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2025-06-24 12:14本頁面
【正文】 靜電是一種客觀的自然現(xiàn)象 ,產(chǎn)生的方式很多 ,如接觸 ﹑ 磨擦 ﹑ 沖流等。 靜電放電現(xiàn)象是電荷的產(chǎn)生和消失過程中產(chǎn)生的電現(xiàn)象的總稱。不論導(dǎo)體還是絕緣體在靜電作用下都可能帶電荷。但由于外界作用如摩擦或以各種能量（動能、勢能、熱能、化學(xué)能等）的形式作用，會使原子的正負電不平衡。有些情況下，如感應(yīng)靜電起電，熱電和壓電起電，亥姆霍茲層、噴射起電等也能產(chǎn)生靜電效應(yīng)。 帶電體對不帶電體的感應(yīng)起電，實例圖： 5/19 靜電的基本物理特性： 高電位、低電 量 、 小 電流 、 作用 時間 短 、復(fù)現(xiàn) 性差 、瞬間現(xiàn) 象多 、 受 濕度影響大、吸引或排斥、與大地有電位差、會產(chǎn)生放電電流。 7/19 靜電學(xué)主 要研究的是靜電防護技術(shù)，如電子工業(yè)、石油工業(yè)、兵器工業(yè)、紡織工業(yè)、橡膠工業(yè)以及航天與軍事領(lǐng)域的靜電危害。 靜電基本物理特性決定其對電子元件的四種影響： 1〃靜電吸附灰塵，降低元件絕緣電阻（縮短壽命）。 3〃靜電放電電場或電流產(chǎn)生的熱，使元件受傷（潛在損傷）。 靜電對電子產(chǎn)品損害所具有的特點： 隱蔽性、潛在性、隨機性、復(fù)雜性 詳細解釋 三 靜電的危害 8/19 靜電放電引起的組件擊穿損害是電子工業(yè)中最普遍 ﹑ 最嚴(yán)重的靜電危害 ,它分硬擊穿和軟擊穿 .硬擊穿是一次性造成元器件介質(zhì)擊穿 ﹑ 燒毀或永久性失效；軟擊穿則是造成器件的性能劣化或參數(shù)指標(biāo)下降 . 磨擦起電和人體靜電是電子 ﹑ 微電子工業(yè)中的兩大危害源，但產(chǎn)生靜電并非危害所在，危害在于靜電積累及由此產(chǎn)生的靜電電荷放電；帶電的物體，在其周圍形成靜電場，會產(chǎn)生力學(xué)效應(yīng)，放電效應(yīng)和靜電感應(yīng)效應(yīng)。當(dāng)人體給電子流動提供一條導(dǎo)電路徑時，蓄積在體內(nèi)的電荷就會沖出體外，向離用戶最近的金屬物體流去，結(jié)果發(fā)生短促而刺痛的放電，但這一般對人體沒有危害。電子方面的人員在處理或替換電路板、集成電路塊，需頻繁地接觸各種元器件，而半導(dǎo)體設(shè)備對于來自靜電的刺激極其敏感，元器件的損壞只是在一瞬間。PC中的門陣 CMOS芯片能夠承受靜電沖擊電壓為 200V， DRAM、 EPROM芯片為 300V，TTL芯片為 1000V。 9/19 靜電損害的實例圖： 芯片內(nèi)部被靜電擊穿 靜電高壓擊穿芯片 靜電對人體的傷害 靜電 ESD電流導(dǎo)致電路熔斷 嚴(yán)重后果 靜電擊穿 在不經(jīng)意間將昂貴電子器件擊穿，造成電子工業(yè)年損失達上百億美元 對 P/N結(jié)造成軟擊穿 芯片內(nèi)單晶硅金屬鍍模擊穿 芯片內(nèi)引線擊穿 10/19 靜電放電損害： 靜電放電產(chǎn)生電磁脈沖， 可使 智能電子設(shè)備產(chǎn)生誤動作；當(dāng)具有強能量脈沖時 ,可使 靜電 敏感器件 直接被 破 壞，下面就以此對計
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