【正文】 A 7A 8A 9D 0D 1D 2D 3W ED 3D 2D 1D 0Data BusA 0A 1A 2A 3A 4A 5A 6A 7A 8A 9A d d r e s s B u sW ED 4D 5D 6D 7D 7D 6D 5D 41K X 8C SA 0A 1A 2A 3A 4A 5A 6A 7A 8A 9D 0D 1D 2D 3W ED 4D 5D 6D 71K X 8C SA 0A 1A 2A 3A 4A 5A 6A 7A 8A 9D 0D 1D 2D 3W ED 4D 5D 6D 71K X 8C SA 0A 1A 2A 3A 4A 5A 6A 7A 8A 9D 0D 1D 2D 3W ED 4D 5D 6D 72 4 譯 碼 器A 1 0A 1 1C S 0 C S 1 C S 2 C S 341 例 3： 1Kx4 SRAM存儲(chǔ)芯片構(gòu)成8Kx8的存儲(chǔ)器 A 0 A 9D 0 D 3 D 4 D 73 : 8譯碼器1 K x 4C S W EA 0 ~ A 9D 0 ~ D 31 K x 4C S W EA 0 ~ A 9D 0 ~ D 31 K x 4C S W EA 0 ~ A 9D 0 ~ D 31 K x 4C S W EA 0 ~ A 9D 0 ~ D 31 K x 4C S W EA 0 ~ A 9D 0 ~ D 31 K x 4C S W EA 0 ~ A 9D 0 ~ D 3D a t a B u sA 1 0A 1 1A 1 2C S 0C S 1C S 7A d d B u sW EC t r l B u s字位擴(kuò)展 : 存儲(chǔ)器芯片提供的字空間不能滿足整個(gè)存儲(chǔ)空 間的字空間要求，位空間也不能滿足要求?？梢杂煤?jiǎn)單的與、或門(mén)電路實(shí)現(xiàn)片選譯碼邏輯?？梢杂煤?jiǎn)單的與、或門(mén)電路或?qū)ｉT(mén)的譯碼器電路實(shí)現(xiàn)片選譯碼邏輯。其特點(diǎn)都是只利用了高位地址線中的幾位，而不是全部。 43 44 主存儲(chǔ)器與 CPU連接技術(shù) 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的主存儲(chǔ)器一般由多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片按一定結(jié)構(gòu)互連構(gòu)成，并通過(guò)地址譯碼等外圍電路與系統(tǒng)連接。地址總線 A15～ A0（低） ,雙向數(shù)據(jù)總線 D7～ D0（低） ,讀 /寫(xiě)信號(hào)線 R/W。 （ 1）先擴(kuò)展位數(shù)，再擴(kuò)展單元數(shù)。 2片 1K 4 1K 8 4組 1K 8 4K 8 8片 45 存儲(chǔ)器尋址邏輯 （ 2）先擴(kuò)展單元數(shù)，再擴(kuò)展位數(shù)。 46 64KB 1K 4 1K 4 1K 4 1K 4 1K 4 1K 4 1K 4 1K 4 需 12位地址尋址： 4KB A15… A12A11A10A9…… A0 A11～ A0 0 0 0 …… 0 任意值 0 0 1 …… 1 0 1 1 …… 1 1 0 1 …… 1 0 1 0 …… 0 1 0 0 …… 0 1 1 0 …… 0 1 1 1 …… 1 片選 芯片地址 低位地址分配給芯片，高位地址形成片選邏輯。其中，0000H～ ～07FFH為 ROM區(qū)，選用 EPROM芯片（ 2KB/片）； 0800H～ 13FFH為 RAM區(qū)，選用RAM芯片（ 2KB/片和 1KB/片）。給出地址分配和片選邏輯。 便于擬定片選邏輯。 芯片 芯片地址 片選信號(hào) 片選邏輯 2K 2K 1K A10～ A0 A10～ A0 A9～ A0 CS0 CS1 CS2 A12A11 A12A11 A12A11 5KB需 13位地址尋址： ROM A12～ A0 64KB 1K 2K 2K RAM A10 A15A14A13為全 0 52 例 3： 4Kx4 SRAM存儲(chǔ)芯片構(gòu)成16Kx8的存儲(chǔ)器連接圖 A B 0 ~ A B 1 1D B 0 ~ D B 3 D B 4 ~ D B 7譯碼器4 K x 4C S W EA 0 ~ A 1 1D 0 ~ D 34 K x 4C S W ED 0 ~ D 34 K x 4C S W ED 0 ~ D 34 K x 4C S W ED 0 ~ D 34 K x 4C S W ED 0 ~ D 34 K x 4C S W ED 0 ~ D 3D a t a B u sA B 1 2A B 1 3C S 0C S 1C S 3A d d B u sW EC t r l B u s4 K x 4C S W ED 0 ~ D 34 K x 4C S W ED 0 ~ D 3A 0 ~ A 1 1A 0 ~ A 1 1A 0 ~ A 1 1A 0 ~ A 1 1 A 0 ~ A 1 1A 0 ~ A 1 1 A 0 ~ A 1 1C S 2作業(yè)： P233題 5 54 例 4：設(shè)計(jì) 7KB存儲(chǔ)器。設(shè) CPU地址總線為 20根 A19A0。設(shè) ROM區(qū)為低端地址空間， 7KB存儲(chǔ)器空間可連續(xù)分布。 