freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

h核磁共振ppt課件(2)-在線瀏覽

2025-06-18 18:16本頁(yè)面
  

【正文】 CH3 環(huán)烷烴 — CH2Ar CH2NR2 CH2S C?CH CH2C=O CH2=CHCH3 —3 CH2F CH2Cl CH2Br CH2I CH2O CH2NO2 2— (1)— 6— —12 CHCl3 () — 9—10 OH NH2 NH CR2=CHR RCOOH RCHO HRD ArH C=CH ≡CH RH ~ 1 CH CH2 CH3 COOH CHO ArOH ROH(RNH2) 10~ 12 9~ 10 4 ~ 8 ~ 5 、影響化學(xué)位移的因素 凡影響 電子云密度 的因素都將影響化學(xué)位移。 CH3I ? = CH3Br CH3Cl CH3F 去屏蔽作用大 鹵原子的電負(fù)性增強(qiáng) 零點(diǎn) 1 2 3 1 2 3 4 5 6 6 7 8 9 ? TMS 低場(chǎng) 高場(chǎng) ( 2)誘導(dǎo)效應(yīng)是通過成鍵電子沿鍵軸方向傳遞的,氫核與取代基的距離越大,誘導(dǎo)效應(yīng)越弱。 2)共軛效應(yīng) (conjugative effect) C CCHOR HR6 . 6 1 7 . 6 45 . 5 4 6 . 2 0C CHHHH5 . 2 8 共軛體系中如果氫被推電子基(如 CH3O)取代,由于 p –π 共軛,使共軛體系的電子云密度增大, δ 值向高場(chǎng)位移; C CO CHHH4 . 8 54 . 5 57 . 2 5C CHHHH5 . 2 8OC H3H aC O HOH aO C H3與苯環(huán)相比較 ,下列化合物中 Ha的化學(xué)位移大小,并說明理由。 R O H .. .. H O R R O H H O R 醇在高濃度下形成 分子間氫鍵 (稀溶液中) ?? ?? ?? 3)氫鍵的影響 (the effect of hydrogen bond) 能形成氫鍵的氫核 (如 OH, NH2 等 ),其 ?值 會(huì) 在很寬的范圍內(nèi)變化。請(qǐng)解釋該現(xiàn)象。例如, 苯環(huán) 中的氫或 芳環(huán) 中的氫,其化學(xué)位移值較大 (?=7?8, 與氯仿相近 )。 ArH C=CH ≡CH 屏蔽區(qū):感應(yīng)磁場(chǎng)與外磁場(chǎng)方向相反的區(qū)域 去屏蔽區(qū): 感應(yīng)磁場(chǎng)與外磁場(chǎng)方向相同的區(qū)域 。 (1)雙鍵的各向異性效應(yīng) (2) 叁鍵的各向異性效應(yīng) 碳碳叁鍵是直線構(gòu)型, π 電子云圍繞碳碳 σ 鍵呈筒型分 布,形成環(huán)電流,故 叁鍵 上的H處于 屏蔽區(qū) ,質(zhì)子的共振信號(hào)移向 較高 的磁場(chǎng),其 δ = 2~ 3。 苯環(huán) 上的氫吸收峰出現(xiàn)在 低場(chǎng) , δ值較大。它是用波長(zhǎng)很長(zhǎng)、能量很低的電磁波照射分子( λ≥102 cm),引起磁性核在外磁場(chǎng)中發(fā)生能級(jí)的共振躍遷而產(chǎn)生的吸收光譜。 質(zhì)子數(shù)和中子數(shù)都為偶數(shù)的原子核,12C、 16O 1H、 13C、 15N、31P、 19F 2H、 11B、14N、 17O、33S、 35Cl I = 0 I = 1/2 I = 1, 3/2, 2… 核外電子對(duì) H核產(chǎn)生的這種作用,稱為屏 蔽效應(yīng) (又稱抗磁屏蔽效應(yīng) )。( 1/2? ) 以四甲基硅烷( TMS)為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì),規(guī)定:它的化學(xué)位移為零,然后,根據(jù)其它吸收峰與零點(diǎn)的相對(duì)距離來確定它們的化學(xué)位移值。 