偏壓為5V時，計(jì)算(a)中性基區(qū)寬度，(b)發(fā)射區(qū)－基區(qū)結(jié)的少數(shù)載流子濃度，(c)基區(qū)內(nèi)的少數(shù)載流子電荷。解：不妨設(shè)為NPN晶體管，由于基區(qū)中雜質(zhì)存在濃度梯度，其多數(shù)載流子（空穴）的分布也存在濃度梯度，它使空穴作擴(kuò)散運(yùn)動，這一運(yùn)動的產(chǎn)生破壞了基區(qū)中的電中性，為維持電中性，基區(qū)中就產(chǎn)生一電場來阻止基區(qū)中空穴的擴(kuò)散運(yùn)動?？紤]基區(qū)中自建電場對電流的貢獻(xiàn)，熱平衡時，凈空穴電流為零。其發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)的雜質(zhì)濃度分別為1019，31016，51015cm－3，(a)求集電區(qū)－基區(qū)電壓的上限，在該電壓下，發(fā)射結(jié)偏置電壓已不再能控制集電極電流。解：（a）熱平衡下，當(dāng)時穿通，可得： （b）而fT主要受限制，4 一個開關(guān)晶體管，擴(kuò)散系數(shù)為10cm2/s，基區(qū)內(nèi)的少數(shù)載流子壽命為10－7s，晶體管加偏壓VCC＝5V，負(fù)載電阻為10KΩ，若在基極上加2μA的脈沖電流，持續(xù)時間為1μs，求基區(qū)的存貯電荷和存貯延遲時間。晶體管的其他參數(shù)為：DE=1cm2/s， Dp=10cm2/s， DC=2cm2/s， W＝。解：PNP管，fT忽略和，主要受限制，=*1011s則
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