次離子質(zhì)譜simsppt課件-在線瀏覽
2025-06-18 02:47本頁面
【正文】 (中性 、 激發(fā)態(tài)或電離 ) 反彈濺射 留在固體內(nèi) 離子注入 反彈注入 離子與固體表面相互作用引起的重粒子發(fā)射過程 濺射 (Sputtering)現(xiàn)象 ：粒子獲得離開表面的動(dòng)量，且其能量大于體內(nèi)結(jié)合能時(shí)產(chǎn)生二次發(fā)射，這種現(xiàn)象叫做濺射。 與下列因素有關(guān)： (1) 入射離子能量 (2) 一次離子入射角 (3) 入射離子原子序數(shù) (4) 樣品原子序數(shù) (5) 靶材料的晶格取向 通常，當(dāng)入射離子能量在 500eV5keV時(shí)， 濺射產(chǎn)額為 1－ 10 atom/ion。 3. 濺射速率： 單位時(shí)間濺射的厚度 其中 z：濺射速率 S: 濺射產(chǎn)額 Jp：一次束流密度 Ip：束流強(qiáng)度 M：靶原子原子量 ρ : 靶材料的密度 A：束斑面積 4. 特殊說明： Δ 濺射產(chǎn)額與樣品表面關(guān)系甚大。 ??MSAeIMSeJdtdzz pp ????四、二次離子發(fā)射的基本規(guī)律 1. 發(fā)射離子的種類 （ 1）純元素樣品 Δ 一價(jià)正 、負(fù)離子及其同位素 (保持天然豐度比 ) Δ 多荷離子：在質(zhì)譜圖上出現(xiàn)在一價(jià)離子質(zhì)量數(shù) 的 1/ 1/3處 Δ原子團(tuán) （ 2） 通氧后 原子團(tuán)及化合物 （ 3） 有機(jī)物樣品 分子離子、碎片離子 (給出化合物分子量及分子結(jié)構(gòu)信息 ) 硅的二次離子質(zhì)譜－－正譜圖 硅的二次離子質(zhì)譜－－負(fù)譜圖 Si(111)注 O2表面二次離子質(zhì)譜－－正譜圖 Si(111)注 O2表面二次離子質(zhì)譜－－負(fù)譜圖 2． 二次離子產(chǎn)額 S＋ 或 S－ ： 一個(gè)一次離子平均打出的二次離子個(gè)數(shù) 。 二次離子的發(fā)射與中性原子濺射不同， 由于涉及電子轉(zhuǎn)移，因此與化學(xué)態(tài)密切相關(guān)，其它成分的存在影響了電子態(tài)。 （ 5）與一次離子能量關(guān)系 與濺射規(guī)律基本相同 3. 二次離子能量分布 最可幾能量分布范圍： 110eV 與入射離子能量無關(guān) 原子離子：峰寬，有長拖尾 帶電原子團(tuán)：能量分布窄，最可幾能量低，拖尾短 利用上述性質(zhì)，采用能量過濾器，可濾掉低能原子團(tuán)。 根據(jù)級(jí)聯(lián)碰撞導(dǎo)致濺射機(jī)理，濺射的中性粒子一部分處于亞穩(wěn)激發(fā)態(tài)，以中性粒子形式逸出表面，在表層外 1nm范圍內(nèi)通過 Auger去激發(fā)形成二次離子。利用在熱力學(xué)平衡下的關(guān)系式，從質(zhì)譜的離子流得到元素含量。 （ 4） 原子價(jià)模型
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