半導(dǎo)體基本器件及應(yīng)用電路-在線瀏覽
2025-01-30 14:42本頁(yè)面
【正文】 3 漂移電流與擴(kuò)散電流半導(dǎo)體中有兩種載流子：電子和空穴，這兩種載流子的定向運(yùn)動(dòng)會(huì)引起導(dǎo) 電電流。返回1. 1 . 2 雜質(zhì)半導(dǎo)體 （ donor and acceptor impurities） 返回（一） N型半導(dǎo)體 （ N Type semiconductor ） 室溫T=300k+ ++++5返回（二） P型半導(dǎo)體 （ P type semiconductor ） 返回（三） 雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度 本征半導(dǎo)體中載流子由本征激發(fā)產(chǎn)生： ni=pi摻雜半導(dǎo)體中（ N or P） → 摻雜越多 → 多子濃度 ↑→ 少子濃度 ↓雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子由兩個(gè)過(guò)程產(chǎn)生 ： 雜質(zhì)電離 → 多子 本征激發(fā) → 少子由半導(dǎo)體理論可以證明，兩種載流子的濃度滿足以下關(guān)系：1 熱平衡條件： 溫度一定時(shí)，兩種載流子濃度積之，等于本征濃度的平方。 晶體二極管及應(yīng)用返回 .1 本征半導(dǎo)體1. 1 . 2 雜質(zhì)半導(dǎo)體1. 1 . 3 漂移電流與擴(kuò)散電流引言返回返回 .1 本征半導(dǎo)體返回 .1 本征半導(dǎo)體 （ intrinsic semiconductor）返回E g（二）本征激發(fā)和兩種載流子 a:空穴帶正電量b：空穴是半導(dǎo)體中所特有的帶單位正電荷的粒子，與電子電量相等，符號(hào)相反c： 空穴在價(jià)帶內(nèi)運(yùn)動(dòng)，也是一種載流子。 PN結(jié)原理167。第一章 半導(dǎo)體基本器件及應(yīng)用電路167。 半導(dǎo)體材料及導(dǎo)電特性167。 雙極型晶體管167。在外電場(chǎng)作用下可在晶體內(nèi)定向移動(dòng)空穴：自由電子載流子：帶單位負(fù)電空穴載流子 ：帶單位正電返回（三） 本征載流子（ intrinsic carrier） 濃度 本征激發(fā) 電子空穴E g1電子 空穴隨機(jī)碰撞復(fù)合 （自由電子釋放能量）電子空穴對(duì)消失23 本征激發(fā)動(dòng)態(tài)平衡復(fù)合 是電子空穴對(duì)的兩種矛盾運(yùn)動(dòng)形式。
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1