數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)之制造工藝-在線瀏覽
2025-02-24 10:42本頁面
【正文】 子注入(f) P阱和 VTn調(diào)整的離子注入(e)用 n阱掩膜只暴光 n阱區(qū)域（圓片的其余部分為一層厚緩沖材料所覆蓋），之后 進(jìn)行注入 退火工序來調(diào)整阱的摻雜。這一注入只對(duì)柵氧下面的區(qū)域的摻雜產(chǎn)生影響。(g)多晶硅淀積與刻蝕后(h) n+源 /漏及 P+源 /漏注入后。多晶硅用來 作為晶體管的柵電極和互連線材料。(i) SiO2絕緣層淀積及接觸孔(ii) 刻蝕后在此之后，刻蝕掉未被多晶硅覆蓋的柵氧薄層，同樣的注入也用來對(duì)多晶硅表面 進(jìn)行摻雜以減小它的電阻率。接下來的工藝步驟是淀積多層金屬互連層、接觸孔、通孔等注意：在摻雜之前形成圖形的多晶硅柵實(shí)際確定了溝道的確切位置，從而也確定了 源區(qū)和漏區(qū)的位置 ——這一過程稱為 自對(duì)準(zhǔn)工藝 ，它使源和漏這兩個(gè)區(qū)域 相對(duì)于柵具有非常精確的位置，并有助于減小晶體管中的寄生電容。 在這中間的平面化步驟采用化學(xué)機(jī)械拋光以保證即便存在多個(gè)互連層時(shí)表面 仍保持適度的平整。此后， 還常常要再淀積一層氮化物，因?yàn)槟苁剐酒姆莱毙阅芨?。二、設(shè)計(jì)規(guī)則 —— 設(shè)計(jì)者和工藝工程師之間的橋梁工藝層的概念是將當(dāng)前在 CMOS中使用的難以理解的一組掩膜轉(zhuǎn)化成一組簡(jiǎn)單的概念化的版圖層。襯底或阱；216。摻雜的區(qū)域稱為注入?yún)^(qū)；216。多個(gè)金屬互連層；216。層內(nèi)限制規(guī)則 第一組規(guī)則定義了在每一層中圖形的最小尺寸，以及在同一層中圖形間的最小間距。為了在用 metal1實(shí)現(xiàn)的電源線和一個(gè) P型材料間建立起一個(gè) 歐姆接觸，必須提供一個(gè) P+擴(kuò)散區(qū)。n 它允許圖形允許的最小線寬以及在同一層和不同層上圖形之間最小間距的限制與要求。其中包括： ＊ 以 微米分辨率 來規(guī)定的微米規(guī)則 ＊ 以 特征尺寸為基準(zhǔn)的 λ 規(guī)則 版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則n 層次 人們把設(shè)計(jì)過程抽象成若干易于處理的概念性版圖層次，這些層次代表線路轉(zhuǎn)換成硅芯片時(shí)所必需的掩模圖形。n 擴(kuò)散區(qū)（ n+ 和 p+），它們定義了可以形成晶體管的區(qū)域，這些區(qū)域通常稱為有源區(qū)。n 多個(gè)金屬互連層。版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則層次表示 含義 標(biāo)示圖 NWELL N阱層 Locos N+或 P+有源區(qū)層 Poly 多晶硅層 Contact 接觸孔層 Metal 金屬層 Pad 焊盤鈍化層 ? NWELL硅柵的層次標(biāo)示 版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則n NWELL層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則 編 號(hào) 描 述 尺 寸 目的與作用 N阱最小寬度 保證光刻精度和器件尺寸 N阱最小間距 防止不同電位阱間干擾 N阱內(nèi) N阱覆蓋 P+ 保證 N阱四周的場(chǎng)注 N區(qū)環(huán)的尺寸 N阱外 N阱到 N+距離 減少閂鎖效應(yīng) 版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則n N阱設(shè)計(jì)規(guī)則示意圖 版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則n P+、 N+有源區(qū)相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則列表 編 號(hào) 描 述 尺 寸目的與作用 P+、 N+有源區(qū)寬度 保證器件尺寸，減少窄溝道效應(yīng) P+、 N+有源區(qū)間距 減少寄生效應(yīng)版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則n P+、 N+有源區(qū)設(shè)計(jì)規(guī)則示意圖 版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則n Poly相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則列表 編 號(hào) 描 述 尺 寸目的與作用 多晶硅最小寬度 保證多晶硅線的必要電導(dǎo) 多晶硅間距 防止多晶硅聯(lián)條 與有源區(qū)最小外間距 保證溝道區(qū)尺寸 多晶硅伸出有源區(qū) 保證柵長及源、漏區(qū)的截?cái)?與有源區(qū)最小內(nèi)間距 保證電流在整個(gè)柵寬范圍內(nèi)均勻流動(dòng)版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則n Poly相關(guān)設(shè)計(jì)規(guī)則示意圖 版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則n Contact相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則列表 編 號(hào) 描 述 尺 寸 目的與作用 接觸孔大小 保證與鋁布線的良好接觸 接觸孔間距 保證良好接觸 多晶硅覆蓋孔 防止漏電和短路 有源區(qū)覆
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