【正文】 和Φ mm。和 186。4. 可以用作X射線探測(cè)器的有5. 影響衍射儀實(shí)驗(yàn)結(jié)果的參數(shù)有、和 名詞解釋1. 偏裝法——2. 光欄——3. 測(cè)角儀——4. 聚焦圓——5. 正比計(jì)數(shù)器——6. 光電倍增管—— 習(xí)題：1. CuKα輻射（λ= nm）照射Ag（）樣品，測(cè)得第一衍射峰位置2θ=38176。2. 試總結(jié)德拜法衍射花樣的背底來源，并提出一些防止和減少背底的措施。5. 衍射儀與聚焦相機(jī)相比，聚焦幾何有何異同？6. 從一張簡(jiǎn)單立方點(diǎn)陣物的德拜相上，已求出四根高角度線條的θ角（系由CuKα所產(chǎn)生）及對(duì)應(yīng)的干涉指數(shù)，試用“acosθ”的圖解外推法求出四位有效數(shù)字的點(diǎn)陣參數(shù)。8. 用背射平板相機(jī)測(cè)定某種鎢粉的點(diǎn)陣參數(shù)。若此二衍射環(huán)均系由CuKαl輻射引起，試求精確到四位數(shù)字的鎢粉的點(diǎn)陣參數(shù)值。10. 同一粉末相上背射區(qū)線條與透射區(qū)線條比較起來其θ較高還是較低？相應(yīng)的d較大還是較?。考热欢嗑Х勰┑木w取向是混亂的，為何有此必然的規(guī)律11. 衍射儀測(cè)量在人射光束、試樣形狀、試樣吸收以及衍射線記錄等方面與德拜法有何不同？12. 測(cè)角儀在采集衍射圖時(shí)，如果試樣表面轉(zhuǎn)到與入射線成30176。試求Ag的點(diǎn)陣常數(shù)。15. 圖題為某樣品德拜相（示意圖），攝照時(shí)未經(jīng)濾波。18. 衍射儀與聚焦相機(jī)相比，聚焦幾何有何異同？ 第四章 選擇題，若采用定量X射線物相分析，常用方法是（ ）。A. Hanawalt索引；B. Fenk索引；C. Davey索引；D. A或B。A. 相機(jī)尺寸誤差；B. 底片伸縮；C. 試樣偏心；D. A+B+C。A. 第一類應(yīng)力（宏觀應(yīng)力）；B. 第二類應(yīng)力（微觀應(yīng)力）；C. 第三類應(yīng)力；D. A+B+C。A. 確定的Ψ角；B. 045186。、45186。、15186。、45186。 正誤題。（ ）2. X射線衍射之所以可以進(jìn)行物相定性分析，是因?yàn)闆]有兩種物相的衍射花樣是完全相同的。（ ）。（ ） 1填空題6. 在Δθ 7. X射線物相分析包括 和 ，而 更常用更廣泛。9. X射線測(cè)定應(yīng)力常用儀器有 和 ，常用方法有 和 。 1名詞解釋1. 柯亨法——2. Hanawalt索引——3. 直接比較法——4. Sin2Ψ法—— 習(xí)題1. A－TiO2（銳鐵礦）與R—TiO2（金紅石：）混合物衍射花樣中兩相最強(qiáng)線強(qiáng)度比I A－TiO2一定的情況下，θ→ 186。試用參比強(qiáng)度法計(jì)算兩相各自的質(zhì)量分?jǐn)?shù)。（任意單位），試計(jì)算該鋼中殘留奧氏體的體積分?jǐn)?shù)（實(shí)驗(yàn)條件：Fe Kα輻射，濾波，室溫20℃，αFe點(diǎn)陣參數(shù)a= 6 nm，奧氏體點(diǎn)陣參數(shù)a=＋，wc為碳的質(zhì)量分?jǐn)?shù)。4. 一塊淬火+低溫回火的碳鋼，經(jīng)金相檢驗(yàn)證明其中不含碳化物，后在衍射儀上用 FeKα照射，分析出γ相含1%碳，α相含碳極低，如果測(cè)試時(shí)室溫為31℃，問鋼中所含奧氏體的體積百分?jǐn)?shù)為多少？5. 一個(gè)承受上下方向純拉伸的多晶試樣，若以X射線垂直于拉伸軸照射，問在其背射照片上衍射環(huán)的形狀是什么樣的？