電子知識(shí)：太陽(yáng)能電池組件生產(chǎn)工藝-在線瀏覽
2025-01-06 23:37本頁(yè)面
【正文】 玻璃、 EVA、電池、 EVA、玻璃纖維、背板）。層壓工藝是組件生產(chǎn)的關(guān)鍵一步，層壓溫度層壓時(shí)間根據(jù) EVA 的性質(zhì)決定。固化溫度為 150℃ 。 裝框：類似與給玻璃裝一個(gè)鏡框；給玻璃組件裝鋁框，增加組件的強(qiáng)度，進(jìn)一步的密封電池組件，延長(zhǎng)電池的使用壽命。各邊框間用角鍵連接。 高壓測(cè)試：高壓測(cè)試是指在組件邊框和電極引線間施加一定的電壓，測(cè)試組件的耐壓性和絕緣強(qiáng)度，以保證組件在惡劣的自然條件（雷擊等）下不被損壞。 太陽(yáng)能電池陣列設(shè)計(jì)步驟： １ .計(jì)算負(fù)載 24h 消耗容量 P。 。 鎘鎳 (ＧＮ )和鉛酸 (ＣＳ )蓄電池的單體浮充電壓分別為 ～ 和。 VT=(T25)VF VP。 WP=IPUP VP、 WP 在硅電池平板組合系列表 格，確定標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的串聯(lián)塊數(shù)和并聯(lián)組數(shù)。 產(chǎn)生這種電位差的機(jī)理有好幾種，主要的一種是由于阻擋層的存在。 熱平衡態(tài)下的 PN結(jié)同質(zhì)結(jié)可用一塊半導(dǎo)體經(jīng)摻雜形成 P 區(qū)和 N 區(qū)。在 PN 區(qū)交界面處因存在載流子的濃度差，故彼此要向?qū)Ψ綌U(kuò)散。同樣，空穴由 P 區(qū)擴(kuò)散到 N 區(qū)后，由不能運(yùn)動(dòng)的受主離子 NA形成負(fù)的空間電荷。 PN 結(jié)能帶與接觸電勢(shì)差： 在熱平衡條件下，結(jié) 區(qū)有統(tǒng)一的 EF；在遠(yuǎn)離結(jié)區(qū)的部位， EC、 EF、 Eν之間的關(guān)系與結(jié)形成前狀態(tài)相同。當(dāng) N型與 P 型兩者緊密接觸時(shí)，電子要從費(fèi)米能級(jí)高的一方向費(fèi)米能級(jí)低的一方流動(dòng)，空穴流動(dòng)的方向相反。在內(nèi)建電場(chǎng)作用下， EFN 將連同整個(gè) N 區(qū)能帶一起下移， EFP 將連同整個(gè) P 區(qū)能帶一起上移，直至將費(fèi)米能級(jí)拉平為EFN=EFP，載流子停止流動(dòng)為止。勢(shì)壘高度等于 N 型、 P 型半導(dǎo)體單獨(dú)存在時(shí)費(fèi)米能級(jí)之差： qUD=EFNEFP 得 UD=(EFNEFP)/q q：電子電量 UD：接觸電勢(shì)差或內(nèi)建電勢(shì) 對(duì)于在耗盡區(qū)以外的狀態(tài)： UD=(KT/q)ln(NAND/ni2) NA、 ND、 ni：受主、施主、本征載流子濃度。在一定溫度下， PN 結(jié)兩邊摻雜濃度越高， UD 越大。 光照下的 PN 結(jié)光電效應(yīng)： 當(dāng) PN 結(jié)受光照時(shí)，樣品對(duì)光子的本征吸收和非本征吸收都將產(chǎn)生光生載流子。因 P 區(qū)產(chǎn)生的光生空穴， N區(qū)產(chǎn)生的光生電子屬多子，都被勢(shì)壘阻擋而不能過(guò)結(jié)。光生電子被拉向 N 區(qū)，光生空穴被拉向 P 區(qū)，即電子空穴對(duì)被內(nèi)建電場(chǎng)分離。它們產(chǎn)生一個(gè)與熱平衡 PN 結(jié)的內(nèi)建電場(chǎng)方向相反的光生電場(chǎng)，其方向由 P 區(qū)指向 N 區(qū)。于是有結(jié)電流由 P 區(qū)流向 N 區(qū)，其方向與光電流相反。設(shè) N 區(qū)中空穴在壽命 τp的時(shí)間內(nèi)擴(kuò)散距離為 Lp， P 區(qū)中電子在壽命 τn 的時(shí)間內(nèi)擴(kuò)散距離為 Ln。故可以認(rèn)為在結(jié)附近平均擴(kuò)散距離 L 內(nèi)所產(chǎn)生的光生載流子都對(duì)光電流有貢獻(xiàn)。 光照下的 PN 結(jié)電流方程： 與熱平衡時(shí)比較，有光照時(shí)， PN 結(jié)內(nèi)將產(chǎn)生一個(gè)附加電流（光電流）
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