擴(kuò)散作業(yè)ppt課件-在線瀏覽
2025-06-16 02:54本頁面
【正文】 阻； (2)求再分布后的表面濃度，結(jié)深和方塊電阻。 再分布 屬于 有限表面源擴(kuò)散 ，它遵循 高斯分布 。cm時(shí) , CB = 1016cm3 ； 查圖 D~T可知：當(dāng) T1=950℃ ， B的 D1=4 1015cm2/s。 查圖 CSOl~T可知：當(dāng) T=950℃ ， CSOl=4 1020cm3。 再分布時(shí)間： t2=50min。 (2)再分布： 再分布時(shí)表面濃度為： 2211122tDtDCC SS ??根據(jù)3182122153152211126050/6010/1042?????????????????cmsscmsscmcmtDtDCCSS?所求的再分布時(shí)的結(jié)深為： mcmcmcmsscmtDCCtDAxBSj?)l n (6050/)][ l n (242131631821222212222?????????????????cmSCcmCcmCSSB/25~,3182316????????? 曲線得知：查圖時(shí)當(dāng)對(duì)于高斯分布??????? ?? /j?所求的再分布時(shí)的方塊電阻為： ,1jxR ???根據(jù)）依爾芬曲線（ ?~SC 硅 IC采用的 N型外延層的電阻率為 ? 解 : 思路： 從已知條件入手 : xj2= 2?m和 R□ 2=200Ω/□ ① 先利用 xj2= 2?m和 R□ 2=200Ω/□ 的關(guān)系計(jì)算出 ?2， 并利用 ? ~CS2的關(guān)系曲線查出 CS2，再用 xj2與 CS2 和 D(T2)的關(guān)系確定 t2。 或者 利用 CS2與 T2及 t2和 T1及 t2 的關(guān)系，直接指定 T1 再求出 t1。T21000℃, t2 ? 60min. 3182316105/25,~???????cmCcmScmCCSBS時(shí)，當(dāng)曲線得知：對(duì)高斯分布查圖??jj xRxR ?????1,1 ?? 得到根據(jù)cmScmxRj/25102/200 11 4222 ???????? ???擴(kuò)散層的電導(dǎo)率為： )l n (4)][ l n (22222222212222BSjBSjCCDxttDCCtDAx???? 可得根據(jù)由上式可知：當(dāng)溫度 T2確定后，則 擴(kuò)散系數(shù) D2(T2) 便可確定，從而擴(kuò)散時(shí)間 t2也可確定。 c
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