電路板電鍍工藝ppt課件-在線瀏覽
2025-06-16 03:21本頁(yè)面
【正文】 2Layer 3Layer 4Layer 5CopperDry Film copper Tin Dry FilmDate 10電鍍理論依據(jù)?法拉第定律： Q＝ n*z*F ＝ D*S*t*η ?Q —— 通電量 (C)?n —— 沉積出金屬物質(zhì)的量 (mol)?z —— 被還原金屬離子價(jià)態(tài)?F —— 法拉第常數(shù) (F=96485)?D —— 電流密度（ ASD或 ASF）?S—— 電鍍面積 (dm2或 in2):元件面、焊錫面?t—— 電鍍時(shí)間 (Min)?η—— 電流效率 (%)Date 11電鍍銅基本原理電鍍液組成 (H2O++H2SO4+Cl+添加劑 )+整流器離子交換ne ne電鍍上銅陰極 (板件 )陽(yáng)極Cu Cu2+ + 2e Cu2+ + 2e Cu Date 12可溶性陽(yáng)極不足之處216。陽(yáng)極面積不足（＜陰極）：l電流密度過大，電鍍效率下降l容易產(chǎn)生銅粉、高電流區(qū)燒焦l嚴(yán)重時(shí)出現(xiàn)銅球鈍化或不溶解 216。較先進(jìn)設(shè)備：lPAL（亞洲電鍍）（亞洲電鍍） :垂直連續(xù)電鍍垂直連續(xù)電鍍lAEL（ 亞碩科技亞碩科技 ） :垂直連續(xù)電鍍垂直連續(xù)電鍍lATO（ 安美特安美特 ） :水平脈沖電鍍水平脈沖電鍍252。ATOTECH（安美特化學(xué)公司）? TP光劑： Cupracid TP Brightener/ Leveller ? U+光劑： Cupracid Universal Plus? 脈沖光劑： Cuprapulse S3/S4 inpulse /H6 252?；瘜W(xué)成份控制： 自動(dòng)添加、分析補(bǔ)加252。無(wú)機(jī)化學(xué)成份分析 :Cu2+、 H2SO4 、 Cl252。定期測(cè)量鍍液 TOC值，確認(rèn)污染程度。研究鍍液主要組份和添加劑的影響252?？焖俜治鲥円寒a(chǎn)生故障的原因赫氏槽片 赫氏槽Date 20二、哈林槽試驗(yàn)252。實(shí)驗(yàn)室評(píng)估鍍液深鍍能力的最佳方法252。CVS (Cyclic Voltammetric Stripping)252。定量測(cè)定有機(jī)添加劑濃度252。為研究、優(yōu)化新的電鍍技術(shù)提供條件CVS機(jī) 工作曲線Da
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