cmos數(shù)字集成電路ppt課件-在線瀏覽
2025-06-22 12:05本頁(yè)面
【正文】 ? CMOS門的延遲下降時(shí)間 lfn D DCtV???上升時(shí)間 ( 3 4 ) lrp D DCtV??tr tf ,NNNNWβ KL? ,PPPPWβ KL?CMOS電路的功耗 靜態(tài)功耗 1()iS D R D D S SiP I V V?? ? ??動(dòng)態(tài)功耗 對(duì)負(fù)載電容 充放電功耗 短路功耗 2C l DDP f C V??31 ( 2 )12D r D D TP t f V V??? 減小 CMOS管的輸入電容，對(duì)于提高電路的工作速度和 降低動(dòng)態(tài)功耗都是有利的。 CMOS數(shù)字電路的特征 ? 標(biāo)準(zhǔn)邏輯電平 種類 供電電源 Ｖ Ｌ Ｖ ｂ TTL ALSTT ECL HCMOS NMOS 邏輯扇出特性 R ? 容性負(fù)載及其影響 ? tPD=tLH+tHL=(RP+RN)C ? CMOS電路的噪聲容限 ? 設(shè) VOL和 VOH是反相器的額定輸出低電平和高電平， VIL和 VIH是反相器輸入端的閾值電壓，則當(dāng)反相器的輸入 Vi≤VIL時(shí)，反相器輸出為高電平； Vi≥VIH時(shí)，反相器輸出為低電平，當(dāng) VIL≤Vi≤VIH時(shí)，電路處于不定態(tài)。于是，定義噪聲容限為： ? 低電平噪聲容限 NML=VILVOL ? 高電平噪聲容限 NMH=VOH VIH CMOS電路的噪聲容限的分析計(jì)算 ? CMOS反相器的直流電壓轉(zhuǎn)移特性曲線 VD VOH=VDD VOL=0 VIL VIH Vi 3 3 58D D T P T NILV V VV ??? 5 5 38D D T P T NIHV V VV ???CMOS電路的噪聲容限
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