為什么？6. 不必用無應(yīng)力標(biāo)準(zhǔn)試樣對(duì)比，就可以測(cè)定材料的宏觀應(yīng)力，這是根據(jù)什么原理？ 7. 假定測(cè)角儀為臥式，今要測(cè)定一個(gè)圓柱形零件的軸向及切向應(yīng)力，問試樣應(yīng)該如何放置？8. 總結(jié)出一條思路，說明平面應(yīng)力的測(cè)定過程。時(shí)測(cè)得2θ＝176。時(shí)2θ＝176。10179。12. 試借助PDF（ICDD）卡片及索引，對(duì)表表2中未知物質(zhì)的衍射資料作出物相鑒定。表2?！?63176。16. 在水平測(cè)角器的衍射儀上安裝一側(cè)傾附件，用側(cè)傾法測(cè)定軋制板材的殘余應(yīng)力，當(dāng)測(cè)量軋向和橫向應(yīng)力時(shí)，試樣應(yīng)如何放置？17. 用側(cè)傾法測(cè)量試樣的殘余應(yīng)力，當(dāng)Ψ＝0186。時(shí)，其x射線的穿透深度有何變化？18. ATiO2％（銳鈦礦）與RTiO2（金紅石）混合物衍射花樣中兩相最強(qiáng)線強(qiáng)度比I ATiO2／I RTiO2＝1178。試用參比強(qiáng)度法計(jì)算兩相各自的質(zhì)量分?jǐn)?shù)。A（奧氏體〕中含碳1％，M（馬氏體）中含碳量極低。試計(jì)算該鋼中殘留奧氏體的體積分?jǐn)?shù)（實(shí)驗(yàn)條件：Fe Kα輻射，濾波，室溫20℃。3571＋，Wc為碳的質(zhì)量分?jǐn)?shù)）。試用“a一cosθ”的圖解外推法求其點(diǎn)陣常數(shù)（準(zhǔn)確到4位有效數(shù)字）。A. 1000；B. 10000；C. 40000；。A. 球差；B. 像散；C. 色差；D. A+B。A. 第二聚光鏡光欄；B. 物鏡光欄；C. 選區(qū)光欄；D. 其它光欄。A. 中間鏡的物平面與與物鏡的背焦面重合；B. 中間鏡的物平面與與物鏡的像平面重合；C. 關(guān)閉中間鏡；D. 關(guān)閉物鏡。A. 物鏡的物平面；B. 物鏡的像平面C. 物鏡的背焦面；D. 物鏡的前焦面。（ ），TEM中的α角越小越好。（ ），由于電磁透鏡不存在凹透鏡，所以不能象光學(xué)顯微鏡那樣通過凹凸鏡的組合設(shè)計(jì)來減小或消除像差，故TEM中的像差都是不可消除的。（ ） 1填空題11. TEM中的透鏡有兩種，分別是 和 。13. TEM成像系統(tǒng)由 、 和 組成。15. 電磁透鏡的像差包括 、 和 。電子束的折射和光的折射有何異同點(diǎn)？9. 比較靜電透鏡和磁透鏡的聚焦原理。14. 物鏡光闌和選區(qū)光闌各具有怎樣的功能15. 點(diǎn)分辨率和晶格分辨率在意義上有何不同？16. 電子波有何特征？與可見光有何異同？17. 分析電磁透鏡對(duì)電子波的聚焦原理，說明電磁透鏡結(jié)構(gòu)對(duì)聚焦能力的影響。24. 樣品臺(tái)的結(jié)構(gòu)與功能如何？它應(yīng)滿足哪些要求？25. 透射電鏡中有哪些主要光闌，在什么位置？其作用如何？26. 如何測(cè)定透射電鏡的分辨卒與放大倍數(shù)。A. 規(guī)則的平行四邊形斑點(diǎn)；B. 同心圓環(huán)；C. 暈環(huán)；。A. 尺寸很小的倒易點(diǎn)；B. 尺寸很大的球；C. 有一定長度的倒易桿；D. 倒易圓盤。lt。A. 球面外；B. 球面上；C. 球面 ）。 5. 菊池線可以幫助（ ）。不唯一性；C. 鑒別有序固溶體；D. 精確測(cè)定晶體取向。A. 六方結(jié)構(gòu)；B. 立方結(jié)構(gòu)；C. 四方結(jié)構(gòu)；D. A或B。（ ）。