電路參數(shù)及其提取ppt課件-在線瀏覽
2025-06-18 18:20本頁面
【正文】 電近似 tp = CL (Reqn+Reqp)/2 ln(2) 一、 CMOS門延遲 4 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu ? 延遲和輸入信號相關(guān) ? Low － high變化 – 兩個輸入同時變低 ? tpLH－ Rp/2 CL – 只有一個輸入變低 ? tpLH－ Rp CL ? High － low 變化 ? 兩個輸入同時變高 ? tpLH－ 2Rn CL CL B Rn A Rp B Rp A Rn Cint NAND 的延遲估計 1tRCo u t D DV V e ?????????5 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu 二、連線延遲 interwire fringe pp 6 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu 描述引線 RC延遲的模型可以分為集總模型（ lumped model）和分布模型（ distributed model） 集總模型 RC延遲 cwire Driver capacitance per unit length Vout Clumped RDriver Vout 簡單適于短引線 (r,c,L) VN Vin r?L Vin VN r?L r?L r?L r?L c?L c?L c?L c?L c?L 2()outV r c L? ?r,c單位長度的引線電阻、電容 7 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu 分布模型（ distributed model） RC延遲 LrVVVVtVLc iiiii???????? ?? )()( 11 LLNNNLrcV out ???????? ??? ,2 )1()()( 2?節(jié)點 i的電壓所滿足的方程 網(wǎng)絡(luò)節(jié)點分得很密 21()2outV rc L? ?L N L??延遲時間與連線的長度的平方成正比！ 長連線加驅(qū)動器－緩沖器 buffer－反相器鏈 8 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu 門延遲和引線延遲一起考慮 RDriver Vin Vout rw,cw,L ? 門延遲和引線延遲的總延遲時間為 t= + (RwCw)/2 = RDriverCw + Rw = rwL , Cw = cwL 長連線加驅(qū)動器－緩沖器 buffer－反相器鏈 9 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu CLK PAD 1500Cu 500Cu 1200Cu 750Cu Cu buffer0 buffer1 buffer2 buffer3 buffer4 CLK1 CLK2 CLK3 CLK4 三、電路扇出延遲 邏輯門的輸出端所接的輸入門的個數(shù)稱為電路的扇出： Fout。 對于電路扇出參數(shù)的主要限制是： inout II ??V iI outV o I inI inI in11 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu 扇出端的負載等于每個輸入端的柵電容之和： 在電路設(shè)計中 ， 如果一個反相器的扇出為N， 即 Fout=N。否則它的上升及下降時間都會下降 N倍 。 由于外部電容比芯片內(nèi)部標準門柵
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