【正文】 半導(dǎo)體二極管的幾種常見結(jié)構(gòu) 第一章 PN結(jié)面積小，結(jié)電容小， 用于檢波和變頻等高頻電路 第一章 二極管的伏安特性 ? 與 PN結(jié)一樣，二極管具有單向?qū)щ娦浴? ? 一、二極管和 PN結(jié)伏安特性的區(qū)別 第一章 二極管的伏安特性 （ 1）正向起始部分存在一個死區(qū)或門坎，稱為 門限電壓 (開啟電壓 )。 二極管的特性對溫度很敏感，溫度升高，正向特性曲線向左移，反向特性曲線向下移。 二、溫度對二極管伏安特性的影響 第一章 二極管的主要參數(shù) ? （ 1）最大整流電流 IF： IF是二極管長期運(yùn)行時允許通過的最大正向平均電流，其值與 PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。 ? （ 3）反向電流 IR： IR是二極管未擊穿時的反向電流。 第一章 二極管的等效電路 ? 能夠模擬二極管特性的電路稱為二極管的等效電路。 一、由伏安特性折線化得到的等效電路 第一章 （ a）理想模型 （ b）恒壓降模型 （ c）折線模型 第一章 二、二極管的微變等效電路 ? 在二極管工作點附近，電壓的微變值與相應(yīng)的微變電流值之比，稱為該點的交流電阻 rd，即 ? 從其幾何意義上講，當(dāng) ?U?0 時， DTIU?????DDDDd diduiur第一章 ? 在交流信號 ui幅值較小的情況下， uR的波形 是在一定的直流電壓的基礎(chǔ)上疊加上一個與ui一樣的正弦波，該正弦波的幅度值決定于 rd與 R的分壓。 ? 穩(wěn)壓二極管反向擊穿時，擊穿區(qū)的曲線很陡，具有穩(wěn)壓特性。 ? (3)額定功耗 PZM： 穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓 UZ與最大穩(wěn) 定電流 IZM的乘積 . ? (4)動態(tài)電阻 rz ： 穩(wěn)壓管工作在穩(wěn)壓區(qū)時 ,端電壓 變化量與其電流變化量之比。 求：限流電阻 R的取值范圍。 試問：（ 1）開關(guān)處于何種位置時發(fā)光二極管可能發(fā)光？ （ 2）為使發(fā)光二極管發(fā)光，電路中 R的取值范圍為多少？ 第一章 二、光電二極管 ? 光電二極管是遠(yuǎn)紅外線接受管 ,是一種光能與電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換的器件 .它的幾種常見外形如圖如下 第一章 ? 光電二極管的伏安特性：在無光照時，與普通二極管一樣 ,具有單向?qū)щ娦浴? 二、光電二極管 第一章 半導(dǎo)體二極管的型號 國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體器件型號的命名舉例如下： 附 錄 半導(dǎo)體二極管圖片 第一章 半導(dǎo)體二極管圖片 第一章 半導(dǎo)體二極管圖片 第一章 第一章 雙極晶體管 ? 晶體管的結(jié)構(gòu)及類型 ? 晶體管的電流放大作用 ? 晶體管的共射特性曲線 ? 晶體管的主要參數(shù) ? 溫度對晶體管特性及參數(shù)的影響 ? 光電三極管 (a)NPN型結(jié)構(gòu) (b)NPN型符號 (d) PNP型符號 (c) PNP型結(jié)構(gòu) 圖 21 NPN和 PNP管的結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號 T T EB間的 PN結(jié) 稱為 發(fā)射結(jié) (Je) CB間的 PN結(jié) 稱為 集電結(jié) (Jc) 從結(jié)構(gòu)上看主要有兩種類型： 發(fā)射區(qū) 集電區(qū) 基區(qū) 發(fā)射極 E 基極 B 集電極 C NPN型 PNP型 第一章 晶體管的結(jié)構(gòu)及類型 晶體管的電流放大作用 放大的條件： 發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置 第一章 晶體管的電流放大作用 一、晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動 第一章 １、發(fā)射 :多子在發(fā)射 區(qū)和基區(qū)之間的擴(kuò)散 收集 :擴(kuò)散到集電結(jié)的電子受電場力的作用到達(dá)集電極 2 、擴(kuò)散與復(fù)合 :電子在基區(qū)與空穴復(fù)合 ,電子靠擴(kuò)散作用向集電區(qū)運(yùn)動 IBE I1 VBB ICBO IE IC IB I3 ICB I2 ICN IEN Rb VCC Rc 晶體管的電流放大作用 二、晶體管的電流分配關(guān)系 第一章 CNC B OC III ??C B OBNB III ??ENEPENE IIII ???BNCNEN III ??ECB III ??∴ IBE I1 VBB 三極管的電流分配關(guān)系 ICBO IE IC IB I3 ICB I2 ICN IEN Rb VCC Rc 晶體管的電流放大作用 三、晶體管的共射電流放大系數(shù) 第一章 BCC B OBC B OCBNCN_IIIIIIIIβ ?????其中， ICN為發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子經(jīng)復(fù)合后剩余的 量，是集電極電流的主要部分。 直流電流放大系數(shù)： 交流電流放大系數(shù)： BCΔΔβii? ??? β 晶體管的共射特性曲線 第一章 一、輸入特性曲線 ? 輸入特性曲線描述了在管壓降 UCE一定的情況下 ,基極電流 iB與發(fā)射結(jié)壓降uBE之間的函數(shù)關(guān)系 ,即 : 常數(shù)?? CEUBEB )( ufi1. UCE=0V時，發(fā)射極與集電極短路，發(fā)射結(jié)與集電結(jié)均正偏，實際上是兩個二極管并聯(lián)的正向特性曲線。但 UCE再增加時，曲線右移很不明顯。 輸入特性曲線分三個區(qū) ② 非線性區(qū) ① 死區(qū) ③ 線性區(qū) ① ② ③ 正常工作區(qū)，發(fā)射結(jié)正偏 NPN Si: UBE= ~ PNP Ge: UBE= ~ 一、 輸入特性曲線 第一章 ? 輸出特性曲線描述了在基極電流 IB一定的情況下 ,集電極極電流 iC與管壓降uCE之間的函數(shù)關(guān)系 ,即 : 常數(shù)?? BICEC )( ufi二、 輸出特性曲線 第一章 第一章 飽和區(qū) : (1) iC受 uCE顯著控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi) uCE 的數(shù)值較小，一般 uCE ＜ (硅管 )。 二、 輸出特性曲線 放大區(qū)： —iC平行于 uCE軸的區(qū)域，曲線基本 平行等距。 (2) iC主要受 iB的控制。 場效應(yīng)管的分類 結(jié)型場效應(yīng)管 JFET MOS型場效應(yīng)管 MOS –FET 1. 晶體管是 電流控制元件 ；場效應(yīng)管是 電壓控制元件 。 ? 結(jié)型 場效應(yīng)管（ JFET)結(jié)構(gòu) P+ P+ N g s d N溝道結(jié)型場效應(yīng)管 導(dǎo)電溝道 結(jié)型場效應(yīng)管 第一章 一、 結(jié)型 場效應(yīng)管（ JFET)的工作原理 根據(jù)結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)，因它沒有絕緣層，只能工作在 反偏 的條件下，對于 N溝道結(jié)型場效應(yīng)管只能工作在 負(fù)柵壓 區(qū)， P溝道的只能工作在 正柵壓 區(qū)，否則將會出現(xiàn)柵流。 P+ P+ N g S d uDS iD d P+ P+ N g S uDS iD uGS 第一章 uGS uDS=0時 , uGS對導(dǎo)電溝道