S iC H 3C H 3H 3 C C H 3 為什么選用 TMS(四甲基硅烷 )作為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) ? 零點(diǎn) 1 2 3 1 2 3 4 5 6 6 7 8 9 ? TMS 高場(chǎng) 低場(chǎng) 感 生 磁 場(chǎng) B 39。 CH3I ? = CH3Br CH3Cl CH3F 去屏蔽作用大 鹵原子的電負(fù)性增強(qiáng) 零點(diǎn) 1 2 3 1 2 3 4 5 6 6 7 8 9 ? TMS 低場(chǎng) 高場(chǎng) 如果被吸電子基團(tuán)(如 C=O、 NO2)取代由于 π –π 共軛,使共軛體系的電子云密度降低, δ 值向低場(chǎng)位移。 R O H .. .. H O R R O H H O R 醇在高濃度下形成 分子間氫鍵 (稀溶液中) ?? ?? ?? 3)氫鍵的影響 (the effect of hydrogen bond) 4) 各向異性 (aeolotropism) 有相當(dāng)數(shù)量氫核的化學(xué)位移無法用簡(jiǎn)單的電子效應(yīng)解釋。同時(shí), 烯烴 δ = ~ ,炔烴 δ = ~ ,等化合物都有類似現(xiàn)象,這些都可以用磁各向異性效應(yīng)來解釋。 雙鍵 上的氫處于 去屏蔽 區(qū),吸收峰出現(xiàn)在 低場(chǎng) 。 在苯與二甲基甲酰胺的復(fù)合物中,苯環(huán)較多地 靠近帶正電荷的氮而遠(yuǎn)離帶負(fù)電荷的氧的一端, 使 ?甲基受到苯環(huán)的屏蔽,所以向高場(chǎng)位移。但是隨著溫度提高, C—N 鍵的自由旋轉(zhuǎn)速度加快,兩個(gè)甲基將逐漸處于相同的化學(xué)環(huán)境,這時(shí)觀測(cè)到的就是一個(gè)譜峰。 常用 氘代溶劑 或不含質(zhì)子的溶劑,如 CCl4,CDCl3,D2O,CF3COOH, CD3COCD3等溶劑。如 CDCl3在 ? ,是殘存的 CHCl3質(zhì)子吸收。 一些溶劑殘留質(zhì)子的 ?值 溶劑 殘留質(zhì)子的 ? 溶劑 殘留質(zhì)子的 ? CDCl3 苯 d6 CD3OD , * 乙酸 d4 ,* CD3COCD3 CCl4 ? D2O * CS2 ? CD3SOCD3 CH3NO2 二氧六環(huán) d8 CH3CN 吡啶 d5 , CF3COOH * 二甲基甲酰胺 d7 ,(寬 )* *變動(dòng)較大與所測(cè)化合物濃度及溫度等有關(guān) 1125 6) 質(zhì)子化學(xué)位移的經(jīng)驗(yàn)計(jì)算 ( p145) 取代基對(duì)苯環(huán)芳?xì)涞挠绊? 取代基 o m p 供電基團(tuán) OH OCH3 CH3 吸電基團(tuán) COCH3 + + + 求苯環(huán)上氫 A,氫 B的化學(xué)位移值 S O2C lN O2AB?A=++= ?B=++= 自旋偶合與自旋裂分 C CIH bH bH aH aH a (1) 自旋核與自旋核之間的相互作用稱作 自旋偶合。 Hb 不存在時(shí), Ha的峰形 去屏蔽區(qū) 屏蔽區(qū) Hb 存在時(shí), Ha的峰形 由于 Hb的自旋干擾,使 Ha的吸收峰裂分為雙重峰,且峰強(qiáng)度之比為 1: 1 CH aCHbIRR R 50%,屏蔽區(qū) 50%,去屏蔽區(qū) H0 1〉 25%,去屏蔽區(qū) 4〉 25%,屏蔽區(qū) 2〉 50% 未屏蔽區(qū) 3〉 由于 Hb的自旋干擾,使 Ha的吸收峰裂分為三重峰,且峰強(qiáng)度之比
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
教學(xué)課件相關(guān)推薦
文庫(kù)吧 www.dybbs8.com
備案圖鄂ICP備17016276號(hào)-1