晶體生長方法簡介ppt課件-在線瀏覽
2025-06-17 18:43本頁面
【正文】 求在平衡 溶解度 附近 溶質(zhì) 有一定合宜的 過飽和度 。 晶體生長方法人工合成晶體的主要途徑是從溶液中培養(yǎng)和在高溫高壓下通過同質(zhì)多相 的轉(zhuǎn)變來制備 (如用石墨制備金剛石 )等。 晶體生長方法（溶劑熱法）影響晶體生長的因素? （相似相溶原理）? （恒溫溫度和升降溫速率）? （ 1day， 3days or 6days）? （ pH ）? （苯，甲苯，苯胺，苯酚，氯苯，對苯二酚，間苯二酚等）? （以電荷比為據(jù)計(jì)算）? （含氮配體：鄰菲羅啉，吡啶，聯(lián)吡啶等）? （主要是配體的純度）影響晶體生長的主要因素主要影響水熱反應(yīng)水熱合成法（ 1）定義 ：水熱合成是指溫度為 100～ 1000 ℃ 、壓力為1MPa～ 1GPa 條件下利用水溶液中物質(zhì)化學(xué)反應(yīng)所進(jìn)行的合成。又由于水熱反應(yīng)的均相成核及非均相成核機(jī)理與固相反應(yīng)的擴(kuò)散機(jī)制不同 ,因而可以創(chuàng)造出其它方法無法制備的新化合物和新材料。 晶體的培養(yǎng)是在高壓釜內(nèi)進(jìn)行的。釜內(nèi)用玻璃小瓶盛放溶液（合成反應(yīng)體系）， 便于觀察實(shí)驗(yàn)結(jié)果。（ 3）特點(diǎn)： 適于生長熔點(diǎn)很高，而在常溫常壓下又不溶于各種溶劑或溶解后即分解，且不能再結(jié)晶的晶體材料。 一般情況下，對于稀土金屬人們習(xí)慣使用水做溶劑，對于過渡金屬人們習(xí)慣使用 DMF和醇做溶劑，但需具體問題具體分析。水熱法制備晶體材料的基本步驟： 根據(jù)文獻(xiàn)及師長指導(dǎo)設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)，主要包括反應(yīng)物及溶劑種類、比例、用量、加入順序等（包括模板分子及第二配體的使用，實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)要有根有據(jù)） 。（反應(yīng)原料加入） 按設(shè)計(jì)好的實(shí)驗(yàn)依次稱量各種藥品放入玻璃小瓶中（小瓶事先用簽字筆標(biāo)號，以免混亂） 設(shè)定好控溫儀程序（升溫速率，恒溫反應(yīng)時間，降溫 速率），開始反應(yīng)。 根據(jù)實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象及與其他同學(xué)討論，總結(jié)實(shí)驗(yàn)得失，制定下一步實(shí)驗(yàn)計(jì)劃。在合成體系中影響反應(yīng)物活性物種在液相中的濃度，解離程度，以及聚合態(tài)分布等，從而改變反應(yīng)過程。 溶劑的選擇更是至關(guān)重要的，溶劑種類繁多，反映溶劑的溶劑化性質(zhì)的最主要參數(shù)為 溶劑極性 ，其定義為所有與溶劑 溶質(zhì)相互作用有關(guān)的分子性質(zhì)的總和（如：庫侖力、誘導(dǎo)力、色散力、氫鍵和電荷遷移力等）。這些性質(zhì)主要有熔點(diǎn)、沸點(diǎn)、熔化熱、汽化熱，介電常數(shù)和粘度等。反
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