（ ）=0時(shí)，衍射斑點(diǎn)最亮。（ ），僅憑一張衍射花樣是不能確定其晶體結(jié)構(gòu)的。（ ）。17. 電子衍射產(chǎn)生的復(fù)雜衍射花樣是 、 、 、 和 。19. 單晶體衍射花樣標(biāo)定中最重要的一步是 。 名詞解釋15. 偏離矢量S16. 180186。62．用愛瓦爾德圖解法證明布拉格定律。64．簡(jiǎn)述單晶子電子衍射花樣的標(biāo)定方法。66．下圖為18Cr2N4WA經(jīng)900℃油淬后在透射電鏡下攝得的選區(qū)電子衍射花樣示意圖，衍射花樣中有馬氏體和奧氏體兩套斑點(diǎn)，請(qǐng)對(duì)其指數(shù)斑點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)定。 R1和R2間夾角為70176。 R1=, R2=,Ф=95176。 610．試正明倒易矢g與所對(duì)應(yīng)的（hkl）面指數(shù)關(guān)系為g=ha﹡+kb﹡+lc﹡。613．為什么TEM既能選區(qū)成象又能選區(qū)衍射？怎樣才能做到兩者所選區(qū)域的一致性。 615．試說明菊池線測(cè)試樣取向關(guān)系比斑點(diǎn)花樣精確度為高的原因。A. 明場(chǎng)像；B. 暗場(chǎng)像；C. 中心暗場(chǎng)像；。=0；B. Igamp。0；C. Igamp。0；D. Ig=Imax。A. b=（0 1 0）；B. b=（1 1 0）；C. b=（0 1 1）；D. b=（0 1 0）。A. 質(zhì)厚襯度；B. 衍襯襯度；C. 應(yīng)變場(chǎng)襯度；D. 相位襯度。A. 小于真實(shí)粒子大??；B. 是應(yīng)變場(chǎng)大??；C. 與真實(shí)粒子一樣大?。籇. 遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于真實(shí)粒子。（ ），薄樣品中則不存在消光距離ξg。（ ），用透射電鏡就可以觀察到這個(gè)缺陷。（ ） 2填空題21. 運(yùn)動(dòng)學(xué)理論的兩個(gè)基本假設(shè)是22. 對(duì)于理想晶體，當(dāng)現(xiàn) 或 。24. 一般情況下，孿晶與層錯(cuò)的襯度像都是平行 ，但孿晶的平行線 ，而層錯(cuò)的平行線是 的。 2名詞解釋19. 中心暗場(chǎng)像20. 消光距離ξg21. 等厚消光條紋和等傾消光條紋22. 不可見性判據(jù)23. 應(yīng)變場(chǎng)襯度 習(xí)題71．制備薄膜樣品的基本要求是什么？具體工藝如何？雙噴減薄與離子減薄各適用于制備什么樣品？72．何謂襯度？TEM能產(chǎn)生哪幾種襯度象，是怎樣產(chǎn)生的，都有何用途73．畫圖說明衍襯成象原理，并說明什么是明場(chǎng)象，暗場(chǎng)象和中心暗場(chǎng)象。76．用缺陷晶體衍襯運(yùn)動(dòng)學(xué)基本方程解釋層錯(cuò)與位錯(cuò)的襯度形成原理。 1）2）3）4） 球形共格沉淀與位錯(cuò)線垂直于試樣表面的位錯(cuò)。 片狀半共格沉淀和位錯(cuò)環(huán)。711．層錯(cuò)和大角晶界均顯示條紋襯度，那么如何區(qū)分層錯(cuò)和晶界？ 第八章2選擇題1. 僅僅反映固體樣品表面形貌信息的物理信號(hào)是（ ）。 2. 在掃描電子顯微鏡中，下列二次電子像襯度最亮的區(qū)域是（ ）。的表面；C. 和電子束成45186。的表面。A. 背散射電子；B. 吸收電子；C. 特征X射線；D. 俄歇電子。A. 波譜儀；B. 能譜儀；C. 俄歇電子譜儀；D. 特征電子能量損失譜。A. 快速高效；B. 精度高；C.