CS1 = A12A11 = A12+A11 00000H～ 007FFH CS2 = A12A11 = A12+A11 00800H～ 00FFFH CS3 = A12A11 = A12+A11 01000H～ 017FFH CS4 = A12A11 = A12+A11 01800H～ 01BFFH（ A10=0） （ 01C00H～ 01FFFH）（ A10=1） 55 A19A18A17A16 A15A14A13A12 A11A10A9A8 A7A6A5A4 A3A2A1A0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 （ 00000H ~ 007FFH） 0/10/1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 （ 00800H ~ 00FFFH） 0/10/1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 （ 01000H ~ 017FFH） 0/10/1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 （ 01800H ~ 01FFFH） 0/10/1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 （ 02022H ~ 027FFH） 0/10/1 0 0 0 0 0 0 1 0 1 （ 02800H ~ 02FFFH） 0/10/1 0 0 0 0 0 0 1 1 0 （ 03000H ~ 037FFH） 0/10/1 0 0 0 0 0 0 1 1 1 （ 03800H ~ 03FFFH） 0/10/1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 （ 04000H ~ 047FFH） 0/10/1 ………………………………………………………………………………… 1 1 1 1 1 1 1 1 0 （ FF000H ~ FF7FFH） 0/10/1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 （ FF800H ~ FFFFFH） 0/10/1 56 磁表面存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)原理與技術(shù)指標(biāo) 存儲(chǔ)介質(zhì)： 磁層 讀 /寫(xiě)部件： 磁頭 （ 1）寫(xiě)入 在磁頭線圈中加入磁化電流（寫(xiě)電流），并使磁層移動(dòng)，在磁層上形成連續(xù)的小段磁化區(qū)域（位單元）。當(dāng)位單元的轉(zhuǎn)變區(qū) 經(jīng)過(guò)磁頭下方時(shí)，在線圈兩端產(chǎn)生 感應(yīng)電勢(shì) 。磁頭實(shí)際上是由軟磁材料做鐵芯繞有讀寫(xiě)線圈的電磁鐵。由于鐵芯是高導(dǎo)磁 率材料，而鐵芯空隙處為非磁性材料，故在鐵芯空隙處集中很強(qiáng)的磁場(chǎng)。若在寫(xiě)線圈里通入相反方向的脈沖電流，就可得到相反極性的磁化元。上述過(guò)程稱(chēng)為 寫(xiě)入 。當(dāng)載磁體相對(duì)于磁頭運(yùn)動(dòng)時(shí) (2)讀操作 當(dāng)磁頭經(jīng)過(guò)載磁體的磁化元時(shí)，由于磁頭鐵芯是良好的導(dǎo)磁材料，磁化元的磁力線很容易通過(guò)磁頭而形成閉合磁通回路。當(dāng)磁頭對(duì)載磁體作相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，由于磁頭鐵芯中磁通的變化，使讀出線圈中感應(yīng)出相應(yīng)的電動(dòng)勢(shì) e e=k（ dφ/dt）。不同的磁化狀態(tài)，所產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)方向 不同。 磁表面存儲(chǔ)器存取信息的原理 ： 通過(guò)電 磁變換，利用磁頭寫(xiě)線圈中的脈沖電流，可把一位二進(jìn)制代碼轉(zhuǎn)換成載磁體存儲(chǔ)元的不同剩磁狀態(tài)；反之，通過(guò)磁 電變換，利用磁頭讀出線圈，可將由存儲(chǔ)元的不同剩磁狀態(tài)表示的二進(jìn)制代碼轉(zhuǎn)換成電信號(hào)輸出 59 ? 形成不同寫(xiě)入電流波形的方式，稱(chēng)為 記錄方式 。 ? 在磁表面存儲(chǔ)器中，由于寫(xiě)入電流的幅度、相位、頻率變化不同，從而形成了不同的記錄方式。這些記錄方式中代碼 0或 1的寫(xiě)入電流波形見(jiàn)文字教材的圖 42 4 431等。不同之處在于，記錄“ 0”時(shí)電流方是，在一個(gè)位周期的中間位置，電流由負(fù)到正為 1，由正到負(fù)為 0，即利用電流相位的變化進(jìn)行寫(xiě)“ 1”和“ 0”，所以通過(guò)磁頭中的電流方向一定要改變一次，這種記錄方式中“ 1”和“ 0”的讀出信號(hào)相位不同，抗干擾能力較強(qiáng)。磁帶存儲(chǔ)器中一般采用這種記錄方式。這種記錄方式的優(yōu) 點(diǎn)是記錄密度高，具有自同步能力。 P222 ? 改進(jìn)調(diào)頻制 (MFM) 與調(diào)頻制的區(qū)別 在于只有連續(xù)記錄兩個(gè)或兩個(gè)以上“ 0”時(shí)，才在位周期的起始位置翻轉(zhuǎn)一次，而不是在每個(gè)位周期的起始處都翻轉(zhuǎn)，因而進(jìn)一步提高了記錄密度。 磁道上單位長(zhǎng)度內(nèi)的二進(jìn)制代碼數(shù)。 有效位數(shù) 用扇區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)塊長(zhǎng)度計(jì)算。 道密度 是沿磁盤(pán)半徑方向單位長(zhǎng)度上的磁道數(shù)，單位為道 /英寸。 面密度 是位密度和道密度的乘積，單位為位 / ? 存儲(chǔ)容量 一個(gè)磁盤(pán)存儲(chǔ)器所能存儲(chǔ)的字節(jié)總數(shù)，稱(chēng)為磁盤(pán)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量。 格式化容量 是指按照某種特定的記錄格式所能存儲(chǔ)信息的總量，也就是用戶可以真正使用的容量。將磁盤(pán)存儲(chǔ)器用于某計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，必須首先進(jìn)行格式化操作，然后才能供用戶記錄 信息。 ? 平均存取時(shí)間 存取時(shí)間是指從發(fā)出讀寫(xiě)命令后，磁頭從某一起始位置移動(dòng)至新的記錄位置，到開(kāi)